放电等离子烧结优缺点缺点?

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放电等离子体烧结又称等离子活化烧结或等离子辅助烧结,是近年来发展起来的一种新型的快速烧结技术。放电等离孓烧结优缺点技术融等离子活化、热压、电阻加热为一体,具有升温速度快、烧结时间短、冷却迅速、外加压力和烧结气氛可控、节能环保等特点可广泛用于磁性材料、梯度功能材料、纳米陶瓷、纤维增强陶瓷和金属间复合材料等一系列新型材料的烧结,并在纳米材料、复合材料等的制备中显示了极大的优越性,是一项有重要使用价值和广泛前景的烧结新技术。

放电等离子体烧结系统主要由以下几个部分组成:轴姠压力装置;水冷冲头电极;真空腔体;气氛控制系统(真空、氩气);直流脉冲电源及冷却水、位移测量、温度测量和安全等控制单元放电等离子體烧结烧结速度快,烧结时间短既可以用于低温、高压(500~1000MPa)又可以用于低压(20~30MPa)高温(℃)烧结,因此可广泛地用于金属、陶瓷和各种複合材料的烧结

  • 张巨松.无机非金属材料工艺学:哈尔滨工业大学出版社,2010

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功能材料的一种全新技术,它具有升温速度快、烧结时间短、组织结构可控、节能环保等鲜明特点可用来制备金屬材料、陶瓷材料、复合材料,也可用来制备

是制备功能材料的一种全新技术

随着高新技术产业的发展

特别是新型功能材料的种类和需求量不断增加,材料新的功能呼唤新的制备技术放电等离子烧结优缺点(Spark Plasma Sintering,简称SPS)是制备功能材料的一种全新技术它具有升温速度快、烧结时间短、组织结构可控、节能环保等鲜明特点,可用来制备金属材料、陶瓷材料、复合材料也可用来制备

SPS技术是在粉末颗粒间直接通入脉冲电流进行加热烧结,因此在有的文献上也被称为等离子活化烧结或等离子辅助烧结(plasmaactivatedsintering-PAS或plasma-assistedsintering-PAS)[1,2]早在1930年,美国科学家就提出了脉冲電流烧结原理但是直到1965年,脉冲电流烧结技术才在美、日等国得到应用日本获得了SPS技术的专利,但当时未能解决该技术存在的生产效率低等问题因此SPS技术没有得到推广应用。

1988年日本研制出第一台工业型SPS装置并在新材料研究领域内推广使用。1990年以后日本推出了可用於工业生产的SPS第三代产品,具有10~100t 的烧结压力和脉冲电流5000~8000A最近又研制出压力达500t,脉冲电流为25000A的大型SPS装置由于SPS技术具有快速、低温、高效率等优点,近几年国外许多大学和科研机构都相继配备了SPS烧结系统并利用SPS进行新材料的研究和开发[3]。1998年瑞典购进SPS烧结系统对

等材料进行了较多的研究工作[4]。

国内近三年也开展了用SPS技术制备新材料的研究工作[1,3]引进了数台SPS烧结系统,主要用来烧结纳米材料和陶瓷材料[5~8]SPS作为一种材料制备的全新技术,已引起了国内外的广泛重视

3.1 等离子体和等离子加工技术

SPS是利用放电等离子体进行烧结的。等离子体昰物质在高温或特定激励下的一种物质状态是除固态、液态和气态以外,物质的第四种状态等离子体是电离气体,由大量正负带电粒孓和

组成并表现出集体性为的一种准中性气体。

等离子体是解离的高温导电气体可提供反应活性高的状态。

处在高度活化状态而且等离子气体内离子化程度很高,这些性质使得等离子体成为一种非常重要的材料制备和加工技术

等离子体加工技术已得到较多的应用,唎如等离子体CVD、低温等离子体PBD以及等离子体和

等目前等离子体多用于氧化物涂层、等离子

和氮化物粉体上也有一定应用。而等离子体的叧一个很有潜力的应用领域是在陶瓷材料的烧结方面[1]

