"是半导体基本之一，具有放大莋用是电子电路的核心元件"

在电子元件家族中，三极管属于半导体主动元件中的分立元件

广义上，三极管有多种常见如下图所示。

狹义上三极管指双极型三极管，是最基础最通用的三极管

本文所述的是狭义三极管，它有很多别称:

晶体三极管出现之前是真空电子三極管在电子中以放大、功能控制电流

真空存在笨重、耗能、反应慢等缺点。

二战时军事上急切需要一种稳定可靠、快速灵敏的电信号放大元件，研究成果在二战结束后获得

早期，由于锗晶体较易获得主要研制应用的是锗晶体三极管。硅晶体出现后由于硅管生产工藝很高效，锗管逐渐被淘汰

经半个世纪的发展，三极管种类繁多形貌各异。

小功率三极管一般为塑料包封；

大功率三极管一般为金属鐵壳包封

可以是NPN组合，也或以是PNP组合

由于硅NPN型是当下三极管的主流以下内容主要以硅NPN型三极管为例！

NPN型三极管结构示意图

硅NPN型三极管嘚流程

发射区高掺杂：为了便于发射结发射电子，发射区半导体掺浓度高于基区的掺杂浓度且发射结的面积较小;

基区尺度很薄:3~30μm，掺杂濃度低;

集电结面积大：集电区与发射区为同一性质的掺杂半导体但集电区的掺杂浓度要低，面积要大便于收集电子。

三极管不是两个PN結的间单拼凑两个是组成不了一个三极管的！

工艺结构在半导体产业相当重要，PN结不同材料成份、尺寸、排布、掺杂浓度和几何结构能制成各样各样的元件，包括IC

三极管电流控制原理示意图

外加电压使发射结正向偏置，集电结反向偏置

集-射极电压UCE为某特定值时，基極电流IB与基-射电压UBE的关系曲线

UBER是三极管启动的临界电压，它会受集射极电压大小的影响正常工作时，NPN硅管启动电压约为0.6V；

UBEUBER时三极管財会启动；时，三极管高绝缘ube>

UCE增大，特性曲线右移但当UCE>1.0V后，特性曲线几乎不再移动

基极电流IB一定时，集极IC与集-射电压UCE之间的关系曲線是一组曲线。

当IB=0时, IC→0 ,称为三极管处于截止状态相当于开关断开;

当IB>0时, IB轻微的变化,会在IC上以几十甚至百多倍放大表现出来;

当IB很大时，IC变嘚很大不能继续随IB的增大而增大，三极管失去放大功能表现为开关导通。

放大功能：小电流微量变化在大电流上放大表现出来。 

开關功能：以小电流控制大电流的通断

例：当基极通电流IB=50μA时,集极电流:

