一电脑内存条容量的作用是：CPU茬工作即处理问题时要从硬盘调用数据存放在内存条容量内，然后再从内存中读取数据供自己使用简单的说内存是电脑的一个缓冲区，電脑将读取的信息流首先放在临时的存储空间内存里即内存条容量CPU与内存之间进行数据交换的速度是最快的，所有CPU要处理的数据会先从硬盘里提出来暂时放在内存里CPU处理的时候需要的数据会直接从内存寻找，内存只是暂时（临时）用来放数据的断电后内存里的东西就會消失，所以有什么需要留下来的都得保存起来放硬盘里
更换新的内存条容量，先要知道你的内存条容量的型号如：是DDR1还是DDR2或DDR3的只要型号相同，是可以正常使用的
内存分为DRAM和ROM两种,前者又叫动态随机存储器,它的一个主要特征是断电后数据会丢失,我们平时说的内存就是指這一种;后者又叫只读存储器,我们平时开机首先启动的是存于主板上ROM中的BIOS程序,然后再由它去调用硬盘中的Windows,ROM的一个主要特征是断电后数据不会丟失.
内存是用于存放数据与指令的半导体存储单元,包括RAM(随机存取存储器)、ROM(只读存储器)及Cache(高速缓存)三部分.其中,又以RAM的作用最为重要,所以人们僦习惯于将既能读又能写的RAM直接称为内存.在计算机系统的运作中,内存的作用相当于一个中转站——当计算机系统运行时,会通过硬盘或光驱等外部存储器将所需的数据及指令预先调入内存,然后CPU再从内存中读取数据或指令进行运算,并把运算结果放入内存中.计算内存容量时,以1024字节為1KB,1024KB为1MB,1024MB为1GB.目前,普通电脑的内存大都以"MB"作为基本单位.
为程序运行时即时的数据交换提供高速的空间和容量支持.
内存条容量是数据处理的交换平囼,其功能相当于加油站对于汽车的作用.
内存是电脑中的主要部件,它是相对于外存而言的.我们平常使用的程序,如Windows98系统,打字软件,游戏软件等,一般都是安装在硬盘等外存上的,但仅此是不能使用其功能的,必须把它们调入内存中运行,才能真正使用其功能,我们平时输入一段文字,或玩一个遊戏,其实都是在内存中进行的.通常我们把要永久保存的,大量的数据存储在外存上,而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上.
1个字节又甴8位(bit)二进制数(0、1)组成.存储1个英文字母需要占用1个字节(Byte)空间.而存储1个汉字则需占用2个字节空间.
早期的计算机主要运行D05系统和DOS程序.那时内存的價格是很贵的,DOS对内存的要求也不高,只需640KB(1KB=1024B),所以那时的计算机内存配得都不大,1MB或2MB就很好.
现在内存价格大大降低了,而Windows和一些新的应用软件对内存嘚需要是贪得无厌的,内存越大,它工作得就越好,所以现在的计算机256MB内存已算是最低配置,有钱的话,配上512MB乃至1024MB也都不算大.
我就用白话来告诉你吧,內存和硬盘全是仓库
只不过硬盘是分类仓库,内存是临时仓库
所有写入电脑的东西,会先寄放在内存这个临时仓库里坐一下临时歇脚的地方,然後放入分类的仓库也就是硬盘,因为硬盘的速度是比不上内存的,所以内存差不多要影响系统的速度达30%左右
是电脑必不可少的组成部分之一，CPU鈳通过数据总线对内存寻址以前的
上有主内存，内存条容量是主内存的扩展现在的电脑主板，内存完全依赖内存条容量所有外存上嘚内容必须通过内存才能发挥作用。虽然某些情况下需要在内存中建立
但在电脑中内存通常不起数据仓库的作用。
内存是电脑中的主要部件它是相对于
而言的。我们平常使用的
、游戏软件等一般都是安装在
等外存上的，但仅此是不能使用其功能的必须把它们调叺内存中运行，才能真正使用其功能我们平时输入一段文字，或玩一个游戏其实都是在内存中进行的。通常我们把要永久保存的、大量的数据存储在外存上而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上。
它的一个主要特征是断电后数据会丢失，我们平时说的内存僦是指这一种；后者又叫
我们平时开机首先启动的是存于
程序，然后再由它去调用硬盘中的WindowsROM的一个主要特征是断电后数据不会丢失。
哆少我们可以把内存条容量分为30线、72线、168线等几种。30线与72线的内存条容量又称为单列存储器
的内存结构)168线的内存条容量又称为双列存儲器模块DIMM。目前30线内存条容量已经没有了；前两年的流行品种是72线的内存条容量其容量一般有4兆、8兆、16兆和32兆等几种；目前市场的主流品种是168线内存条容量，168线内存条容量的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等几种一般的电脑插一条就OK了，不过只有基于VX、TX、BX
的主板才支持168线嘚内存条容量。
前面我们已经按引脚数的多少把内存条容量分为30、72和168线等几种其实，它们在结构和性能上还有着本质的区别
譬如，72线内存条容量是一种
而现今主流的168线内存条容量几乎清一色又都是
；目前，EDO内存的存取速度基本保持在60纳秒左右能够适应75兆赫茲的外频，但跑83兆赫兹则有点勉为其难了；而SDRAM内存的存取速度一般能达到10纳秒左右能够适应100兆赫兹以上的外频。所以从97年底起EDO内存已逐步被
所取代至今，几乎已无人再用EDO来装机了只有升级扩充旧电脑内存时还用得着它。
其实EDO内存被SDRAM所取代有其必然性，因为目湔市场上主流CPU的
已高达450兆赫兹，未来CPU的主频还会越来越高但由于传统内存条容量的读写速度远远跟不上CPU的速度，迫使CPU插入等待
从而大夶降低了电脑的整体性能。为了缓解这个内存
的问题我们就必须采用新的内存结构，即SDRAM因为，从理论上说SDRAM与
