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SOI技术新趋势(上海新奥)
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「圣斗士星矢BRAVE SOIDIERS」PV第一弹
PS3游戏「圣斗士星矢BRAVE SOIDIERS」是之前圣斗士星矢战记的续作，从「十二黄金宫篇」到「极乐净土篇」所有角色都可以操作，游戏类型为FTG，2013年秋发售预定。
目前官网上也仅仅公布了这一部PV的消息，看这视频基本就是一个纯格斗游戏了，虽然之前的类无双模式被人诟病，但fami通也给出了32分的黄金评分，作为动漫改编游戏，算是一个不错的成绩了，本作的最终质量如何还有待时间考证。
现在圣斗士系列的新作「圣斗士星矢奥米茄」还在好评播放中，虽然这光之美少女一般的圣斗士略略地有点看不下去，但是好歹仍有相当多的粉丝在支持。不过这游戏的主角依然是老面孔，也许证明了当年的经典已经没有办法再复制了。
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[编辑吐槽]晓得：不是阿姆罗的星矢不幸福。小风：说人话。
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淘豆网网友近日为您收集整理了关于SOI——纳米技术时代的高端硅基材料的文档，希望对您的工作和学习有所帮助。以下是文档介绍：SOI——纳米技术时代的高端硅基材料 第38卷第1期2008年2月微电子学MfcroelectronicsV01.38。No.1Feb.2008SoI一纳米技术时代的高端硅基材料林成鲁(中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技有限公司,上海201821)摘要: 绝缘体上硅(SOI)是纳米技术时代的高端硅基材料。详细介绍了SOI在半导体技术领域中的应用,以及近年来为满足SOI的特殊应用要求研发的多种SOI新材料及其制备技术;综述了绝缘体上应变硅(sSOI),绝缘体上锗(GOI)等SOI技术的现状和发展动向;最后,对SOI技术的发展前景进行了展望。关键词: 高端硅基材料;绝缘体上硅;绝缘体上应变硅;绝缘体土锗中图分类号:TN304 文献标识码:A 文章编号:(44—06SOI。___。·——Advanced Silicon-Based Materials for Nanotechnology EraLIN Cheng—lu(Shanghai Institute of Microsystem and Information Techn(来源：淘豆网[/p-.html])ology,The Chinese Academy of Sciences IShanghai SIMGUI Technology Co.,Ltd.,Shanghai 201821,P.R.China)Abstract: Silicon-On-Insulator(SOI)is an advanced silicon-based material for NanotechnolcIgY Era.Applications0f SoI in microelectronics are described in detail A variety of novel S01 materials for specific applications is exam-ined.along with their fabrication technologies.The state-of-the-art of SOl technology,including strained silicon-on-insulato(来源：淘豆网[/p-.html])r(sSlolI)and germanium-on-insulator(GOI),is reviewed.And finally,the development trend and futureprospect of sIm technologies are discussed.Key words: Advanced silicon-Silicon on insulator(S01);Strained silicon on insulator(ssoI)E】殴蜒IC: 2520 1 纳米技术时代的高端衬底材料集成电路的特征尺寸在1999年开始缩小到亚100 nlTI,英特尔(Intel)在2006年6月实现了90 nm与65 am的“制造接替”;65 nm技术代的微处理器(CPU)由物理栅长仅为35 nm的近三亿只金属一氧化膜一半导体场效应晶体管(MOsFET)组成,在芯片生产方面实现了里程碑式的跨越。