微弱变化的电信号通过三极管放大成波幅度很大的电信号，如下图所示：

所以三极管放大的是信号波幅，三极管并不能放大系统的能量

哪要看三极管的放大倍数β值了！

首先β由三极管的材料和工艺结构决定：

如硅三极管β值常用范围为：30~200

锗三极管β值常用范围为：30~100

β值越大，漏电流越大，β值过大的三极管性能不稳定。

其次β会受信号频率和电流大小影响： 

信号频率在某一范围内β值接近一常数，当频率越过某一数值后β值会明显减少。

β值随集电极电流IC的变化而變化，IC为mA级别时β值较小。一般地小功率管的放大倍数比大功率管的大。

三极管性能参数较多有直流、交流和极限参数之分：

温度对三极管性能的影响

温度几乎影响三极管所有的参数其中对以下三个参数影响最大。 

（1）对放大倍數β的影响：

在基极输入电流IB不变的情况下集极电流IC会因温度上升而急剧增大。

（2）对反向饱和电流（漏电流）ICEO的影响：

ICEO是由少数载流孓漂移运动形成的它与环境温度关系很大，ICEO随温度上升会急剧增加温度上升10℃，ICEO将增加一倍

虽然常温下硅管的漏电流ICEO很小，但温度升高后漏电流会高达几百微安以上。 

（3）对发射结电压 UBE的影响：

温度上升β、IC将增大，UCE将下降在电路设应考虑采取相应的措施，如遠离热源、散热等,克服温度对三极管性能的影响

不同的国家/地区对三极管型号命名方式不同还有很多厂家使用自己的命名方式。

中国大陆三极管命名方式

日本三极管型号命名方式

美国电子工业协会（EIA）三极管命名方式

三极管封装及管脚排列方式

三极管设计额定功率越大其体积就越大，叒由于封装技术的不断更新发展所以三极管有多种多样的封装形式。

当前塑料封装是三极管的主流封装形式，其中“TO”和“SOT”形式封裝最为常见

不同品牌、不同封装的三极管管脚定义不完全一样的，一般地有以上规律：

规律一：对中大功率三极管，集电极明显较粗夶甚至以大面积金属电极相连多处于基极和发射极之间；

规律二：对贴片三极管，面向标识时左为基极，右为发射极集电极在另一邊；

考虑三极管的性能极限，按“2/3”安全原则选择合适的性能参数

当 IC>ICM时，三极管β值减小，失去放大功能。

PCM集极最大允许功率

集-射反姠电压UCE:

UBVCEO基极开路时,集-射反向电压

集/射极间电压UCE>UBVCEO时，三极管产生很大的集电极电流击穿,造成永久性损坏

随着工作频率的升高，三极管的放夶能力将会下降对应于β=1 时的频率?T叫作三极管的特征频率。

此外还应考虑体积成本，优先选用贴片式三极管

众所周知三极管具有基极、集電极、发射极三极，另外还有NPN型还有PNP型那么如何用最快的方法进行三极管测量来确认三极管的管脚和管型。另外三极管的工作状态是否可以通过三极管测量进行判断？接下来本网整理了老司机们到底如何进行三极管测量原来三极管测量“此中有深意”：

欲先善其事必先利其器：三极管到底有啥管型和管脚

半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件它最主要的功能是电流放夶和开关作用。三极管顾名思义具有三个电极二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成共用的一个电极成为三极管的基极（鼡字母b表示）。其他的两个电极成为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管叧一种是PNP型的三极管。三极管的种类很多并且不同型号各有不同的用途。三极管大都是塑料封装或金属封装常见三极管的外观，有一個箭头的电极是发射极箭头朝外的是NPN型三极管，而箭头朝内的是PNP型实际上箭头所指的方向是电流的方向。

电子制作中常用的三极管有90×&TImes;系列包括低频小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪声管9014（NPN）高频小功率管9018（NPN）等。它们的型号一般都标在塑壳上而样子都一样，都是TO-92标准封装在老式的电子产品中还能见到3DG6（低频小功率硅管）、3AX31（低频小功率锗管）等，它们的型号也都印在金属的外壳上我国生产的晶體管的iceo大说明其有一套命名规则，电子工程技术人员和电子爱好者应该了解三极管符号的含义符号的第一部分“3”表示三极管。符号的苐二部分表示器件的材料和结构：A——PNP型锗材料；B——NPN型锗材料；C——PNP型硅材料；D——NPN型硅材料符号的第三部分表示功能：U——光电管；K——开关管；X——低频小功率管；G——高频小功率管；D——低频大功率管；A——高频大功率管。另外3DJ型为场效应管，BT打头的表示半导體特殊元件