产成等离子体的方法包括加热、放电和光激励等。放电产生的等离子体包括直流放電、

等离子体SPS利用的是直流放电等离子体。

3.2 SPS装置和烧结基本原理

SPS装置主要包括以下几个部分:

装置;水冷冲头电极;真空腔体;气氛控淛系统(真空、氩气);直流脉冲及冷却水、位移测量、温度测量、和安全等控制单元SPS的基本结构如图1所示。

SPS与热压(HP)有相似之处泹加热方式完全不同,它是一种利用通-断直流脉冲电流直接通电烧结的

法通-断式直流脉冲电流的主要作用是产生放电等离子体、放电冲擊压力、

热和电场扩散作用[11]。SPS烧结时

通过粉末颗粒如图2所示在SPS烧结过程中,电极通入直流脉冲电流时瞬间产生的放电等离子体使烧结體内部各个颗粒均匀的自身产生

并使颗粒表面活化。与自身加热反应合成法(SHS)和

法类似SPS是有效利用粉末内部的自身发热作用而进行烧結的。SPS烧结过程可以看作是颗粒放电、导电加热和加压综合作用的结果除加热和加压这两个促进烧结的因素外,在SPS技术中颗粒间的有效放电可产生局部高温,可以使表面局部熔化、表面物质剥落;高温等离子的溅射和放电冲击清除了粉末颗粒表面杂质(如去处表面氧化粅等)和吸附的气体电场的作用是加快扩散过程。

SPS的工艺优势十分明显:加热均匀升温速度快,烧结温度低烧结时间短,生产效率高产品组织细小均匀,能保持原材料的自然状态可以得到高

以及复杂工件[3,11]与HP和HIP相比,SPS装置操作简单不需要专门的熟练技术。文獻[11]报道生产一块直径100mm、厚17mm的ZrO2(3Y)/不锈钢梯度材料(

)用的总时间是58min,其中升温时间28min、保温时间5min和冷却时间25min与HP相比,SPS技术的烧结温度可降低100~200℃[13]

目前在国外,尤其是日本开展了较多用SPS制备新材料的研究部分产品已投入生产。SPS可加工的材料种类如表1所示除了制备材料外,SPS還可进行材料连接如连接MoSi2与石磨[14],ZrO2/Cermet/Ni等[15]

近几年,国内外用SPS制备新材料的研究主要集中在:陶瓷、

复合材料和功能材料等方面。其中研究最多的是功能材料他包括

[16] 、磁性材料[17] 、功能梯度材料[18] 、复合功能材料[19]和纳米功能材料[20]等。对SPS制备

等也作了尝试取得了较好的结果。

5 .1 功能梯度材料

)的成分是梯度变化的各层的

不同,利用传统的烧结方法难以

成本很高,也很难实现工业化采用阶梯状的石磨模具,甴于模具上、下两端的

利用SPS在石磨模具中产生的梯度温度场,只需要几分钟就可以烧结好成

不同的梯度材料目前SPS成功制备的梯度材料囿:不锈钢/ZrO2;Ni/ZrO2;Al/高聚物;Al/

;PSZ/T等梯度材料。

燃烧合成(SHS)中电场具有较大激活效应和作用,特别是场激活效应可以使以前不能合成的材料吔能成功合成扩大了成分范围,并能控制相的成分不过得到的是

,还需要进一步加工提高

利用类似于SHS电场激活作用的SPS技术,对陶瓷、复合材料和

的合成和致密化同时进行可得到65nm的

,比SHS少了一道致密化工序[22]利用SPS可制备大尺寸的FGM,目前SPS制备的尺寸较大的

用普通烧结和熱压WC粉末时必须加入添加剂而SPS使烧结纯WC成为可能。用SPS制备的WC/Mo梯度材料的

由于热电转换的高可靠性、无污染等特点最近热电转换器引起叻人们的极大兴趣,并研究了许多

发现在SPS制备功能材料的研究中,对热电材料的研究较多

(1)热电材料的成分梯度化是目前提高热电效率嘚有效途径之一。例如成分梯度的βFeSi2就是一种比较有前途的热电材料,可用于200~900℃之间进行热电转换βFeSi2没有毒性,在空气中有很好的忼氧化性并且有较高的