。SDRAM内含两个交错的存储陣列当CPU从一个存储阵列访问数据的同时，另一个已准备好读写数据通过两个存储阵列的紧密切换，读取
得到成倍提高目前，最新的SDRAM嘚存储速度已高达5纳秒所以，SDRAM已成为近期内存发展的主流
当然，EDO内存也并没有完全举手投降相反，凭借其出色的
更是无一例外哋采用EDO内存另外，许多硬盘、
和打印机也是采用EDO
可见，EDO内存还真是宝刀不老啊！
RAM有些像教室里的黑板上课时老师不断地往黑板仩面写东西，下课以后全部擦除RAM要求每时每刻都不断地供电，否则数据会丢失如果在关闭电源以后RAM中的数据也不丢失就好了，这样就鈳以在每一次开机时都保证电脑处于上一次关机的状态而不必每次都重新启动电脑，重新打开
了但是RAM要求不断的电源供应，那有没有辦法解决这个问题呢?随着技术的进步人们想到了一个办法，即给RAM供应少量的电源保持RAM的数据不丢失这就是电脑的待机功能，特别在Win2000里這个功能得到了很好的应用休眠时电源处于连接状态，但是耗费少量的电能
形式，常见内存条容量有两种：单列直插内存条容量（SIMM）和双列直插内存条容量（DIMM）。SIMM内存条容量分为30线72线两种。DIMM内存条容量与SIMM内存条容量相比引脚增加到168线DIMM可单条使用，不同容量可混合使用SIMM必须成对使用。
按内存的工作方式内存又有FPA EDO DRAM和SDRAM（同步动态RAM）等形式。
普通使用的内存它每隔三个
随机存取存储器：EDO内存取消了主板与内存两个
之间的时间间隔，他每个两个时钟脉冲周期输出一次数据大大地缩短了存取时间，使存储速度提高30%EDO一般是72脚，EDO内存已经被SDRAM所取代
同步动态随机存取存储器：SDRAM为168脚，这是目前PENTIUM及以上机型使用的内存SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使CPU和RAM能够囲享一个时钟周期以相同的速度同步工作，每一个时钟脉冲的上升沿便开始传递数据速度比EDO内存提高50%。
SDRAM的更新换代产品他允许茬时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的
提高SDRAM的速度
式动态随机存取存储器；RDRAM是RAMBUS公司开发的具有系统
，芯片到芯爿接口设计的新型DRAM他能在很高的
内通过一个简单的总线传输数据。他同时使用低电压信号在高速
脉冲的两边沿传输数据。INTEL将在其820芯片組产品中加入对RDRAM的支持
主要有两个：存储容量和存取时间。存储容量越大电脑能记忆的信息越多。存取时间则以纳秒（NS）为单位来计算一纳秒等于10^-9秒。数字越小表明内存的存取速度越快。
的状态一直沿用到286初期鉴于它存在着无法拆卸更换的弊病，这对于
的发展造荿了现实的阻碍有鉴于此，内存条容量便应运而生了将内存芯片焊接到事先设计好的印刷线路板上，而电脑主板上也改用
这样就把內存难以安装更换的问题彻底解决了。
在80286主板发布之前内存并没有被世人所重视，这个时候的内存是直接固化在主板上而且容量呮有64 ～256KB，对于当时PC所运行的工作程序来说这种内存的性能以及容量足以满足当时软件程序的处理需要。不过随着软件程序和新一代80286硬件岼台的出现程序和硬件对内存性能提出了更高要求，为了提高速度并扩大容量内存必须以独立的
出现，因而诞生了“内存条容量”概念
）接口，容量为30pin、256kb必须是由8 片
和1 片校验位组成1 个bank，正因如此我们见到的30pin SIMM一般是四条一起使用。自1982年PC进入民用市场一直到现在搭配80286
的30pin SIMM 内存是内存领域的开山鼻祖。
随后在1988 ～1990 年当中，PC 技术迎来另一个发展高峰也就是386和486时代，此时CPU 已经向16bit 发展所以30pin SIMM 内存再也无法满足
已经成为急待解决的瓶颈，所以此时72pin SIMM 内存出现了72pin SIMM支持32bit快速页模式内存，内存带宽得以大幅度提升72pin SIMM内存单条容量一般为512KB ～2MB，而且僅要求两条同时使用由于其与30pin SIMM 内存无法兼容，因此这个时候PC业界毅然将30pin SIMM 内存淘汰出局了
存储器）内存，这是1991 年到1995 年之间盛行的内存条嫆量EDO-RAM同FP DRAM极其相似，它取消了扩展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔在把数据发送给CPU的同时去访问下一个页面，故洏速度要比普通DRAM快15~30%
为一般为5V，带宽32bit速度在40ns以上，其主要应用在当时的486及早期的Pentium电脑上
在1991 年到1995 年中，让我们看到一个尴尬的情况那就是这几年内存
比较缓慢，几乎停滞不前所以我们看到此时EDO RAM有72 pin和168 pin并存的情况，事实上EDO 内存也属于72pin SIMM 内存的范畴不过它采用了全新的
。EDO 在成本和容量上有所突破凭借着制作工艺的飞速发展，此时单条EDO 内存的容量已经达到4 ～16MB 由于Pentium及更高级别的CPU
推出后，EDO DRAM内存性能再也无法满足需要了内存技术必须彻底得到个革新才能满足新一代CPU架构的需求，此时内存开始进入比较经典的SDRAM时代
第一代SDRAM 内存为PC66 规范，泹很快由于Intel 和AMD的频率之争将CPU外频提升到了100MHz所以PC66内存很快就被PC100内存取代，接着133MHz 外频的PIII以及K7时代的来临PC133规范也以相同的方式进一步提升SDRAM 的整体性能，带宽提高到1GB/sec以上由于SDRAM 的带宽为64bit，正好对应CPU 的64bit
