金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管鈳分为N沟道与P沟道两大类 P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极两极之间不通导，源极上加有足够的正电壓(栅极接地)时栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道加上适当的偏压，可使沟道的電阻增大或减小这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管

如何怎么判断P管还是N管MOS管处于饱和区、截止区和三極管区呢？本教程以NMOS管PNMOS管分别举例来说明。

1. 1.当Vgs<Vt 时则NMOS管处于截止区。就是说当栅源电压低于阈值电压时则管子不导通。

   2.当 Vds<Vgs-Vt 时NMOS管处于彡极管区。这时NMOS管相当于一个小的电阻（有的也称为可变电阻区）

   3.当 Vds>Vgs-Vt 时，NMOS管处于饱和区如果不考虑基区宽度调制效应，我们可以认为漏端电流与Vds无关

2. 1.当|Vgs| < |Vt| 时，则PMOS管处于截止区就是说当栅源电压低于阈值电压时，则管子不导通

   2.当 |Vds| < |Vgs|-|Vth| 时，PMOS管处于三极管区这时PMOS管相当于一個小的电阻（有的也称为可变电阻区）。

   3.当 |Vds| > |Vgs|-|Vth| 时PMOS管处于饱和区。如果不考虑基区宽度调制效应我们可以认为漏端电流与Vds无关。