英特尔45 nm处理器已正式宣布量产,全球独家首次采用高五(来源：淘豆网[/p-.html])金属栅技术。英特尔为半导体制造技术带来了一次革命,从而使摩尔定律(Moore’S Law)得到进一步延伸。根据“国际半导体技术发展路线图”(ITRS)的预测,摩尔定律所预测的高速发展至少将持续到2020年,那时的晶体管物理栅长将是6 rim!在6年收稿日期:;定稿日期:后的2013年,集成电路将进入32 am技术代,并于2016年进入22 am技术代。随着芯片集成度的进一步提高,即器件特征尺寸的进一步缩小,将会面临大量来自传统工作模式、传统材料,乃至传统器件物理基础等方面的问题。因此,必须在器件物理、材料、器件结构、关键工艺、集成技术等基础研究领域寻求突破。集成电路发展到目前极大规模的纳米技术时代,要进一步提高芯片的集成度和运行速度,现有的体硅材料和工艺正接近它们的物理极限,在进一步减小集成电路的特征尺寸方面遇到了严峻的挑战,必须在材料和工艺上有新的重大突破。目前,在材料方面,重点开发绝缘体上硅(SOI)、应变硅、Ge—si、金属栅、低k及高忌介质材料(来源：淘豆网[/p-.html])等。业界公认,SOI技术已成为纳米技术时代取代现有单晶硅材料的解万方数据万方数据第1期林成鲁:SOI一纳米技术时代的高端硅基材料决方案之一,是维持摩尔定律走势的利器。图1是国际上SoI材料头号供应商——法国Soitec公司给出的先进材料发展路线图,绝缘体上硅(S01),绝缘体上应变硅(sSOI)和绝缘体上锗(GOI)将成为纳米尺度极大规模集成电路的高端衬底材料‘¨。图1纳米技术时代的高端衬底材料发展路线图Fig.1 Roadmap of advanced substmte materials forNanotechnology Era2 SOI的应用2.1 高端应用国际SOI市场95%的应用集中在200 mm(8英寸)和300 mm(12英寸)大尺寸薄膜SOI,其中绝大多数用户为尖端微电子技术的引导者,如IBM、AMD等。目前,供应商为法国Soitec、日本信越(SEH)、日本SUMCO,其中,前两家提供了约90%的产品。其主要驱动力来自于高速、低功耗SoI电路,特别是微处理器(C(来源：淘豆网[/p-.html])PU)应用,技术含量高,附加值大[z-4]。例如,财务年度,Soitec公司销售的SOI圆片中,300 mm占60%,200 mm占28%。SOI的高端应用,主要是需要300 mm的圆片。图2是薄膜SOI和厚膜SOI在未来几年的增长需求;图3说明200 mln和300 ITIITI SOI将在未来有非常快速的发展,其需求增长将远远超过硅材料的平均增长水平。S01材料市场每年约扩大40%,预计到2010年,规模将达到10亿美元,远远高于硅材料每年7.7%的增长率。届时,SOI材料将占全部LSI半导体材料的10%。最近,soI材料在民用设备中的应用越来越多,任天堂“Wii”、索尼计算机娱乐(sCE)“PS3”、美国微软“Xbox 360”等3款最新游戏机全部配备了采用S01材料的处理器。今后,还有望应用于数码相机、平板电视和汽车等使用的处理器和SoC(系统芯片)。图2薄膜SOl和厚膜SOI的增长需求Fig.2 Growth demand of both thin and thi(来源：淘豆网[/p-.html])ck S01 materials图3 200 m121和300 mmSOl的需求增长Fig.3 Growth demand of 200 nlTl and 300 nln S01 wafersIBM和AMD等公司是SOI技术的主要推动者。IBM在纽约的300 mm生产线全部采用SOI材料替代硅衬底材料,用SOl技术推出了新型AS/400服务器系列,比目前的高端机型的速度几乎快4倍。IBM、Sony、Toshiba联合开发S01上90~45nln线宽的技术,并将SOI技术引入电子消费类芯片的生产中,市场非常广阔。AMD将SOI技术移植到所有PC处理器,用于Athlon 64、Turion 64、Opteron等,是目前全球最大的SOI材料消费者。AMD宣布转移至65 nrll工艺技术,并发表新一代高效能运算方案,推出高效能AMD Athlon 64 X2双核心台式机处理器。采用65nln线宽技术之AMD处理器,在同时执行多个应用万方数据万方数据林成鲁:So卜一纳米技术时代的高端硅基材料 200(来源：淘豆网[/p-.html])8筵程序时能发挥优异的效能,便于开发体积小巧的个人计算机,适合家庭与办公室环境应用。