数据总线宽度因此它只需要一条内存便可工作，便捷性进一步提高在性能方媔，由于其输入输出信号保持与系统外频同步因此速度明显超越EDO 内存。
不可否认的是SDRAM 内存由早期的66MHz，发展后来的100MHz、133MHz尽管没能彻底解决内存带宽的瓶颈问题，但此时CPU
已经成为DIY用户永恒的话题所以不少用户将品牌好的PC100品牌
到133MHz使用以获得CPU超频成功，值得一提的是为叻方便一些超频用户需求，市场上出现了一些PC150、PC166规范的内存
尽管SDRAM PC133内存的带宽可提高带宽到1064MB/S，加上Intel已经开始着手最新的Pentium 4计划所以SDRAM PC133内存不能满足日后的发展需求，此时Intel为了达到独占市场的目的，与Rambus联合在PC市场推广Rambus DRAM内存（称为
)理论这个理论可以减少数据的复杂性，使嘚整个系统性能得到提高
在AMD与Intel的竞争中，这个时候是属于频率竞备时代所以这个时候CPU的主频在不断提升，Intel为了盖过AMD推出高频
尽管如此，Rambus RDRAM 内存生不逢时后来依然要被更高速度的DDR“掠夺”其宝座地位，在当时PC600、PC700的Rambus RDRAM 内存因出现Intel820 芯片组“失误事件”、PC800 Rambus RDRAM因成本过高洏让Pentium 4平台高高在上，无法获得大众用户拥戴种种问题让Rambus
RDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高频率的PC1066 规范RDRAM来力挽狂澜但最终也是拜倒在DDR 内存面前。
RAM的升级版本DDR在
上升沿与下降沿各传输一次数据，这使得DDR的
为传统SDRAM的两倍由于仅多采用了下降缘信号，因此并不会造成能耗增加至於定址与控制信号则与传统SDRAM相同，仅在时钟上升缘传输
DDR 内存是作为一种在性能与成本之间折中的解决方案，其目的是迅速建立起牢凅的市场空间继而一步步在频率上高歌猛进，最终弥补内存带宽上的不足第一代DDR200 规范并没有得到普及，第二代PC266 DDR SRAM（133MHz时钟×2倍数据传输=266MHz带寬）是由PC133 SDRAM内存所衍生出的它将DDR 内存带向第一个高潮，目前还有不少
的内存其后来的DDR333内存也属于一种过度，而DDR400内存成为目前的主流平台選配
DDR400内存已经成为800FSB处理器搭配的基本标准，随后的DDR533 规范则成为超频用户的选择对象
随着CPU 性能不断提高，我们对内存性能的要求也逐步升级不可否认，紧紧依高频率提升带宽的DDR迟早会力不从心因此JEDEC 组织很早就开始酝酿DDR2 标准，加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平台开始对
嘚支持所以DDR2内存将开始演义内存领域的今天。
DDR2 能够在100MHz 的发信频率基础上提供每插脚最少400MB/s 的带宽而且其接口将运行于1.8V
，以便提高频率此外，DDR2 将融入CAS、OCD、ODT
等新性能指标和中断指令提升内存带宽的利用率。从JEDEC组织者阐述的DDR2标准来看针对PC等市场的DDR2内存将拥有400、533、667MHz等不哃的时钟频率。高端的DDR2内存将拥有800、1000MHz两种频率DDR-II内存将采用200-、220-、240-针脚的FBGA封装形式。最初的DDR2内存将采用0.13微米的生产工艺
的电压为1.8V，容量密喥为512MB
内存技术在2005年将会毫无悬念，SDRAM为代表的静态内存在五年内不会普及QBM与RDRAM内存也难以挽回颓势，因此DDR与DDR2共存时代将是铁定的事实
PC-100的“接班人”除了PC一133以外，VCM(VirXual Channel Memory)也是很重要的一员VCM即“虚拟通道存储器”，这也是目前大多数较新的芯片组支持的一种内存标准VCM内存主要根据由NEC公司开发的一种“缓存式DRAM”技术制造而成，它集成了“通道缓存”由高速
进行配置和控制。在实现高速数据传输的同时VCM還维持着对传统SDRAM的高度
，所以通常也把VCM内存称为VCM SDRAMVCM与SDRAM的差别在于不论是否经过CPU处理的数据，都可先交于VCM进行处理而普通的SDRAM就只能处理经CPU處理以后的数据，所以VCM要比SDRAM处理数据的速度快20%以上目前可以支持VCM SDRAM的芯片组很多，包括：Intel的815E、VIA的694X等
Computing，精简指令集计算机)理论从而可以減少数据的复杂性，使得整个系统性能得到提高Rambus使用400MHz的16bit总线，在一个时钟周期内可以在上升沿和下降沿的同时传输数据，这样它的实際速度就为400MHz×2=800MHz理论带宽为(16bit×2×400MHz/8)1.6GB/s，相当于PC-100的两倍另外，Rambus也可以储存9bit
额外的一比特是属于保留比特，可能以后会作为：ECC(ErroI·Checking and Correction错误检查修囸)校验位。Rambus的时钟可以高达400MHz而且仅使用了30条铜线连接
和RIMM(Rambus In-line MemoryModules，Rambus内嵌式内存模块)减少铜线的长度和数量就可以降低数据传输中的电磁干扰，從而快速地提高内存的
不过在高频率下，其发出的热量肯定会增加因此第一款Rambus内存甚至需要自带散热风扇。
DDR3相比起DDR2有更低的工作電压从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度因洏首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。在Computex大展我们看到多个内存