和热电功率。热电材料的

越高(Z=α2/kρ,其中Z是品质因数α为Seebeck系数,k为热导系数ρ为材料的

效率也越高。试验表明采用SPS制备的成分梯度的βFeSix(

的传统半导体材料不仅强度和

差,而且主要采用单相生长法制备

长、成本高。近年来有些厂家为了解决這个问题采用烧结法生产半导体致冷材料,虽改善了

和提高了材料使用率但是热电性能远远达不到单晶半导体的性能,现在采用SPS生产半导体致冷材料在几分钟内就可制备出完整的半导体材料,而晶体生长却要十几个小时SPS制备

的优点是,可直接加工成圆片不需要单姠生长法那样的切割加工,节约了材料提高了生产效率。

热压和冷压-烧结的半导体性能低于晶体生长法制备的性能现用于热电致冷的半导体材料的主要成分是Bi,Sb,Te和Se,目前最高的Z值为3.0×10/K而用SPS制备的热电半导体的Z值已达到2.9~3.0×10/K,几乎等于单晶半导体的性能[30]表2是SPS和其他方法苼产BiTe材料的比较。

PbTiO3时在900~1000℃下烧结1~3min,烧结后平均颗粒尺寸<1μm,相对密度超过98%由于陶瓷中孔洞较少[31],因此在101~106HZ之间

用SPS制备铁电材料Bi4Ti3O12陶瓷時在烧结体

的同时,陶瓷迅速致密化用SPS容易得到晶粒

好的试样,可观察到晶粒

的Bi4Ti3O12陶瓷的电性能有强烈的

用SPS制备铁电Li置换IIVI半导体ZnO陶瓷使铁电相变温度Tc提高到470K,而以前冷压烧结陶瓷只有330K[34]

,若在较高温度下烧结可以得到高的

过高会导致出现温度过高会导致出现α相和

,磁性能恶化若在较低温度下烧结,虽能保持良好的磁性能但粉末却不能完全压实,因此要详细研究密度与性能的关系 [35]

SPS在烧结磁性材料时具有烧结温度低、保温时间短的工艺优点。Nd Fe Co V B 在650℃下保温5min,即可烧结成接近完全密实的块状磁体没有发现晶粒长大[36]。用SPS制备的865Fe6Si4Al35Ni和MgFe2O4的复合材料(850℃130MPa),具有高的

以前用快速凝固法制备的

薄带虽已达到几十纳米的细小

组织,但是不能制备成合金块体应用受到限制。而现茬采用SPS制备的块体

的磁性能已达到非晶和纳米晶组织带材的

致密纳米材料的制备越来越受到重视利用传统的

等方法来制备纳米材料时,佷难保证能同时达到纳米尺寸的晶粒和完全致密的要求利用SPS技术,由于加热速度快烧结时间短,可显著抑制晶粒

65nm的TiN密实体[3]文献[3]中引鼡有关实例说明了SPS烧结中

受到最大限度的抑制,所制得烧结体无疏松和明显的晶粒长大

在SPS烧结时,虽然所加压力较小但是除了压力的莋用会导致活化能力Q降低外,由于存在放电的作用也会使晶粒得到活化而使

进一步减小,从而会促进晶粒长大因此从这方面来说,用SPS燒结制备纳米材料有一定的困难

但是实际上已有成功制备

为65nm的TiN密实体的实例。在文献[38]中非晶粉末用SPS烧结制备出20~30nm的Fe90Zr7B3纳米磁性材料。另外还已发现晶粒随SPS

变化比较缓慢[7],因此SPS制备纳米材料的机理和对

的影响还需要做进一步的研究

5. 6 非晶合金的制备

在非晶合金的制备中,偠选择合金成分以保证合金具有极低的非晶形成

从而获得极高的非晶形成能力。在制备工艺方面主要有金属

其关键是快速冷却和控制

。由于制备非晶合金粉末的技术相对成熟因此多年来,采用非晶粉末在低于其晶化温度下进行温挤压、温轧、冲击(爆炸)固化和等静壓烧结等方法来制备大块非晶合金但存在不少技术难题,如非晶粉末的硬度总高于静态粉末因而压制性能欠佳,其综合性能与旋淬法淛备的非晶薄带相近难以作为高强度结构材料使用[39]。可见用普通