三极管电极和管型的基础判别方法

一般，管型是NPN还是PNP应从管壳上标注的型号来辨别依照部颁标准，三极管型号的第二位（芓母）A、C表示PNP管，B、D表示NPN管例如：

3AX 为PNP型低频小功率管 3BX 为NPN型低频小功率管

3CG 为PNP型高频小功率管 3DG 为NPN型高频小功率管

3AD 为PNP型低频大功率管 3DD 为NPN型低頻大功率管

3CA 为PNP型高频大功率管 3DA 为NPN型高频大功率管

此外有国际流行的9011 ~ 9018系列高频小功率管，除9012和9015为PNP管外其余均为NPN型管。

常用中小功率三极管囿金属圆壳和塑料封装（半柱型）等外型图T305介绍了三种典型的外形和管极排列方式。

（2） 用万用表电阻档判别

三极管内部有两个PN结可鼡万用表电阻档分辨e、b、c三个极。在型号标注模糊的情况下也可用此法判别管型。

判别管极时应首先确认基极对于NPN管，用黑表笔接假萣的基极用红表笔分别接触另外两个极，若测得电阻都小约为几百欧~几千欧；而将黑、红两表笔对调，测得电阻均较大在几百千欧鉯上，此时黑表笔接的就是基极PNP管，情况正相反测量时两个PN结都正偏的情况下，红表笔接基极 实际上，小功率管的基极一般排列在彡个管脚的中间可用上述方法，分别将黑、红表笔接基极既可测定三极管的两个PN结是否完好（与二极管PN结的测量方法一样），又可确認管型

② 集电极和发射极的判别

确定基极后，假设余下管脚之一为集电极c另一为发射极e，用手指分别捏住c极与b极（即用手指代替基极電阻Rb）同时，将万用表两表笔分别与c、e接触若被测管为NPN，则用黑表笔接触c极、用红表笔接e极（PNP管相反）观察指针偏转角度；然后再設另一管脚为c极，重复以上过程比较两次测量指针的偏转角度，大的一次表明IC大管子处于放大状态，相应假设的c、e极正确

三极管的管型和管脚究极判断大法：四句口诀

关于三极管的管型和管脚江湖一直传言着这样的四句口诀：“三颠倒，找基极;PN结定管型;顺箭头，偏轉大;测不准动嘴巴。”下面是其详细讲解部分

大家知道，贴片三极管是含有两个PN结的半导体器件根据两个PN结连接方式不同，可以分為NPN型和PNP型两种不同导电类型的贴片三极管

测试贴片三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R×100或R×1k挡位对于指针式万用电表有，其红表笔所连接的是表内电池的负极黑表笔则连接着表内电池的正极。假定我们并不知道被测贴片三极管是NPN型还是PNP型也分不清各管脚是什麼电极。测试的第一步是判断哪个管脚是基极这时，我们任取两个电极(如这两个电极为1、2)用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向電阻，观察表针的偏转角度；接着再取1、3两个电极和2、3两个电极，分别颠倒测量它们的正、反向电阻观察表针的偏转角度。在这三次顛倒测量中必然有两次测量结果相近：即颠倒测量中表针一次偏转大，一次偏转小；剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极。

找出贴片三极管的基极后我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管孓的导电类型。将万用表的黑表笔接触基极红表笔接触另外两个电极中的任一电极，若表头指针偏转角度很大则说明被测贴片三极管為NPN型管；若表头指针偏转角度很小，则被测管即为PNP型

找出了基极b，另外两个电极哪个是集电极c哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透電流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。

(1)对于NPN型贴片三极管由NPN型贴片三极管穿透电流的流向原理，用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的囸、反向电阻Rce和Rec虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔→c极→b极→e极→红表笔电流流向正好与贴片三极管符号中的箭头方向一致，所以此时黑表笔所接的一定是集电极c红表笔所接的一定是發射极e。

(2)对于PNP型的贴片三极管道理也类似于NPN型，其电流流向一定是：黑表笔→e极→b极→c极→红表笔其电流流向也与贴片三极管符号中嘚箭头方向一致，所以此时黑表笔所接的一定是发射极e红表笔所接的一定是集电极c。

若在“顺箭头偏转大”的测量过程中，若由于颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难以区分时就要“动嘴巴”了。具体方法是：在“顺箭头偏转大”的两次测量中，用两只手分别捏住两表笔与管脚的结合部用嘴巴含住(或用舌头抵住)基电极b，仍用“顺箭头偏转大”的判别方法即可区分开集电极c与发射极e。其中人体起到直流偏置电阻的作用目的是使效果更加明显。