在2007年中,AMD的Fab 36晶圆厂将完全转移至65 nln技术。随着微处理器(CPU)、游戏机芯片(GPU)工艺对SOI技术需求愈来愈强,SOI已成各大晶圆代工厂角逐核心客户的武器。台积电、联电都不敢忽略或轻视先进工艺下导入SoI技术大量生产的重要性;新加坡特许半导体则抢先在90啪工艺便采用IBM授权,赢得微软(Microsoft)Ⅺ幻X 360 GPU订单。台积电正评估未来45 nm工艺争取代工CPU的可能性,未来更积极取得SOI技术势在必行。2007年10月,在美国加利福尼亚州召开的IEEE SoI国际会议上,一种采用SOI的零电容RAM(Z-RAM:Zero Capacitor R』蝴)技术引起了各国的注意[5]。Z-RAM技术是近几年出现的极具潜力的、革命性的DRAM技术。由于DRAM产业产品销售超过330亿美元,这种技术的成功将极大地推动SOI的应用。Z-RAM由高密度存储知识产权开发商In(来源：淘豆网[/p-.html])novative Silicon Inc(gq意硅片公司)开发,海力士半导体DRAM产品已获得Z-删存储技术授权。Z-RAM是一种基于无电容设计的嵌入存储技术,采用这种技术,可以实现非常高密度的处理器缓存设计。Z-RAM是采用绝缘体上硅(SOD结构晶圆实现的;Z-RAM的单晶体管存储位单元可利用电路制造中发现的浮体效应(FBE)实现,通过在一个传统SoI MOSFET的沟道下捕获电荷来存储数据。与DRAM相比,在同样的功耗下,Z_RAM的速度更高。该存储器可以采用普通SOICMOS逻辑工艺制造。如果采用SOI进行设计,无需改变标准逻辑工艺,Z-RAM就可用于嵌人式存储器阵列。采用Z-RAM的DRAM将使用一种单晶体管位单元,来替代多个晶体管和电容器的组合。这表明,自20世纪70年代初发明DRAM以来,基本DRAM位单元实现了首次变革。Soitec公司为满足全球对SOI与其他衬底不断增加的需求,宣布其最新扩充发展策略。截至2006年3月,Soitec在Bernin生产基地的投资已超过3.5亿欧(来源：淘豆网[/p-.html])元,预计在设备装设完成后总投资将超过5亿欧元,员工人数接近1000。Soitec针对300 mm晶圆的年产能预估将可从目前的72万片提升至100万片。Soitec选择在新加坡设立新的300 mmSoI晶圆厂,名为三号晶圆厂。2005财年,Soitec公司与AMD签订了1.5亿美元的SOI材料供货合同,2006财年又新签订了3.5亿美元的合同。2.2 S01的其他应用SOI早期的主要应用集中在航空航天和军事,现在已拓展到功率和灵巧器件,以及MEMS应用。特别是在汽车电子、显示、无线通讯等方面发展迅速。由于电源的控制与转换、汽车电子以及消费性功率器件在恶劣环境、高温、大电流、高功耗条件下的应用对可靠性的严格要求,不得不采用S0l器件。在这些领域,多采用150 ITIITI和200 rain SOI材料。目前的用户包括美国的Maxim、ADI、TI公司,日本的NEC、Toshiba、Panasonic、Denso、FUJI、Omron等公司,以及欧洲的Philips、X-Fab等公司。这个领域的特(来源：淘豆网[/p-.html])点在于SOI器件技术相对比较成熟,技术含量相对较低,器件的利润也相对降低,对SOI材料的价格比较敏感。在这些SOI材料用户里面,很大的应用主要来源于各种应用中的驱动电路:如Maxim的应用主要为手机接收段的放大器电路;Panasonic、TI、FUJI、Toshiba、NEC等的主要应用在显示驱动电路中的扫描驱动电路;Denso的应用主要在汽车电子、无线射频电路等;Toshiba的应用甚至在空调的电源控制电路中;Omron主要在传感器方面;ADI的应用也主要在高温电路、传感器等方面;而Phillips的应用则主要是功率器件中的LDMOS,用于消费类电子,如汽车音响、声频、音频放大器等;韩国的Magnchip(Hynix)贝lJ为Kopin生产数码相机用的显示驱动电路和为LG生产PDP显示驱动电路等。3特种SOI材料及其制备技术为了满足SOI的特殊应用要求,近年来,研发了多种SOI新材料和制备技术。3.1高阻SOl先进射频器件要求高阻SOI衬底和高阻加工晶圆,高阻(HR)衬底将极大地改善无源元件的性能。这些无源元件包括直接制备在硅芯片上的电感等。高阻SOI衬底在与射频电路、压控振荡器(VCO)和低噪声放大器(LNA)等合成时,还可进一步突出模拟/数字混合电路的优势,使它们在工作期间具有更高、更稳定的性能,以适应各种工艺的变化和扰动效应。高阻(&1 kt2-em)SoI技术可提供完全的氧化物隔离,切断衬底注入噪声的直接通道。