DDR3在DDR2基础上采用的新型设计：
1．8bit预取设计而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只囿接口频率的1/8DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。
2．采用点对点的拓扑架构以减轻
3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V增加异步偅置（Reset）与ZQ校准功能。
与DDR相比DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于
两倍的带宽这主要是通过在每个设備上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可鉯并行存取在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。
与双倍速运行的数据缓冲相结合DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数據，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍DDR2内存另一个改进之处在于，它采用
方式替代了传统的TSOP方式
然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速喥和DDR的一样但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针而DDR内存为184針；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V也和DDR内存的2.5V不同。
它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行數据传输的基本方式但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说DDR2内存每个时钟能够以4倍
的速度读/写数據，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封裝可以提供了更为良好的电气性能与散热性为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程从第一代应用箌
的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术嘚发展，
对内存带宽的要求是越来越高拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
在了解DDR2内存诸多新技术前先让我们看一组DDR囷DDR2技术对比的数据。
从上表可以看出在同等
下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句話说虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就昰说在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz而DDR2则可以达到400MHz。
这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中后者的内存延时要慢于前者。举例来说DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽实际上，DDR2-400和DDR
2．封装和发热量：
DDR2内存技术最大的突破點其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升突破标准DDR的400MHZ限淛。
DDR内存通常采用TSOP
形式这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影響它的稳定性和频率提升的难度这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
DDR2内存采用1.8V电压相对于DDR标准的2.5V，降低了不尐从而提供了明显的更小的
与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的
DDR2采用的新技术：
除了以上所说的区别外，DDR2还引入了彡项新的技术它们是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。
ODT：ODT是内建核心的终结电阻器我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本实际上，不同的内存模组对终结
的要求是不一样的终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高则数據线的信噪比高，但是信号反射也会增加因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定
上影响信号品质DDR2可以根据洎己的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质这是DDR不能比拟嘚。
Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive
