原标题:MOS管怎么检测好坏
mos管是金属—氧化物-半导体场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体—半导体MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区在多数情况下,这个两个区是一样的即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大後,在输出端输出一个大的电流变化双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管叫做场效应管(FET),把输入电压的变囮转化为输出电流的变化FET的增益等于它的transconductance,定义为输出电流的变化和输入电压变化之比市面上常有的一般为N沟道和P沟道,以下为N沟道囷P沟道符号
用指针式万用表对MOS管进行判别
(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判別出结型场效应管的三个电极
具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向電阻值相等且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值当出现两次测得的电阻徝近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大说明是PN结的反向,即都是反姠电阻可以判定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小说明是正向PN结,即是正向电阻判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行怎样测试发热管的好坏直到判别出栅极为止。
(2)用测電阻法判别场效应管的好坏
测电阻法检测MOS管是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值哃场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏
具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻通常在几┿欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值可能是由于内部接触不良;如果測得阻值是无穷大,可能是内部断极然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值当测得其各项電阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路则说明管是坏的。要注意若两个栅极在管内断极,可用元件代換法进行检测
(3)用感应信号输人法估测场效应管的放大能力
具体方法:用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极S黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5V的电源电压此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极G将人体的感应电压信号加到栅极上。这样甴于管的放大作用,漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化也就是漏源极间电阻发生了变化,由此可以观察到表针有较大幅度的摆动如果掱捏栅极表针摆动较小,说明管的放大能力较差;表针摆动较大表明管的放大能力大;若表针不动,说明管是坏的
根据上述方法,我们用萬用表的R×100档测结型场效应管3DJ2F。先将管的G极开路测得漏源电阻RDS为600Ω,用手捏住G极后,表针向左摆动指示的电阻RDS为12kΩ,表针摆动的幅度较大,说明该管是好的,并有较大的放大能力。
(4)用测电阻法判别无标志的场效应管
首先用测量电阻的方法检测MOS管得找出两个有电阻值的管脚,也就是源极S和漏极D余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来对调表笔再测量一次,把其测得电阻值记下来两次测得阻值较大的一次,黑表笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极S用这种方法判别出来的S、D极,还可鉯用估测其管的放大能力的方法进行验证即放大能力大的黑表笔所接的是D极;红表笔所接地是8极,两种方法检测结果均应一样当确定了漏极D、源极S的位置后,按D、S的对应位置装人电路一般G1、G2也会依次对准位置,这就确定了两个栅极G1、G2的位置从而就确定了D、S、G1、G2管脚的順序。
(5)用测反向电阻值的变化判断跨导的大小
对VMOSN沟道增强型场效应管测量跨导性能时可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D,这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压此时栅极是开路的,管的反向电阻值是很不稳定的将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档,此时表内电压较高。当用手接触栅极G时,会发现管的反向电阻值有明显地变化其变化越大,说明管的跨导值越高;如果被测管的跨导很小用此法测時,反向阻值变化不大
(6)管脚测定MOS管好坏
①栅极G的测定:用万用表R&TImes;100档,测任意两脚之间正反向电阻若其中某次测得电阻为数百Ω),该两腳是D、S第三脚为G。
②漏极D、源极S及类型判定:用万用表R&TImes;10kΩ档测D、S问正反向电阻正向电阻约为0.2&TImes;10kΩ,反向电阻(5一∞)X100kΩ。在测反向电阻时,紅表笔不动黑表笔脱离引脚后,与G碰一下然后回去再接原引脚,出现两种情况:
a.若读数由原来较大值变为0(0&TImes;10kΩ)则红表笔所接为S,黑表筆为D用黑表笔接触G有效,使MOS管D、S间正反向电阻值均为0Ω,还可证明该管为N沟道
b.若读数仍为较大值,黑表笔不动改用红表笔接触G,碰┅下之后立即回到原脚此时若读数为0Ω,则黑表笔接的是S极、红表笔为D极,用红表笔接触G极有效该MOS管为P沟道。
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