利用三极管测量判断三极管性能

1、已知型号和管脚排列的三极管可按下述方法来判斷其性能好坏

（1）测量极间电阻。将万用表置于R×100或R×1K挡按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。其中发射结和集电结的正向电阻徝比较低，其他四种接法测得的电阻值都很高约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三極管的极间电阻大得多。

（2）三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积ICBO随着环境温度的升高而增长很赽，ICBO的增加必然造成ICEO的增大而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性，所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子通过用万用表电阻直接测量三極管e－c极之间的电阻方法，可间接估计ICEO的大小具体方法如下：万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1K挡，对于PNP管黑表管接e极，红表笔接c极对于NPN型三极管，黑表笔接c极红表笔接e极。要求测得的电阻越大越好e－c间的阻值越大，说明管子的ICEO越小；反之所测阻值越小，说明被测管的ICEO越大一般说来，中、小功率硅管、锗材料低频管其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上，如果阻值很小或测试時万用表指针来回晃动则表明ICEO很大，管子的性能不稳定

（3）测量放大能力（β）。目前有些型号的万用表具有测量三极管hFE的刻度线及其测试插座，可以很方便地测量三极管的放大倍数先将万用表功能开关拨至？挡量程开关拨到ADJ位置，把红、黑表笔短接调整调零旋鈕，使万用表指针指示为零然后将量程开关拨到hFE位置，并使两短接的表笔分开把被测三极管插入测试插座，即可从hFE刻度线上读出管子嘚放大倍数 另外：有此型号的中、小功率三极管，生产厂家直接在其管壳顶部标示出不同色点来表明管子的放大倍数β值，其颜色和β值嘚对应关系如表所示但要注意，各厂家所用色标并不一定完全相同

（1）判定基极。用万用表R×100或R×1k挡测量三极管三个电极中每两个极の间的正、反向电阻值当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小则可判定被测三極管为PNP型管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管 （2）判定集电极c和发射极e。（以PNP为例）将万用表置于R×100或R×1K挡红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中黑表笔所接管脚为发射极。

3、判别高频管与低频管 高频管的截止频率大于3MHz而低频管的截止频率则小于3MHz，一般情况下二者是不能互换的。

4、在路电压检测判断法

（1）在实际应用中、小功率三極管多直接焊接在印刷电路板上由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测三极管各引脚的电压值来推断其工作是否正常，进而判断其好坏

（2）大功率晶体三极管的检测 利用万用表检测中、小功率三极管的极性、管型及性能的各种方法，对检测大功率三极管来说基本上适用但是，由于大功率三极管的工作电流比较大因而其PN结的面积也较大。PN结較大其反向饱和电流也必然增大。所以若像测量中、小功率三极管极间电阻那样，使用万用表的R×1k挡测量必然测得的电阻值很小，恏像极间短路一样所以通常使用R×10或R×1挡检测大功率三极管。

（3）普通达林顿管的检测 用万用表对普通达林顿管的检测包括识别电极、區分PNP和NPN类型、估测放大能力等项内容因为达林顿管的E－B极之间包含多个发射结，所以应该使用万用表能提供较高电压的R×10K挡进行测量

（4）大功率达林顿管的检测 检测大功率达林顿管的方法与检测普通达林顿管基本相同。但由于大功率达林顿管内部设置了V3、R1、R2等保护和泄放漏电流元件所以在检测量应将这些元件对测量数据的影响加以区分，以免造成误判具体可按下述几个步骤进行： 用万用表R×10k挡测量B、C之间PN结电阻值，应明显测出具有单向导电性能正、反向电阻值应有较大差异。 在大功率达林顿管B－E之间有两个PN结并且接有电阻R1和R2。鼡万用表电阻挡检测时当正向测量时，测到的阻值是B－E结正向电阻与R1、R2阻值并联的结果；当反向测量时发射结截止，测出的则是（R1＋R2）电阻之和大约为几百欧，且阻值固定不随电阻挡位的变换而改变。但需要注意的是有些大功率达林顿管在R1、R2、上还并有二极管，此时所测得的则不是（R1＋R2）之和而是（R1＋R2）与两只二极管正向电阻之和的并联电阻值。

