ir2110和ir2113哪个好高端控制有输入但是无输出,重新刷新后可正常输出为什么

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2020-05-26 07:54 标签： ir2110

    随着阻容值不断的高涨其他的え件器材一直也是在不断地往上蹭。电源的客户一直吃力的维持着自己的客户我们在高端的商业照明驱动的芯片产品线开拓稳定后，针對高压MOS管IGBT单管驱动开发了600V及200V两个系列的HVIC产品。 

输入通道高电平有效控制低端LO 输出 外围器件少 静态电流小于5uA，非常适合电池场合 封装形式：SOP-16

SLM2110S 与现行市场上各大品牌S 的测度比较：

ir2110和ir2113哪个好 / IR2113是高压高速功率MOSFET和IGBT驱動器，具有独立的高端和低端参考输出通道逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工莋电压高达500或600伏


根据上面参数可知，ir2110和ir2113哪个好驱动的功率开关管最高可以工作在500V电压下IR2113驱动的功率开关管最高可以工作在600V电压下。


该器件专门用于驱动类似于半桥结构的自举驱动；驱动输出电压范围为10-20V可以应用于大多数IGBT和MOSFET驱动。具备低压锁存功能；宽供电范围（3.3V-20V）；輸入输出同相位


图2-2 输入输出时序图


如图所示当SD为高电平时，无论输入HIN(LIN)的电平如何变化输出HO(LO)均为低电平，所以在具体使用的时候可以通過控制SD引脚来实现封波控制当SD为高电平时，输入HIN(LIN)和输出HO(LO)同向变化


     该波形图反应了ir2110和ir2113哪个好开关时候输入与输出电平变化的延迟。ton为开通传播演示定义为输入电平上升到50%到输出变化到10%之间的传播时间；tr为开通上升时间，定义为输出从10%上升到90%所使用的时间；toff为关断传播时間tf为关断延迟时间。


ton与温度的变化关系

ton与VDD供电电压的关系

封波传输延迟时间tsd定义为SD信号的50%到输出信号的90%之间的时间tsd与温度，VDDVCC/VBS之间的關系如图2-9所示。

延迟匹配波形MT为LO和HO同时由低变高10%处对应的时间延迟或者由高到低90%处对应的时间延迟

图2-10 延迟匹配波形

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  •  高端悬浮自举电源设计耐压可达600V
  •  内建死区控制电路
  •  自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通
  •  HIN 输入通道高电平有效控制高端HO 输出
  •  LIN 输入通道高电平有效，控制低端LO 输出
  •  静态电流小于5uA非常适合电池場合
  1. EG2113 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路专用于无刷电机控制器中的驱动电路。
  2. EG2113 高端的工作电压可达600V低端Vcc 的电源电压范围宽2.8V～20V，静态功耗小于5uA该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN 和LIN 内建了一个200K 下拉电阻在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态,输出电流能力IO+/- 2A/2A，采用SOP16

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