半导体的物理基础：1.掺杂特性 2.热敏特性 3.光敏特性
本征半导体：原子排列整齐、晶格无缺陷、纯净的半导体（在热力学温度零度由于共价键的束缚，价电子能量无法挣脱囲价键的束缚因此晶体中没有自由电子，此时半导体相当于绝缘体）本征半导体的导电能力很差。（载流子浓度与原子密度相比很少）
本征激发（热激发）：由热能产生电子-空穴对的现象随着温度升高，载流子浓度（指数）增加其电阻率的温度系数是负的，这是半導体导电与金属导电的根本不同点（相同温度下，锗的载流子浓度大于硅）
N型半导体：在本征半导体中掺入五价元素。
P型半导体：在夲征半导体中掺入三价元素
杂质半导体中存在自由电子、空穴和杂质离子三种带电粒子，其中自由电子和空穴是载流子，杂质离子不能移动不是载流子多子浓度由杂志决定，少子浓度则由本征激发决定
掺杂半导体处于一定温度平衡状态时，自由电子浓度N0和空穴浓度P0（俊臣为平衡载流子浓度）满足以下关系式 P0*N0=Ni^2 （Ni是该温度下本征载流子浓度）
扩散电流和漂移电流（取决于少子浓度和工作温度，与外加電压的大小基本无关）。

半导体二极管的工作原理及特性

PN结和空间电荷区【（耗尽区）同时由于空间电荷区对多子的扩散运动有阻挡莋用，又称其为阻挡层、势垒区】由于耗尽区内载流子浓度很低，所以该区域的电阻率很高为高阻区；空间电荷区以外的区域仍处于熱平衡状态，是电中性区没有电位差，为低阻区
PN结的单向导电性：正向导通和反向截止（反向饱和电流对温度敏感，与少子浓度有关）
二极管分类：1.按材料：硅管和锗管 2.按结构特点：点接触型、面接触型、平面型
Vth为阈值电压（死区电压）外加电压Vd<Vth，PN结截止；Vd>Vth, PN结导通室温下，硅管Vth=0.5V锗管Vth=0.1V。曲线可分为正向工作区、反向工作区、反向击穿区
二极管的温度特性：温度每增加十度，硅或锗的反向饱和电流Is約增大一倍
二极管的反向击穿特性：雪崩击穿（6V以上）和齐纳击穿
势垒电容和扩散电容，不需详细了解有个认知即可，可自行学习