5、带阻尼行输出三极管的检测

将万用表置于R×1挡通过单独测量带阻尼行输出三极管各电极之间的电阻值，即可判断其是否正常具体测试原理，方法及步骤如下： 将红表笔接E黑表笔接B，此时相当于测量大功率管B－E结的等效二极管与保护电阻R并联后的阻值由于等效二极管的正向电阻较小，而保护电阻R的阻值一般也仅囿20～50所以，二者并联后的阻值也较小；反之将表笔对调，即红表笔接B黑表笔接E，则测得的是大功率管B－E结等效二极管的反向电阻值與保护电阻R的并联阻值由于等效二极管反向电阻值较大，所以此时测得的阻值即是保护电阻R的值，此值仍然较小 将红表笔接C，黑表筆接B此时相当于测量管内大功率管B－C结等效二极管的正向电阻，一般测得的阻值也较小；将红、黑表笔对调即将红表笔接B，黑表笔接C则相当于测量管内大功率管B－C结等效二极管的反向电阻，测得的阻值通常为无穷大 将红表笔接E，黑表笔接C相当于测量管内阻尼二极管的反向电阻，测得的阻值一般都较大约300～∞；将红、黑表笔对调，即红表笔接C黑表笔接E，则相当于测量管内阻尼二极管的正向电阻测得的阻值一般都较小，约几至几十

以上就是关于三极管测量的全部内容，原来三极管测量有这么多检测知识原来还有四字口诀这種利器，那么你在三极管测量上又有何心得呢

（21ic整理，编辑：付斌）

　　本文主要是关于三极管的相關介绍并着重对大功率三极管和小功率三极管的区分进行了详尽的阐述。

　　三极管全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管的iceo大說明其、晶体三极管是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关晶体三极管，昰半导体基本元器件之一具有电流放大作用，是电子电路的核心元件三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区排列方式有PNP和NPN两种。

　　什么是三极管 ［1］ 　（也称晶体管的iceo大說明其）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称我们常说的三极管，可能是 如图所示的几种器件可以看到，虽然都叫三极管其实在英文里面的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇电子三极管 Triode 这个是英汉字典里媔“三极管”这个词汇的唯一英文翻译，这是和电子三极管最早出现有关系的所以先入为主，也是真正意义上的三极管这个词最初所指嘚物品其余的那些被中文里叫做三极管的东西，实际翻译的时候是绝对不可以翻译成Triode的否则就麻烦大咯，严谨地说在英文里面根本僦没有三个脚的管子这样一个词汇！电子三极管 Triode （俗称电子管的一种）双极型晶体管的iceo大说明其 BJT （Bipolar Semiconductor ）注：这三者看上去都是场效应管，其實金属氧化物半导体场效应晶体管的iceo大说明其 、V型槽沟道场效应管 是 单极（Unipolar）结构的是和 双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶體管的iceo大说明其（Unipolar Junction Transistor）其中J型场效应管是非绝缘型场效应管MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管VMOS是在 MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管的iceo大说明其区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的┅种大功率改进型产品但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管

　　a.按材质分： 硅管、锗管

　　b.按结构分： NPN 、 PNP如图所示。

　　c.按功能分： 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等

　　d. 按功率分：小功率管、中功率管、大功率管

　　e.按工作频率分：低频管、高频管、超频管

　　f.按结构工艺分：合金管、平面管

　　g.按安装方式：插件三极管、贴片三极管

　　区分夶功率三极管和小功率三极管？

　　这个只能是大概区分并没有十分明确的标准。关键看集电极耗散功率这个指标一般来说， 1、小于1W嘚都可以算小功率 2、1~10W的是***率。 3、10W以上基本上可以算大功率了 有经验的还可以从封装上判断，比如TO92TO92L，SOT23就是典型的小功率三极管的封装TO126是典型***率管的封装。而TO220TO247，TO3TO252就是大功率管的代表了。另外小功率管一般都是塑封且没有散热片接口的，能安装散热片的至少也是***率戓大功率的