高电阻率万方数据万方数据第1期林成鲁;S0卜一纳米技术时代的高端硅基材料 47衬底可降低电容耦合,进·步减小与衬底相关的各种射频损耗。与体硅晶圆相比,闭锁效应已不再成为问题。即使在较高频率下,SOI也能获得高Q值电感,因而可省去体硅晶圆制造中所用的图形接地屏蔽。采用高电阻率SoI获得的无源集成元件,可以与在磷化铟(InP)衬底上获得的效果相媲美。CMOS SOI已成为一种替代GaAs和BiCMOS技术的高性价比方案。3.2超薄埋层和非SiQ埋层SOISi02埋层(BOX)的热导率约比硅低100倍。因此,SOI中的局部自加热成为大部分时间用于开态器件或高占空比电路的一个重要考虑。对硅膜的厚度进行等比变化,会降低热导率和提高热阻,对于薄硅和厚BOX,问题尤为严重。一种简便的办法就是对BOX的厚度进行等比例缩小。如果将BOX的厚度从150 nln降至20am,即可使导热性能提高至原来的3倍。当然,一定要在提高寄生电容和降低总体器件性能之间做出权衡。另一种方法是将高热导率材料用作埋层。例如,氮化硅是一种工业化程度较成熟的材料,其热导率比Si02高一个数量级,是性能良好的一种绝缘体。目前已证实,氮化物/氧化物复合埋层是提高衬底热导率的一种有效方法。中科院上海微系统所已成功研制出多种新埋层SOI结构,其埋层材料包括A1N、A1203、DLC等。这些材料可以有效克服器件的自加热效应。相比之下,如果关注的焦点是低功耗,那么超薄BOX就是一种极具优势的技术。隐埋n和P区很容易在加工衬底中形成,用作低压工作的背栅。施加反向偏置,就可降低OFF电流,而正向偏置会降低器件的阈值电压,从而使器件的电流驱动提高。这对SoC集成而言尤其可取。3.3混合取向SoI(110)衬底上的空穴迁移率大约是(100)衬底上的两倍。在混合取向的复合型S01中,制造复合衬底时,分别将(110)和(100)晶体取向区作为P沟和n沟。图4是采用将(110)硅层转移到(1∞)加工晶圆上的方法制备混合取向SOI衬底的示意图。对于在(110)面上制作的40 am长pMOSFET而言,可以获得电流驱动提高45%的结果;然而,(110)面上的nMOSFET则会降低35%。为了攻克这一难题,采用通过隐埋氧化物一直到(100)加工衬底的方法,在衬底上刻蚀了与n沟区相对应的窗口;形成隔离层之后,再进行选择外延硅生长;最后采用化学机械抛光(CMP)工艺,对其表面结构进行平面化处理,就获得了嵌在同一表面上的具有(110)和(100)区的复合晶圆。3.4混合技术Silicon-on-Anything(SOA):这是一种将已制备IC的薄层硅膜转移到玻璃之类的低成本绝缘基片上[6]的技术。此项技术由Philips公司开发。最近,已经采用Smart-cut工艺生产出石英上的硅(SOQ)基片。和传统的SOI相同,它产生较低的漏电流,由于寄生电容较低,高频下电路性能得到了提高。图4通过将(110)衬底转移到(100)支撑衬底上制备混合取向SoI材料Fig.4 Fabrication of hybrid-orientation substrates bytransferring(110)wafer onto(100)supportingsubstrateSilicon-on-Nothing(SON):这是一项由LETI和ST微电子公司为小尺寸CMOS发展起来的高级混合技术。SON通过“空桥”结构在沟道下形成局域的绝缘体上硅。SON是否是深亚微米CMOS的最终结构还在争议之中。采用择优腐蚀薄外延SiGe层,在栅堆栈下形成空洞,空洞可以是空气间隙或者充满氧化物。与其他技术不一样,SON在器件制备中在沟道下自对准。如果合适的话,可以采用体硅代替较昂贵的SOI基片作为原始晶片。非常薄(rim级)的单晶SOI片被广泛认为是下一代CMOS晶体管的最好结构材料[7]。常规SI—MOX、Smart-Cut等SOI技术难以得到5~20 nm的顶层硅薄膜厚度。SON技术能制备非常薄的薄膜(顶层硅和绝缘埋层),同时,可以通过控制外延过万方数据万方数据林成鲁:S0卜一纳米技术时代的高端硅基材料 2008正程,精确控制外延层的厚度(&1 rim)。用这种方法制备的上层硅和隐埋绝缘层的厚度是其他技术所不能达到的。这种技术能够开辟新的应用途径,例如,在SOI上制备的CMOS晶体管非常适合制备在SON上。4绝缘体上应变硅(sSOI)应变硅(Strained Silicon)技术最初由AT&TBell实验室的E.八Fitzgerald在1991年提出,在随后短短的十余年中,应变硅技术得到了迅速发展。1998年,Fitzgerald等人成立了第一个专门从事应变硅技术的公司——Ambe邢ave公司。如今,该公司已经在美国、欧洲、新加坡、日本、台湾等多个国家和地区推广他们的应变硅技术。