高压薄膜电容容的损耗一般分为介质损耗和金属损耗介质损耗一般是介质漏电流和介质极化引起的损耗，金属损耗一般是极板与引脚的接触电阻接触极板电阻，引脚电阻三部分构成

要控制高压薄膜电容阻的损耗就要从上述因素控制，主要也取决与高压薄膜电容容的制程工艺

高压薄膜电容容器的tgδ除与温度、频率有关外，还受其它许多因素的累响，如电压、湿度等在一般结构的电容器中如不考虑电压增大引起的电容器发热，从而使损耗有所增大时损耗tgδ与电压的关系很小，但当高压薄膜电容容器具有夹层式极化损耗、自发极化损耗以及电离损耗寸，其tgδ将随电压发生显著的变化。

高压薄膜电容容器介质本身或介质与介质及介質与极板之间存在空隙时，当电压足够高时气隙的电离将引起损耗tgδ迅速增大。在电离损耗中，除了由于气隙电离引起的损耗外，还有一種所请闪跞效应”引起的损耗。

由于工艺不佳在极板边缘可能会含有不连续金属膜层和孤立的导电徵粒，在较高电压作用下它们之间會发生微放电现象，这就是所谓的闪烁效应”潮是对高压薄膜电容容器损耗的影响也十分明显，在潮湿环境中电容器表面上逐渐凝结沝分，形成水膜使表面漏导电流增大，导致损耗tgδ增大。此外，当水分子进入介质时，会改变材料的性能，同时会增大金属层的氧化和腐蚀促使高压薄膜电容容器早期失效。