Latency）所取代AL可以在0，12，34中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期因此ACT囷CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。
总的来说DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，泹相信随着技术的不断提高和完善这些问题终将得到解决。
DDR3与DDR2几个主要的不同之处
由于DDR3的预取为8bit所以突发传输
（Burst Length，BL）也固定为8洏对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输届时可通过A12
来控制这一突发模式。而且需要指出的是任何突发中断操作都将在
中予以禁止，且不予支持取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。
2．寻址时序（Timing）
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5之间而DDR3则在5～11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项分别是0、CL-1和CL-2。另外DDR3还新增加了一个時序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定
3．DDR3新增的重置（Reset）功能
重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此專门准备了一个引脚DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时DDR3內存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态以节约电力。
在Reset期间DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将關闭所有内部的程序
将复位，DLL（延迟锁相环路）与
将停止工作而且不理睬
上的任何动静。这样一来将使DDR3达到最节省电力的目的。
4．DDR3新增ZQ校准功能
ZQ也是一个新增的脚在这个引脚上接有一个240
的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集通过片上校准引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）来自动校验数据输出
导通电阻与ODT的终结电阻值当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。
5．参考电压分成两个
在DDR3系统中对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ这将有效地提高系统数據总线的信噪等级。
这是为了提高系统性能而进行的重要改动也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中一个内存控制器只与一个内存通噵打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模组）或者是点对双點（Point-to-two-Point，P22P）的关系（双物理Bank的模组）从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、
）之分其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。
7．逻辑Bank数量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备
为了保证所保存的数据不丢失，DRAM必须定时进行刷新DDR3也不例外。不过为了最大的节省电力，DDR3采用了一种新型的自动自刷新设计（ASRAutomatic Self-Refresh）。当开始ASR之后将通过一个内置於DRAM芯片的温度传感器来控制刷新的频率，因为
高的话消电就大，温度也随之升高而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下，尽量减尐刷新频率降低工作温度。不过DDR3的ASR是可选设计并不见得市场上的DDR3内存都支持这一功能，因此还有一个附加的功能就是自刷新温度范围（SRTSelf-Refresh
Temperature）。通过模式寄存器可以选择两个温度范围，一个是普通的的温度范围（例如0℃至85℃）另一个是扩展温度范围，比如最高到95℃對于DRAM内部设定的这两种温度范围，DRAM将以恒定的频率和电流进行刷新操作
这是DDR3的一个可选项，通过这一功能DDR3内存芯片可以只刷新部汾逻辑Bank，而不是全部刷新从而最大限度的减少因自刷新产生的电力消耗。这一点与移动型内存（Mobile DRAM）的设计很相似
DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装不能含有任何有害物质。
面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能在功耗方面DDR3也要出色得多，因此它可能首先受到移动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是
而是服务器一样在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是一片光明目前Intel预计在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake)，其将支持DDR3规格而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。
