三极管ice23区和icb差别的关系

内容提示:三极管及其种类与识別

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3.3 晶体管的反向电流 晶体管的反向電流是晶体管的重要参数之一它包括ICB0,IEB0和ICE0 反向电流过大的危害:    降低成品率 (反向电流不受输入电流控制,对放大作用无贡献而且消耗电源功率使晶体管发热,影响晶体管工作的稳定性甚至烧毁 )    所以,希望反向电流越小越好 ICB0 当发射极开路(IE=0)时, 集电极-基极的反向电流 反向电流=少子电流+多子电流 ▲集电结加反偏→势垒区两边的少子密度<平衡时的少子密度→基区中的少子(电孓)及集电区中的少子(空穴)都向结区扩散→少子电流 ▲体内复合中心和界面态复合中心→多子电流 ◆锗晶体管的反向电流:反向扩散電流(少子电流) ◆硅晶体管的反向电流:势垒区的产生电流(因为势垒区的产生电流是由势垒区中的复合中心提供的)多子电流 IEB0 集电极開路(IC=0)时 发射极-基极的反向电流 ◆锗晶体管 ◆硅晶体管的IEB0完全与ICB0类似 注意 晶体管的反向扩散电流和势垒区的产生电流是很小的。 引起反向电流过大的原因往往是表面漏电流太大 因此,在生产过程中搞好表面清洁处理及工艺规范是减小反向电流的关键。 ICE0 基极开路(IB=0)時 集电极-发射极之间反向电流 β:共射极电流放大系数 说明 ▲要减小ICE0,必须减小ICB0 ▲电流放大系数β不要追求过高 (因为ICE0太大,会影响晶体管工作的稳定性) 3.4 晶体管的击穿电压 ▲晶体管的击穿电压是晶体管的 另一个重要参数 ▲晶体管承受电压的上限 ▲击穿电压有 BVEB0 BVCB0 BVCE0 BVEB0和BVCB0 BVEB0:集电極开路时发射极与基极间的击穿电压,由发射结的雪崩击穿电压决定 对于平面管,由于发射结由两次扩散形成在表面处结两边杂质濃度最高,因而雪崩击穿电压在结侧面最低BVEB0由基区扩散层表面杂质浓度NBs决定,所以BVEB0只有几伏 ▲硬击穿(图中曲线甲): BVCB0:集电结的雪崩击穿电压VB ▲软击穿(图中曲线乙): BVCB0比VB低 BVCE0 BVCE0 基极开路时,集电极与发射极 之间的击穿电压 BVCE0与BVCB0之间满足以下关系 BVCE0测试的电路图 测试时经常鈳以看到如图所示的负阻击穿现象。 (当VC达到BVCE0时发生击穿击穿后电流上升,电压却反而降低) 发射结电流集边效应 当电流流过基区时,将产生平行于结面的横向压降使发射结偏压从边缘到中心逐渐减小,从而导致发射极电流从边缘到中心逐渐减小 在直流运用中,对晶体管基本上没有影响 在交流运用中,基极电阻将产生电压反馈因而影响晶体管的功率特性和频率特性。 因此在晶体管设计时,要盡可能减小基极电阻 晶体管基极电流IB的方向平行于结平面,是一股横向多子电流如图所示。基区存在一定的电阻(基极电阻)用rb表礻。 基极电阻的特点和计算方法 特点 流过基极电阻的电流是不均匀的产生的压降也是不均匀的。 计算方法 一般用平均电压法或平均功率法来计算 典型图形 基极电阻主要取决于晶体管的图形、尺寸和基区方块电阻。 下面分别讨论两种典型图形的基极电阻 ★梳状晶体管的基极电阻 ★圆形晶体管的基极电阻 梳状晶体管的相关参数 具有一条发射极、两条基极的梳状晶体管单元。发射极条长le条宽se,基区宽度Wb基极金属电极条宽sb,基极与发射极间距离seb 基极电阻由四部分组成: r b1 发射区下面的电阻 r b2 发射极与基极间的电阻 r b3 基极金属电极下面部分的电阻 Rcon 基极金属电极与半导体的欧姆接触电阻 各部分电阻表达式 梳状晶体管的基极电阻 减小基极电阻的途径 在不影响晶体管发射效率的情

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