手机物理工坊测量地磁场知识点磁倾角原理

  磁阻传感器和地磁场知识点嘚测量  一.实验目的  掌握磁阻传感器的特性掌握地磁场知识点的测量方法。  二.实验原理  物质在磁场中电阻率发生变囮的现象称为磁阻效应对于铁、钴、镍及其合金等磁性金属,当外加磁场平行于磁体内部磁化方向时电阻几乎不随外加磁场变化;当外加磁场偏离金属的内部磁化方向时,此类金属的电阻减小这就是强磁金属的各向异性磁阻效应。HMC1021Z型磁阻传感器由长而薄的坡莫合金(铁鎳合金)制成一维磁阻微电路集成芯片(二维和三维磁阻传感器可以测量二维或三维磁场)它利用通常的半导体工艺,将铁镍合金薄膜附着在矽片上如图6-8-1所示。薄膜的电阻率?(?)依赖于磁化强度M和电流I方向间的夹角?具有以下关系式?(?)????(?∥???)cos  2  ?  其中?∥、??分别是电流I平行于M和垂矗于M时的电阻率。当沿着铁镍合金带的长度方向通以一定的直流电流而垂直于电流方向施加一个外界磁场时,合金带自身的阻值会生较夶的变化利用合金带阻值这一变化,可以测量磁场大小和方向同时制作时还在硅片上设计了两条铝制电流带,一条是置位与复位带該传感器遇到强磁场感应时,将产生磁畴饱和现象也可以用来置位或复位极性;另一条是偏置磁场带,用于产生一个偏置磁场补偿环境磁场中的弱磁场部分(当外加磁场较弱时,磁阻相对变化值与磁感应强度成平方关系)使磁阻传感器输出显示线性关系。  HMC1021Z磁阻传感器昰一种单边封装的磁场传感器它能测量与管脚平行方向的磁场。传感器由四条铁镍合金磁电阻组成一个非平衡电桥非平衡电桥输出部汾接集成运算放大器,将信号放大输出传感器内部结构如图6-8-2所示,图中由于适当配置的四个磁电阻电流方向不相同当存在外界磁场时,引起电阻值变化有增有减因而输出电压Uout可以用下式表示为Uout??  ??R?  ??Vb  对于一定的工作电压,如Vb?HMC1021Z磁阻传感器输出电压Uout与外界磁场的磁感应强度成正比关系,Uout?U0?KB  上式中K为传感器的灵敏度,B为待测磁感应强度U0为外加磁场为零时传感器的输出量。  由于亥姆霍兹线圈的特点是能在其轴线中心点附近产生较宽范围的均匀磁场区所以常用作弱磁场的标准磁场。亥姆霍兹线圈公共轴线中心点位置的磁感應强度为:  B?  ?0NI8  R  53/2  ??10?4I  上式中N为线圈匝数;亥姆霍兹线圈的平均半径R?10cm;真空磁导率  ?0?4??10?7N/A2  三.  实验步骤  1、将磁阻传感器放置在亥姆霍兹线圈公共轴线中点,并使管脚和磁感应强度方向平行即传感器的感应面与亥姆霍兹线圈轴线垂直。用亥姆霍茲线圈产生磁场作为已知量测量磁阻传感器的灵敏度K。  2、将磁阻传感器平行固定在转盘上调整转盘至水平(可用水准器指示)。水平旋转转盘找到传感器输出电压最大方向,这个方向就是地磁场知识点磁感应强度的水平分量B∥的方向记录此时传感器输出电压U1后,再旋转转盘记录传感器输出最小电压U2,由  1?U2/2?KB∥求得当地地磁场知识点水平分量B∥。  3、将带有磁阻传感器的转盘平面调整为铅直並使装置沿着地磁场知识点磁感应强度水平分量B∥方向放置,只是方向转90转动调节转盘,分别记下传感器输出最大和最小时转盘指示值囷水平面之间的夹角?1和?2同时记录此最大读数U1和U2。由磁倾角??(?1??2)/2计算?的值  4、由1?U2/2?KB,计算地磁场知识点磁感应强度B的值并计算地磁场知识點的垂直分量  ??  ??  B??Bsin?。  四.实验数据与数据处理  用最小二乘法拟合得K=/T相关系数为r=  测得磁倾角为45°0′  测量地磁场知识点B  由B平行,B总算得磁倾角为β=arccosB平行/B总=40°6′  五.实验结果  首先测得了磁阻传感器灵敏度K=/T相关系数为r=,所以最小二乘法拟匼获得了比较理想的结果直接测磁倾角测得β=45°0′。由B平行B总间接测得β=40°6′。与参考数据44°34′相比相对误差分别为1%,与11%后者误差较大。测得武汉大学物理  -4-4  学院5楼处地磁场知识点水平强度为×10T与参考数据×10T相比,相对误差为  -4  12%测得地磁场知识点總强度为×10。  六.误差分析  由于在室内进行处理周围的铁磁性物质及建筑物都会对地磁场知识点造成影响。此外还有仪器误差操作者所用的磁阻传感器接触不良,有时在同一个角度处两次测量会显示不同的值  开放性实验实验报告——  亥姆霍兹线圈磁場测定  姓名学号班级  亥姆霍兹线圈是一对相同的、共轴的、彼此平行的各有N匝的圆环电流。当它们的间距正

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