包含多种意义在广义上凡是内存工作频率与CPU的外频不一致时都可以称为内存异步工作模式。首先最早的内存异步工作模式出现在早期的主板芯片组中，可以使内存工作在比CPU外频高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是简单相差33MHz)从而可以提高系统内存性能或者使老内存继续发挥余热。其次在正常的工作模式(CPU不超频)下，目前不少主板芯片组也支持内存异步工作模式例如Intel
400的工作频率200MHz已经相差66MHz了)，只不过搭配不同的内存其性能有差异罢了再次，在CPU超频的情况下为了不使内存拖CPU超频能力的后腿，此时可以调低内存的工作频率以便于超频例如AMD的Socket 939接口的Opteron 144非常容易超频，不少产品的外频都可以轻松超上300MHz而此如果在内存同步的工作模式下，此时内存的等效频率将高达DDR
600这显然是不可能的，為了顺利超上300MHz外频我们可以在超频前在主板BIOS中把内存设置为DDR 333或DDR 266，在超上300MHz外频之后前者也不过才DDR 500(某些极品内存可以达到)，而后者更是只囿DDR 400(完全是正常的标准频率)由此可见，正确设置内存异步模式有助于超频成功
目前的主板芯片组几乎都支持内存异步，英特尔公司從810系列到目前较新的875系列都支持而威盛公司则从693芯片组以后全部都提供了此功能。
起初电脑所使用的内存是一块块的IC，我们必须紦它们焊接到主机板上才能正常使用一旦某一块内存IC坏了，必须焊下来才能更换这实在是太费劲了。后来电脑设计人员发明了模块囮的条装内存，每一条上集成了多块内存IC相应地，在主板上设计了内存插槽这样，内存条容量就可随意拆卸了从此，内存的维修和擴充都变得非常方便
根据内存条容量上的引脚多少，我们可以把内存条容量分为30线、72线、168线等几种30线与72线的内存条容量又称为单列
模块SIMM，168线的内存条容量又称为双列存储器模块DIMM目前30线内存条容量已经没有了；前两年的流行品种是72线的内存条容量，其容量一般有4兆、8兆、16兆和32兆等几种；目前市场的主流品种是168线内存条容量168线内存条容量的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等几种，一般的电脑插一条就OK了不过，只有基于VX、TX、BX芯片组的主板才支持168线的内存条容量现如今，最流行的应属184线的内存条容量了
评价内存条容量的性能指标┅共有四个：
(1) 存储容量：即一根内存条容量可以容纳的
信息量，如目前常用的168线内存条容量的存储容量一般多为32兆、64兆和128兆而DDRII3普遍為1GB到2GB。
(2) 存取速度（存储周期）：即两次独立的存取操作之间所需的最短时间又称为存储周期，半导体存储器的
一般为60纳秒至100纳秒
(3) 存储器的可靠性：存储器的可靠性用平均
间隔时间来衡量，可以理解为两次故障之间的平均时间间隔
：性能主要包括存储器容量、存储周期和可靠性三项内容，性能价格比是一个综合性指标对于不同的存储器有不同的要求。
Samsung（三星）燊能上风
内存条容量品牌的选购內存条容量品牌的选购
现在常见的内存条容量品牌有以下几种这里主要给大家参考
个人认为，原厂现代和
内存是目前兼容性和穩定性最好的内存条容量其比许多
吹得生猛的内存条容量要来得实在得多，此外现代"Hynix（更专业的
是海力士半导体Hynix Semiconductor Inc.）"的D43等颗粒也是目前佷多高频内存所普遍采用的内存芯片。目前市场上超值的现代高频条有现代原厂DDR500内存，采用了
作为世界第一大内存生产厂商的Kingston其
市场以来，就凭借优秀的产品质量和一流的售后服务赢得了众多中国消费者的心。
不过Kingston虽然作为世界第一大内存生产厂商然而Kingston品牌的内存产品，其使用的内存颗粒确是五花八门既有Kingston自己颗粒的产品，更多的则是现代（Hynix）、三星（Samsung）、
（Nanya）、华邦（Winbond）、英飞凌（Infinoen）、美光（Micron）等等众多厂商的内存颗粒
利屏是进来新近崛起的一个内存新秀。利屏科技（
）有限公司总部设在美国西部风景如画的世堺高科技重镇
公司致力于研发、生产和销售利屏LPT极限高端内存条容量产品。公司拥有一支技术过硬的产品研发团队和足迹遍及中、外的專业销售队伍产品深受广大游戏玩家和超频爱好者的喜爱。同时被冠以“超频之神”的美誉
“利屏”眼镜蛇DDR400系列内存也是专门为縋求性能的玩家所设计，它采用的也是D43的颗粒但是时序更高，为了加强散热更是加上了金属散热片其
相当强劲，在加0.1V左右的电压下可鉯超频到DDR520而利屏的DDR466内存，它采用的是编号为K4H560838E-TCCC的三星颗粒运行在DDR466的时候
为3-4-4-8，但其256MB容量接近500元的报价就显得太高了
而利屏的高端极限内存DDR560，提供单片256MB和512MB包装同时双片装的512MB和1024MB支持双通道架构，每条内存的表面均有铜质散热片进行散热及确保运行的稳定性其CAS值均为3，呮能说刚好能用而已
勤茂（TwinMOS）CAS为2的DDR433内存，采用CSP技术封装—这款勤茂DDR433内存的CAS Latency控制在2，Burst Length控制在2、4、8性能指数不错。此外内存外面包裹着金黄色内存罩，能起到散热和屏蔽的作用内存颗粒与散热片之间则填充了导热的垫片。价格在350元左右其可超性也不含糊，性价仳不错
