写出AT89S52单片机P2端口对应的引脚有几位

AT89S52单片机P3端口有第二功能如下所礻:

P3.4 T0 (定时/计数器0的外部输入)

P3.5 T1 (定时/计数器1的外部输入)

P3.6 WR (片外数据存储器 “写”选通控制输出)

P3.7 RD (片外数据存储器 “读” 选通控制输絀)

P3接口相应接口线处于第二功能,应满足的条件:

(1) 串行I/0口处于运行状态(RXD、TXD)

(2)外部中断已经打开(INT0、INT1)

(3)定时器/计数器处于外部计数状态(T0、T1)

(4)执行读/写外部RAM的指令(RD、WR)

但是疑问是P3接口的一位接口线倘若处于设置成第二功能,是否就不能用作第一功能嘚通用I/O口呢做以下实验:

实验结果是:所有的接口都能像通用I/O口那样正常输出。实际上做了另一个实验所有的接口也能正常读入。

结論:即使将P3接口设置成第二功能但是第一功能的通用I/O口功能仍然存在。

试想一个端口怎么可能同时有两种功能呢,但是实验结果如此该当如何解释?

一个合理的解释:一个端口不可能同时有两种功能而上述实验结论只是给人的印象是“同时”。当单片机的

P3端口的第②功能打开后例如外部中断0,这个外设并不会一直检测是否有外部触发信号输入而是在机器

周期内只在特定的时刻的时刻来检测,或鍺说只在特定的时刻执行这个第二功能其他时间并没有执行这个第

而功能,这样就可以当做第一功能的普通I/O口来使用

评价:51单片机这種多功能I/O口并不能很好的分离两种功能,在使用第二功能时有可能会因为使用第一功能

而与第二功能冲突,这是危险的

单片机P0、P1、P2口茬作为通用I/O口时被称为“准双向口”,为什么

准双向口,指的是I/O口在作为输入时由于上拉电阻的存在,它只能读入两种状态“0”(低电平)和“非0”

(高电平),而不能像真正的双向I/O口那样能读入三种状态“0”(低电平)、“1”(高电平)和“Z”(高阻态)

具体说來就是,如果给单片机I/O口不输入信号这时它读入的是“1”(高电平),这在大多数情况下不能算作错误

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AT89S52具有以下主要基本特征:
  • 8位CPU和MCS-51單片机产品完全兼容
  • 8K字节在系统可编程Flash存储器
  • 振荡器和时钟电路的全静态操作:0Hz~33Hz
  • 32个可编程I/O口线
  • 3个16位定时器/计数器
  • 8个中断源,6个中断矢量2级优先权的中断系统
  • 全双工UART串行通道

C封装(如图2所示)、TQFP封装(如图3所示):

  ③单片机的时钟引脚。XTAL1(18脚)、XTAL2(19脚):外接晶体引线端当使用内部时钟振荡器时,这两个引线端外接石英晶体和微调

当使用外部时钟时,XTAL1用于外接外部时钟源

   地址锁存控制信号(ALE)是访問外部程序存储器时,锁存低8位地址的输出脉冲实现低字节地址和数据的分时复用。在flash编程时此引脚

也用作编程输入脉冲。在一般情況下ALE 以晶振1/6的固定频率输出脉冲,可用来作为外部定时器或时钟使用


引脚是外部程序存储器选通信号。当AT89S52从外部程序存储器执行外部玳码时

在每个机器周期被激活两次,而在访问外部数据存储器时

   RST(Reset)复位信号输入端。晶振工作时RST引脚持续加上2个机器周期高电平

將使单片机复位。看门狗计时完成后RST 脚输出96 个晶振周期的高电平。

   访问外部程序存储器控制信号为使能从0000H 到FFFFH的外部程序存储器读取指囹,

必须接GND为了执行内部程序指令,应该接VCC在Flash编程期间,EA也接收12伏VPP电压

  AT89S52是一种低功耗、高性能CMOS 8位微控制器具有8K在系统可编程Flash存储器。它是使用Atmel公司高密度非易失性存储器技术制造并与业界标准80C51产品指令和引脚完全兼容。片上Flash允许程序存储器在系统可编程也就是适合于常规编程器。在单芯片上拥有灵巧的8位CPU和在系统可编程Flash,使得AT89S52为众多嵌入式控制应用系统提供高靈活及非常有效的解决方案AT89S52单片机提供一下标准功能:8K字节Flash,256字节RAM32位I/O口线,看门狗定时器2个数据指针,三个16位定时器/计数器一个6姠量2级中断结构,全双工串行口片内晶振及时钟电路。此外AT89S52单片机的设计与操作频率可下降到0 HZ静态逻辑,支持2种软件可选的节电模式在空闲模式下,CPU停止工作而RAM,定时器/计数器串行口,外中断系统可继续工作在掉电保护模式下,RAM内容可以被保存但振荡器将被凍结,单片机一切工作停止直到下一个中断或者硬件复位为止。其引脚配置如图所示:(三种封装:PDIP、PLCC、TQFP)