制备大块非晶材料存在不少技术难题

SPS作为新一代烧结技术有望在这方媔取得进展,文献[40]中利用SPS烧结由

制取的非晶Al基粉末得到了块状圆片试样(10mm×2mm)磁

是在375MPa下503K时保温20min制备的,含有非晶相和结晶相以及残余的Sn楿其非晶相的结晶温度是533K。文献[41]中用脉冲电流在423K和500MPa下制备了Mg80Ni10Y5B5块状非晶合金经分析其中主要是非晶相。非晶Mg合金比A291D合金和纯镁有较高的

非晶化改善了镁合金的抗腐蚀抗力。从实践来看可以采用SPS烧结法制备块状

。因此利用先进的SPS技术进行大块非晶合金的制备研究很有必偠

(SPS)是一种低温、短时的

法,可用来制备金属、陶瓷、纳米材料、非晶材料、复合材料、

等SPS的推广应用将在新材料的研究和生产领域中发挥重要作用。

SPS的基础理论目前尚不完全清楚需要进行大量实践与理论研究来完善,SPS需要增加设备的多功能性和脉冲电流的容量鉯便做尺寸更大的产品;特别需要发展全自动化的SPS生产系统,以满足复杂形状、高性能的产品和三维

对实际生产来说需要发展适合SPS技术嘚粉末材料,也需要研制比目前使用的模具材料(

)强度更高、重复使用率更好的新型模具材料以提高模具的承载能力和降低模具费用。

在工艺方面需要建立模具温度和工件实际温度的温差关系,以便更好的控制产品质量在SPS产品的性能测试方面,需要建立与之相适应嘚标准和方法

目前,国内做SPS比较成功的有以下厂家:

苏州亘富真空科技有限公司

仪器(设备)名称:火花放电等離子烧结优缺点系统(SPS

SPS设备是在粉体粒子施压同时通入脉冲电流由火花放电瞬间产生的等离子体进行加热,利用热效应、场效应等在低温进行短时间烧结同其他的传统烧结工艺(无压烧结PLS、热压烧结HP、热等静压HIP)相比,其烧结速度快(一般材料烧结致密化只需3~10min)、烧结温喥低(HPHIP相比烧结温度可降低200~300℃)、且节能降耗(能耗为传统热压烧结工艺的1/5~1/3)。该设备可用于制备高密度纳米晶块体材料、多功能梯度材料、精密陶瓷、金属基复合材料、非晶材料、抗磨材料、热电半导体以及磁性材料等

本系统主机主要包括:加压系统,烧结电源及通電系统真空烧结腔及真空系统,烧结数据收录系统

可用于各种金属材料、陶瓷材料、纳米材料、梯度功能材料、复合材料、非晶材料、金属间化合物、金属玻璃、电子材料、异种材料同时烧结,烧结连接等各种各样的新材料研发

1、加压系统:最大加压力:150KN;加压行程:150mm;电极开放高度:250mm·

2、烧结电源及通电系统:最大输出电流:7500A;升温速率:最大500k/min

3、真空烧结腔及真空系统:抽真空速度:大气环境丅到5Pa/15min以内;极限真空:5Pa;可烧结气氛:大气,真空保护气体。

4、烧结数据收录系统:烧结电压、电流、温度、加压力、加压轴位移量、加压轴位移量的微分值、真空度数据信号实时形成烧结工艺曲线图并可以csv文件形式存取。

1网上预约后请下载SPS烧结系统实验委托单,并茬委托单中详细注明相关实验条件(不要使用通用的委托单)

2根据需要烧结的样品,请自带合适的石墨模具

3禁止烧结含有毒、易燃易爆、易挥发物质,禁止烧结硫化物

4禁止烧结时产生液相,禁止无压烧结

5设备原则上只允许主管老师及助理管理员操作。

安放地点:先進制造大楼西楼一楼北边实验室

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