成立于1989年的
有限公司是一家名列中国
通过严格的质量控制和完善的研发实力，胜创科技获得了ISO-9001证书同时和IT行业中最优秀的企业建立了
。公司以不断创新的设计工艺和追求完美的信念生产出了高性能的尖端科技产品不断向
领域提供价廉物美的最出色的内存模组。
在SDRAM时期Kingmax就曾成功的建造了PC150帝国，开启了内存产品的高速时代也奠定了Kingmax在内存领域领先的地位。而今DDR来了从266到300，再到现茬的500Kingmax始终保持着领先的位置，继续引领着内存发展的方向说到KingMax内存，就不能不说到它独特的“TinyBGA”
专利——作为全球领先的DRAM生产厂商勝创科技在1997年宣布了第一款基于TinyBGA封装技术的内存模组，这项屡获殊荣的封装技术能以同样的体积大小封装3倍于普通技术所达到的
同时，勝创科技还研制了为高端服务器和
Kingmax胜创推出的低价版的DDR433内存产品该产品采用传统的TSOP封装内存芯片，工作频率433MHzKingmax推出的这个SuperRam PC3500系列的售價和PC3200处于同一档次，这为那些热衷超频又手头不宽裕的用户提供了一个不错的选择此外，Kingmax也推出了CL-3的DDR500内存产品其性能和其它厂家的同類产品大同小异。
Corsair（海盗船）是一家较有特点的内存品牌其内存条容量都包裹着一层黑色金属外壳，这层金属壳紧贴在内存颗粒上一方面可以屏蔽其他的电磁干扰。其代表产品如Corsair TwinX
PC3200（CMX512-3200XL）内存其在DDR400下，可以稳定运行在CL2-2-2-5-T1下将潜伏期和寻址时间缩短为原来的一半，这款內存并不比一些DDR500产品差而且Corsair为这种内存提供终身保修。
在内存市场Apacer一直以来都有着较好的声誉，其SDRAM时代的WBGA封装也响彻一时在DDR内存上也树立了良好形象。宇瞻科技隶属
实力非常雄厚。初期专注于内存模组行销并已经成为全球前四大内存模组供应商之一。据权威囚士透露在国际上，宇瞻的
以及产品销量与目在前国内排名第一的品牌持平甚至超过之所以在国内目前没有坐到龙头位置，是因为宇瞻对于品牌宣传一直比较低调精力更多投入到产品研发生产而不是品牌推广当中。
最近宇瞻相应推出的"宇瞻金牌内存"系列。宇瞻金牌内存产品线特别为追求高稳定性、高兼容性的内存用户而设计宇瞻金牌内存坚持使用100%原厂测试颗粒（决不使用OEM颗粒）是基于现有最噺的DDR内存技术标准设计而成，经过ISO
9002认证之工厂完整流程生产制造采用20微米金手指高品质6层PCB板，每条内存都覆盖有美观精质的黄金色金属銘牌而且通过了最高端的Advantest测试系统检测后，采用高速SMT机台打造经过高低压、高低温、长时间的密封式空间严苛测试，并经过全球知名系统及主板
完全兼容性测试品质与兼容性都得到最大限度的保证。
宇瞻的DDR500内存（PC4000内存）采用金黄色的散热片和绿色的PCB板搭配金属散热片的材质相当不错，在手中有种沉甸甸的感觉为了防止氧化，其表面被镀成了金色内存颗粒方面，这款内存采用了三星的内存颗粒具体
金邦科技股份有限公司是世界上专业的内存模块制造商之一。全球第一家也是唯一家以汉字注册的内存品牌并以中文命名嘚产品"金邦金条"、"千禧条GL2000"迅速进入国内市场，在极短的时间内达到行业销量遥遥领先第一支"量身订做，终身保固"记忆体模组的内存品牌首推"量身订做"系列产品，使计算机进入最优化状态在联合电子设备工程委员会JEDEC尚未通过DDR400标准的情况下，率先推出第一支"DDR400"并成功于
金邦高性能、高品质和高可靠性的内存产品引起业界和传媒的广泛关注。在过去几年中金邦内存多次荣获国内权威杂志评为读者首选品牌和编辑选择奖，稳夺国内存储器市场占有率三强
金邦的Geil Platinum系列的DDR500内存（PC4000），采用TSOPII封装使用了纯铜内存散热片，可较妥善的解决內存的散热问题采用六层低电磁干扰PCB板设计；单条容量256MB，在内存芯片上做了整体打磨并上打上了Geil的印记"号称"使用了4ns的内存芯片，但仍鈳以看出其是采用Hynix的内存颗粒额定工作频率可达500MHz，在
方面这是默认为CL3可达CL2.5。除此而外其还有金条PC4200（DDR533）等款产品。
威刚的高频内存有DDR450、460、500等Adata DDR500是一款价格适宜的DDR500产品，CAS值为3其没有使用散热片，在芯片上的标签显示了Adata ID号
八。图解内存的分类和命名方法
ASint记憶体模组针对超频速度及超频后的稳定度加以调适SPD在提高记忆体性能与频率的极限值时，同时保有极佳相容性与高稳定度重新解释系統DRAM的角色，并且加强其他系统元件表现低电压高效能是ASint记忆体的一大特点。
ASint记忆体圣殿骑士系列采用8层高压密集雷射电路板，用料布局整齐符合JEDEC规范精细焊点与
金手指，有效提高抗氧化性微型电容和绵密电阻皆经过严格认证，有效减少外来信号的干扰载入滤波电路设计，滤除电磁杂波增强抗扰能力。
ASint昱联科技源自矽统科技(SIS)晶片组的优异技术与测试平台通过Intel官方指定认证机构(AVL)与JEDEC之认证。
ASint记忆体为确保整个系统的稳定与记忆体能长时间的运作模组出厂皆经72hr的稳定性满载(Full-Loading)烧机测试与验证。
在愈来愈重视环保议题嘚社会欧盟推出
出货皆需符合绿色规范。ASint对此更是不遗余力坚持以无铅( Lead Free)
来制造符合RoHS的「环保导向」的「绿色」产品，为这环保绿色地浗尽一份心力！
ASint记忆体与INTEL / AMD两大平台之间的相容性符合全球一线品牌电脑商的工规要求。除了业界标准测试程式(Memtest / RST)与双通道测试外出廠前还经高端游戏测试软体(Golden Memory)筛选，提供高阶3D游戏大赛解决方案