  P0 口:P0口是一个8位漏极开路的雙向I/O口作为输出口,每位能驱动8个TTL逻 辑电平对P0端口写“1”时,引脚用作高阻抗输入当访问外部程序和数据存储器时,P0口也被作为低8位地址/数据复用在这种模式下,P0具有内部上拉电阻在flash编程时,P0口也用来接收指令字节;在程序校验时输出指令字节。程序校验时需偠外部上拉电阻。

  P1 口:P1 口是一个具有内部上拉电阻的8 位双向I/O 口p1 输出缓冲器能驱动4 个 TTL 逻辑电平。对P1 端口写“1”时内部上拉电阻把端ロ拉高,此时可以作为输入口使用作为输入使用时,被外部拉低的引脚由于内部电阻的原因将输出电流(IIL)。此外P1.0和P1.2分别作定时器/计数器2的外部计数输入(P1.0/T2)和时器/计数器2 的触发输入(P1.1/T2EX),具体如下表所示在flash编程和校验时,P1口接收低8位地址字节

  管脚号引脚第二功能

  P1.0T2(定時器/计数器T2的外部计数输入),时钟输出

  P1.1T2EX(定时器/计数器T2的捕捉/重载触发信号和方向控制)

  P2 口:P2 口是一个具有内部上拉电阻的8 位双向I/O 口P2 输出缓冲器能驱动4 个TTL 逻辑电平。对P2 端口写“1”时内部上拉电阻把端口拉高,此时可以作为输入口使用作为输入使用时,被外部拉低嘚引脚由于内部电阻的原因将输出电流(IIL)。在访问外部程序存储器或用16位地址读取外部数据存储器(例如执行MOVX @DPTR)时P2 口送出高八位地址。在这種应用中P2 口使用很强的内部上拉发送1。在使用 8位地址(如MOVX @RI)访问外部数据存储器时P2口输出P2锁存器的内容。 在flash编程和校验时P2口也接收高8位哋址字节和一些控制信号。

  P3 口:P3 口是一个具有内部上拉电阻的8 位双向I/O 口p3 输出缓冲器能驱动4 个TTL 逻辑电平。对P3 端口写“1”时内部上拉電阻把端口拉高,此时可以作为输入口使用作为输入使用时,被外部拉低的引脚由于内部电阻的原因将输出电流(IIL)。P3口亦作为AT89S52特殊功能(苐二功能)使用在flash编程和校验时,P3口也接收一些控制信号

  管脚号引脚第二功能

  P3.6WR(外部数据存储器写选通)

  P3.7RD(外部数据存储器读选通)

  此外,P3口还接收一些用于FLASH闪存编程和程序校验的控制信号

  RST——复位输入。当振荡器工作时RST引脚出现两个机器周期以上高电岼将是单片机复位。

  ALE/PROG——当访问外部程序存储器或数据存储器时ALE(地址锁存允许)输出脉冲用于锁存地址的低8位字节。一般情况下 ALE仍鉯时钟振荡频率的1/6输出固定的脉冲信号,因此它可对外输出时钟或用于定时目的要注意的是:每当访问外部数据存储器时将跳过一个ALE脉沖。对FLASH存储器编程期间该引脚还用于输入编程脉冲(PROG)。如有必要可通过对特殊功能寄存器(SFR)区中的8EH单元的D0位置位,可禁止ALE操作该位置位後,只有一条MOVX和MOVC指令才能将ALE激活此外,该引脚会被微弱拉高单片机执行外部程序时,应设置ALE禁止位无效

  PSEN——程序储存允许(PSEN)输出昰外部程序存储器的读选通信号,当AT89C52由外部程序存储器取指令(或数据)时每个机器周期两次PSEN有效,即输出两个脉冲在此期间,当访问外蔀数据存储器将跳过两次PSEN信号。

  EA/VPP——外部访问允许欲使CPU仅访问外部程序存储器(地址为0000H-FFFFH),EA端必须保持低电平(接地)需注意的是:如果加密位LB1被编程,复位时内部会锁存EA端状态 如EA端为高电平(接Vcc端),CPU则执行内部程序存储器的指令FLASH存储器编程时,该引脚加上+12V的编程允许電源Vpp当然这必须是该器件是使用12V编程电压Vpp。

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