国际上从事应变硅技术研发的几个主要公司是:Intel公司,IBM公司,AMD公司和飞思卡尔半导体公司等。当前有两类应变硅制备技术:一类是在晶体管制作前在衬底上形成应变硅晶片(strained siliconwafer),被称作“全局”方案;另一类是在晶体管周围通过“局部”膜层引入应变——工艺致应变(process-induced strain)。目前,国际上微电子工业评价的应变硅衬底主要是“全局”方案:1)在绝缘体上的弛豫硅锗(SGOI:SiGe On Insulator)上生长的应变硅;2)直接在绝缘体上生长的应变硅(strained siliconon insulator,sSOI,应变SOI)。Soitec公司掌握了利用Smart-cut技术生产无锗sSoI,并能够提供200---300 n3/n的全耗尽(厚度小于25 nm)和部分耗尽(厚度大于35 nm)sSOI圆片。为了满足客户对sSOI材料的强烈需求,Soitec公司已经将其300 Into sSOI技术从研发阶段发展至产品供应阶段。美国飞思卡尔(Freescale)半导体公司已经将应变SOI(sSOD材料和局部应力组合,试制45 nm工艺晶体管,目前正在进行工艺验证。2006年7月,法国Soitec公司宣布其应用于65 nnl线宽以下工艺的绝缘层上应变硅晶圆上市,并成为业界首款量产的应变硅衬底。Soitec总裁Andr6-Jacques Auberton-Herv6表示:“最新一批SoI衬底,目标锁定网络处理、运算、游戏及高阶无线产业内的高阶应用;对这些应用来说,速度及极低的功率十分重要。除了让芯片制造商可以更进一步扩大其产品的效能与功率优势,我们新的应变SOI将是未来的可延伸平台。”5绝缘体上锗(GO/)绝缘体上锗(GOI)是高端硅基衬底材料领域的一项最新开发成果[9]。它对高性能CMOS IC以及光电探测器和太阳能电池都具有十分重要的意义。GOI能用作光电探测器(锗吸收850 nm波长的光的效率是硅的70倍),而且也能用来制作高速晶体管。基于锗材料的晶体管的转换速度比硅的大3到4倍。由于锗金属能提高材料的电子迁移率,在未来的高速逻辑IC应用上,锗材料远景看好。GOI用于制造高速光电探测器(运行在30 GHz),这使其理论上适用于探测速度大于50 Gb/s的信号,使芯片上的光互连更接近现实。GOI技术可与硅CMOS工艺兼容。因为锗能够有选择地放置在光电探测器所在的区域,所以,新的探测器与标准的微芯片技术兼容。这种兼容性使得在同一块芯片上集成光电电路成为可能,比如在微处理器和其他电子器件上。目前,对GOI的关注主要集中在以下几个领域:高速CMOS器件、高频CMOS器件、光电探测器,以及太阳能电池等。几十年前,人们就知道锗与硅相比所具有的速度优势;然而,锗氧化层的不稳定性使得当时制作MOS器件不太可行。如今,新一代的高k介质淀积技术,加上这些新的GOI衬底,给器件生产商在使用锗上带来更多的灵活性,从而回避了MOS栅氧问题。欧洲半导体领域三巨头Soitec、IMEC和Umicore宣布联合开发GOI技术,并研制基于GOI工艺的半导体器件。该研究课题的目标是克服国际半导体技术发展路线图(ITRS)提出的集成电路特征尺寸进一步缩小到45 nm节点以下所遇到的困难。比利时的IMEC重点进行如何用Ge技术制造CMOS晶体管,这是45 nln及更小的半导体工艺所急需解决的技术难题。Umicore公司主要开发和制造200 300 mm的锗晶圆;法国的Soitec公司在SoI晶圆制造方面拥有技术优势,将会把Smart-cut工艺用在GOI晶圆制造上。IMEC将其在高惫材料、金属栅、器件开发和集成工艺制造方面的优势用在GOI开发中;同时,在GOI晶圆生产后进行缺陷检测。这些联合研究工作将使晶圆供应商能调控晶圆质量,以优化器件的性能。IMEC还将试制先进的器件,以证实GOI在45 nm以下节点技术中的优势。由于锗材料较好的化学和电学性质,许多半导万方数据万方数据第1期林成鲁:S0卜一纳米技术时代的高端硅基材料 49体业界人士提出锗可能是替代硅的合适材料。锗中的电子和空穴迁移率都比硅高,并且它能与高k材料兼容;另外,锗材料的掺杂激活温度比硅低许多,这有利于在制造工艺中形成浅结。Silicon Genesis公司也宣称他们正在研制GOI圆片。IBM宣布开发了一种基于新开发的GOI技术的高速光电探测器,他们制造GOI的方法是直接在很薄的S01上生长锗。6 SOI技术的前景SOI具有许多体硅技术不可比拟的优越性,S01电路能成功地应用于高速、低压、低功耗、抗辐照、耐高温等领域。1998年,美国IBM公司在世界上首次利用SOI技术成功地研制出高速、低功耗、高可靠的微电子主流产品——微处理器等高性能芯片,之后,SOI的商业应用突飞猛进。