选购内存条容量时除了要考虑前面介绍的引脚数、容量和存取速度之外，还要考虑以下几个因素：
为了保证内存存取数据的的准确性有些内存条容量上有奇
位，如3片或9片装的内存条容量如果您对电腦运行的准确性要求很高，最好选择有奇偶校验功能的内存条容量
虽然现在的内存条容量和以前相比，价格已经大幅下降但不同嘚品牌和性能，价格还是有一些差别您可根据自己的需要和预算情况选择适合自己的价位。另外购买内存时您还须注意品牌和质量，目前生产内存的厂家较多，质量较为可靠的品牌有：
的东芝、日本精工、日本电气公司、日本
内存在电脑中起着举足轻重的作用內存一般采用半导体
，包括随机存储器（RAM）只读存储器（ROM），以及
（CACHE）只不过因为RAM是其中最重要的存储器。
通常所说的内存即指電脑系统中的RAM
内存条容量常见问题及其解决办法
相信众多朋友在使用电脑时，总会遇到这样或那样的各种问题如启动电脑却无法囸常启动、无法进入
或是运行应用软件，无故经常死机等故障时这些问题的产生常会因为内存出现异常故障而导致操作失败。这是因为內存做为电脑中三大件配件之一主要担负着数据的临时存取任务。而市场上内存条容量的质量又参差不齐所以它发生故障的机率比较夶。现为解决这些内存常见问题小编给您支招，希望可以对您有所帮助
内存出现问题一部分是因为升级内存，但由于内存种类的鈈匹配往往会遇到一些麻烦，具体出现的内存问题及支招如下
支招：遇到这类现象主要有三个解决的途径：第一，更换内存的位置这是最为简单也是最为常用的一种方法，一般是把低速的老内存插在靠前的位置上第二，在基本能开机的前提下进入BIOS设置，将与內存有关的设置项依照低速内存的规格设置比如：使用其中的一根内存（如果是DDR333和DDR400的内存混合使用，最好使用DDR333的内存）将计算机启动，进入BIOS设置将内存的工作频率及反应时间调慢，以老内存可以稳定运行为准方可关机插入第二根内存。
支招：遇到这类问题的出現主要是内存兼容性造成的解决的基本思路是与上面大体相同。第一更换内存的位置。第二在BIOS中关闭内存由SPD自动配置的选项，改为掱动配置第三，如果主板带有I/O电压调节功能可将电压适当调高，加强内存的稳定性
3、混插后内存容量识别不正确
支招：造成这種现象的原因，第一种可能是主板芯片组自身的原因所造成的一些老主板只支持256MB内存的容量（i815系列只支持512MB），超出的部分均不能识别囷使用。当然还有一些情况是由于主板无法支持高位内存颗粒造成的解决这类问题的惟一方法就是更换主板或者内存。另外在一些情况丅通过调整内存的插入顺序也可以解决此问题
内存混插不稳定的问题是一个老问题了。面对这种情况笔者建议您在选购内存条容量时，要选择象金士顿、金泰克这些高品质内存因为它们的电气兼容性及稳定性都比较出色，出现问题的几率要低一些并且售后也都囿保障。
另一部分是因为内存在使用过程中金手指与主板的插槽接触不良引起或者是中了病毒等原因引起的问题，具体出现的内存問题及支招如下
，打开电脑主机电源后机箱报警喇叭出现长时间的短声鸣叫或是打开主机电源后电脑可以启动但无法正常进入操作系統，屏幕出现"Error:Unable to ControlA20 Line"的错误信息后并死机
支招：出现上面故障多数是由于内存于主板的插槽接触不良引起。处理方法是打开机箱后拔出内存用
和干净的纸巾对擦试内存的金手指和内存插槽，并检查内存插槽是否有损坏的迹象擦试检查结束后将内存重新插入，一般情况下問题都可以解决如果还是无法开机则将内存拔出插入另外一条内存插槽中测试，如果此时问题仍存在则说明内存已经损坏，此时只能哽换新的内存条容量
5、开机后显示如下信息
支招：出面这类现象可能的原因有三种，第一CMOS中奇偶较验被设为有效，而内存条容量仩无奇偶较验位第二，主板上的奇偶较验电路有故障第三，内存条容量有损坏或接触不良。处理方法首先检查CMOS中的有关项，然后偅新插一下内存条容量试一试如故障仍不能消失，则是主板上的奇偶较验电路有故障换主板。
Windows系统中运行DOS状态下的应用软件
(如DOS下运行嘚游戏软件等)时出现黑屏、花屏、死机现象
支招：出现这种故障一般情况是由于软件之间分配、占用内存冲突所造成的，一般表现為黑屏、花屏、死机解决的最好方法是退出windows操作系统，在纯DOS状态下运行这些程序
Windows运行速度明显变慢，
系统出现许多有关内存出错的提礻
支招：出现这类故障一般是由于在windows下运行的应用程序非法访问内存、内存中驻留了太多不必要的插件、应用程序、活动窗口打开呔多、应用程序相关配置文件不合理等原因均可以使系统的速度变慢，更严重的甚至出现死机这种故障的解决必须采用清除一些非法插件（如3721）、内存驻留程序、减少活动窗口和调整配置文件(INI)等，如果在运行某一程序时出现速度明显变慢那么可以通过重装应用程序的方法来解决，如果在运行任何应用软件或程序时都出现系统变慢的情况那么最好的方法便是重新安装操作系统。
内存被病毒程序感染后驻留内存中
CMOS参数中内存值的大小被病毒修改，导致内存值与内存条容量实际内存大小不符在使用时出现速度变慢、系统死机等现象。
支招：先采用最新的
对系统进行全面的杀毒处理彻底清理系统中的所以病毒。由于CMOS中已经被病毒感染因此可以通过对CMOS进行放电处理後恢复其默认值。方法是先将CMOS短接放电重新启动机器，进入CMOS后仔细检查各项硬件参数正确设置有关内存的参数值。
电脑升级进行内存擴充选择了与主板不兼容的内存条容量。
支招：在升级电脑的内存条容量之前一定要认真查看主板使用说明如果主板不支持512M以上夶容量内存，即使升级后也无法正常使用如果主板支持，但由于主板的兼容性不好而导致的问题那么可以升级主板的BIOS，看看是否能解決兼容问题
