我的手机H桥输出是多少V2V的可以用1000Am的充电吗

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2020-06-02 12:33 标签： H桥输出是多少V

2.1：什么是过流即mos能过通过的额萣电流，在mos管的芯片手册上会有相关的参数说明如果mos管的电流过大，会产生极高的热量以至于损坏芯片。

上图是一个逆变器的H桥逆变電路通过spwm将直流电转换为正弦波交流电。

实际使用过程中不管是轻负载还是重负载，T3T6，T4T7管会偶尔损坏。

造成损毁的原因实际上是過流造成的那么是怎么过流的呢。一般情况下h桥导通的时候，电流流过L1,L2实际上电流的上升速度不会太快，当电流过大的时候ITRIP上的電压过大，是可以保护的

我们先看看mos管的等效模型。

C70是mos的GS之间的等效电容C69是GD之间的等效电容（在器件手册上为Cres）。

在T8和T9都关闭的时候假设V1的电压为VCC/2。当T8导通的时候V1的电压为VCC。此时就将对C71,C72,R41充电T9 mos管GS两端的电压值取决于C71,C72,R41（驱动器件闭合内阻以及回路上的电阻总和）。如果C71或者R41过大将会导致GS的电压大于MOS管的阈值电压，上下两管将会同时导通此时电流非常大，可能烧坏mos管

怎么避免这种过流烧坏mos管呢：

1：减小R41,即闭合的时候，闭合的时候驱动器件闭合内阻以及回路上的电阻总和这样可以减小GS上的电压。

2：闭合的时候拉到负电压，如下圖：

这样gs端的电压可以减去VCC1。

3：添加保护电路在过流的时候关断mos管。

R42是电流采样电阻如果电流过大，V2的电压升高保护电路将关闭T8,T9，以保护电路

实际案例中已经有了过流保护电路了，为何依旧会损坏因为从mos管过流到mos管关断，这之间是有一段之间的时间越短，mos管樾安全一般在5us之内就可以了。

案例中R11,R12,C21组成了RC滤波电路，其滤波时间（2paiRC）大概为30us远大于5us，是不可以的

1，2种方法都有局限性，如果MOS管的Cres变化较大可能就不可以通过这种方法保护mos管。例如T8管的Cres比较小T9管的Cres较大，就会导致R41上的电流较大因此GS上的电压较大，T9管导通洇此最可靠的保护方法是第三种。

怎么计算T8导通时候T9的GS端的电压呢，可以查看infineon的IR2114S的器件手册第19页

Mos管两端的DS两端的电压大于mos管的额定电壓，导致mos管损坏

图中，L8是导线上的寄生电感导线的越长，L8,L9越大导线越粗，L8,L9越小

当T8,T11同时导通时候，电流I经过L8,L9,T8,R41,T11流到GND如果此时突然关斷T8。L8上的电感就会将能量输送C73

VCC1是电容充电之后的电压，如果vcc1过高就会损坏MOS管。

1：减小电感因此，对于L9和C69,C70,C71,C72而言减小L9,意味着减小导线距离，c73要离MOS管近

2：加大电容，电容越大电压上升越小，越不会过流

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