SOI材料的质量得到大幅度改善,已经能够满足目前深亚微米器件的要求,并发展成为针对先进的亚65 nm、45 nln器件的纳米时代SOI衬底工程技术。SOI技术已被产业界广为接受。但是,SOI技术的应用,还面临技术及成本等因素的制约。在技术方面,与体硅相比,SOI材料的质量有待进一步提高,如减少杂质沾污、晶格缺陷、氧化层缺陷,提高顶层硅的均匀性等。如何克服S01结构给器件和电路带来的浮体效应和自加热效应等影响。在成本方面,因为SOI材料是在体单晶硅的基础上经再加工而制成的,成本当然要比硅单晶材料高。然而,采用S01技术,可以使集成电路制造过程中的工艺简化,降低工艺加工成本,以补偿材料的成本。为了推动SOI市场化发展,国际半导体界成立了第一个SOI产业协会(S01 Industry Consorti-urn)[9|。该协会的会员有:AMD、ARM、CadenceDesign Systems、CEA-Leti、Chartered Semiconduc—tor Manufacturing、Freescale Semiconductor、IBM、Innovative Silicon,K幽一Tencor,Lam Research,NXP、Samsung、Semico、Soitec、SHE Europe、STMicroelectronics、Synopsys、TSMC和UMC等公司。除IDM业者以外,半导体上游设备商、自动化设计平台业者、IP业者皆加入了SOI策略联盟。过去,SoI对IDM业者来说比较了解如何进行设计、制造,对一般IC设计业者,因缺乏设计平台与IP工具支持,加上晶圆代工厂专注于标准CMOS制程,让IC设计业者即使想采用此工艺也无所适从。如今,包括IP、EDA业者皆已意识到此问题,愿意加入SOI联盟,对未来SOI市场的发展再添助力。Soitec公司总裁Andre-Jacques Auberton-Herve当选为协会主席,他表示:“目前,电子产品的关注点转向了低功耗,SOI技术则具有这方面强大的优势。新成立的协会希望能加强设计链上的联系,使SoI能为更多的设计人员所接受。”参考文献:[-1-1 MAZURE,AUBERToN—HERVE A J.Engineeringwafers for the nanotechnology era Ec3//Proc 35thEuro S01 Sta Dev Res.Grenoble,France.2005.[2]COLINGE J P.Silicon-on-insulator technology:mate-rials tOVLSI[M].3一Ed.Bostion,MA,USA:Klu—wet Academic Pub.2004.[3] CELLER G K,cRISr0LOVEANU S Frontiers ofsilicon-on-insulatOr[J].J Appl Phys,):.[4]JOSHI R V,A low power and high performance s0ISRAM circuit design with improved cell stability[C]//Proc 2006 IEEE Int SOI Conf.Niagara Falls。NewYork,US八.[5]FISCH 13.Innovative approach to drive floating bodyz.删embedded memory to 32 nlTl and beyond[C]//Proc 2007 IEEE Int SOI Con￡Indian Wells,CA,US八2.[63 BRUINES J.Process outlook for analog and RF appli—cations[J].Microelectronie Engineering,):35-48.[7] YAN R H,ouRMAzD A,LEE K E Sealing the SiMOSFET:from bulk to S01 to bulk[J].IEEE TransElec Dev,):1704.[83 THEAN A V Y,White T,Sadaka M,et a1.Perform-alice of super-critical strained-Si directly on insulatOr(SC_SSOI)CMOS based 011 high-performance PD-9讲technology[C]//Proc IEEE Symp v】蝎I TecK.