硅晶圆CMP晶体长斜了,能看的到错误吗?

摘要: 化学机械抛光(CMP)技术是半导體工艺中不可缺少的重要工艺.针对硅晶圆CMPCMP平坦性问题,系统地考察了压力、转速、抛光垫、浆料、温度等因素对硅晶圆CMP平坦化速率的影响,从Φ找到它们之间的优化参数,减少CMP工艺中的表面划伤、抛光雾、金属离子沾污,清除残余颗粒,保证硅晶圆CMP的平坦化质量  

一颗单片机芯片从设计到制成的所有流程一目了然单片机芯片需要经过设计、制造(包括硅片制造以及晶圆制造)、封装测试才能最终落到客户手中的全过程。
从图中嘚集成电路制造厂板块我们可以看到晶圆制造过程中有几大重要的步骤:氧化、沉积、光刻、刻蚀、离子注入/扩散等。这几个主要步骤嘟需要若干种半导体设备满足不同的需要。

设备中应用较为广泛的有氧化炉、沉积设备、光刻机、刻蚀设备、离子注入机、清洗机、化學研磨设备等
看完这些单片机设计制造的流程图应该对单片机芯片从设计到制造的全过程都有一定的了解了吧,Enroo 今日的分享到这里了

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