[9]BRENNAN&19 Electronics industry lcadets joinforces tO accelerate SoI innovation into broad markets[EB/OL].Vr、Ⅳw..作者简介:林成鲁(1941一)。男(汉族),研究员,博士生导师,上海新傲科技有限公司总工程师,长期从事高端硅基半导体新材料的研究,特别在SOI技术方面进行了数十年的研发——工程化——产业化工作,获得国家科技进步一等奖等十项奖励。万方数据万方数据SOI——纳米技术时代的高端硅基材料作者: 林成鲁, LIN Cheng-lu作者单位: 中国科学院,上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技有限公司,上海,201821刊名:微电子学英文刊名: MICROELECTRONICS年,卷(期): )被引用次数: 4次参考文献(9条)1.MAZUR(E);AUBERTON-HERV(E) A J Engineering wafers for the nanotechnology era[外文会议] 2005 2.COLINGE J P Silicon-on-insulator technology:materials to VLSI 2004 3.CELLER G K;CRISTOLOVEANU S Frontiers of silicon-on-insulator[外文期刊] .JOSHI R V A low power and high performance SOI SRAM circuit design with improved cell stability2006 5.FISCH D Innovative approach to drive floating body Z-RAM embedded memory to 32 nm and beyond[外文会议] 2007 6.BRUINES J Process outlook for analog and RF applications[外文期刊] .YAN R H;OURMAZD A;LEE K F Scaling the Si MOSFET:from bulk to SOI to bulk[外文期刊] .THEAN A V Y;White T;Sadaka M Performance of super-critical strained-Si directly on insulator (SC-SSOI) CMOS based on high-performance PD-SOI technology[外文会议] 2005 9.BRENNAN S 19 Electronics industry leaders join forces to accelerate SOI innovation into broadmarkets本文读者也读过(4条)1. 林成鲁.刘卫丽.LIN Cheng-lu.LIU Wei-li 纳米技术时代的高端硅基材料-SOI,sSOI和GOI[期刊论文]-功能材料与器件学报)2. 林成鲁 SOI技术的新进展[期刊论文]-半导体技术)3. 伍志刚.凌荣堂 SOI技术——21世纪的硅集成技术[期刊论文]-微电子学)4. 林成鲁.张正选.刘卫丽 SOI材料和器件及其应用的新进展[期刊论文]-核技术)引证文献(4条)1.严冬.李国光.刘涛.熊伟.李成敏.郭青杨.叶甜春基于反射测定法的SOI膜厚检测系统[期刊论文]-微电子学.李巨晓.孙新利.王飞尧.何国君直拉法硅单晶生长时晃动的分析及控制[期刊论文]-半导体技术 .陈昕 SOI技术的发展思路[期刊论文]-电子器件 .韩卫敏.杨永晖 A/D与D/A转换器主流工艺技术现状和发展趋势[期刊论文]-微电子学 2008(6)引用本文格式:林成鲁.LIN Cheng-lu SOI——纳米技术时代的高端硅基材料[期刊论文]-微电子学 2008(1)播放器加载中，请稍候...
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SOI——纳米技术时代的高端硅基材料 第38卷第1期2008年2月微电子学MfcroelectronicsV01.38。No.1Feb.2008SoI一纳米技术时代的高端硅基材料林成鲁(中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技有限公司,上海201821)摘要: 绝缘体上硅(SOI)是纳米技术时代的高端硅基材料。详细介绍了SOI在半导体技术领域中的应用,以及近...
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