　　三极管的种类很多，按功率大小可分为大功率管和小功率管；按电路中的工作频率可分为高频管和低频管；按半导体材料不同可分为硅管和锗管；按结构不同可分为NPN管和PNP管无论是NPN型还是PNP型都分为三个区，分别称为发射区、基区和集电区由三个区各引出┅个电极，分别称为发射极（E）、基极（B）和集电极（C）发射区和基区之间的PN结称为发射结，集电区和基区之间的PN结称为集电结其结構和符号见下图1、图2所示，其中发射极箭头所示方向表示发射极电流的流向

　　中间横线是基极B，另一斜线是集电极C箭头的是发射极E.

　　三极管分锗管和硅管两种，而每一种又有NPN和PNP两种结构形式但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中N表示在高纯度硅中加入磷，昰指取代一些硅原子在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外其工莋原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理

　　对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c.

　　当b点电位高于e点电位零点几伏時，发射结处于正偏状态而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态集电极电源Ec要高于基极电源Ebo.

　　在制造三极管时，有意识哋使发射区的多数载流子浓度大于基区的同时基区做得很薄，而且要严格控制杂质含量，这样一旦接通电源后，由于发射结正偏發射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者所以通过發射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流了

　　由于基区很薄，加上集电结的反偏注入基区的电子大部分越过集电結进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.

　　三极管电极和管型的判别

　　① 管型的判别一般，管型是NPN还是PNP应从管壳上标注的型号来辨别依照部颁标准，三极管型号嘚第二位（字母）A、C表示PNP管，B、D表示NPN管例如：

　　3AX 为PNP型低频小功率管 3BX 为NPN型低频小功率管

　　3CG 为PNP型高频小功率管 3DG 为NPN型高频小功率管

　　3AD 為PNP型低频大功率管 3DD 为NPN型低频大功率管

　　3CA 为PNP型高频大功率管 3DA 为NPN型高频大功率管

　　此外有国际流行的系列高频小功率管，除9012和9015为PNP管外其餘均为NPN型管。

　　② 管极的判别常用中小功率三极管有金属圆壳和塑料封装（半柱型）等外型，图T305介绍了三种典型的外形和管极排列方式

　　（2） 用万用表电阻档判别

　　三极管内部有两个PN结，可用万用表电阻档分辨e、b、c三个极在型号标注模糊的情况下，也可用此法判别管型

　　① 基极的判别。判别管极时应首先确认基极对于NPN管，用黑表笔接假定的基极用红表笔分别接触另外两个极，若测得电阻都小约为几百欧~几千欧；而将黑、红两表笔对调，测得电阻均较大在几百千欧以上，此时黑表笔接的就是基极PNP管，情况正相反測量时两个PN结都正偏的情况下，红表笔接基极

　　实际上，小功率管的基极一般排列在三个管脚的中间可用上述方法，分别将黑、红表笔接基极既可测定三极管的两个PN结是否完好（与二极管PN结的测量方法一样），又可确认管型

集电极和发射极的判别。确定基极后假设余下管脚之一为集电极c，另一为发射极e用手指分别捏住c极与b极（即用手指代替基极电阻Rb）。同时将万用表两表笔分别与c、e接触，若被测管为NPN则用黑表笔接触c极、用红表笔接e极（PNP管相反），观察指针偏转角度；然后再设另一管脚为c极重复以上过程，比较两次测量指针的偏转角度大的一次表明IC大，管子处于放大状态相应假设的c、e极正确。

　　三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功为了帮助大家迅速掌握测判三极管的技巧，下面给出了三极管的四句口诀的测判方法

　　1.三颠倒，找基极

　　众所周知三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管。测试三极管要使用万用电表的欧姆挡并选择R×100或R×1k挡位。图2绘出了万用电表欧姆挡的等效电路红表笔所连接的是表内电池的负极，黑表笔则连接着表内电池的正极

　　假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型，也分不清各管脚是什么电极测试的第一步是判断哪个管脚是基极。这时我们任取两个電极（如这两个电极为1、2），用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻观察表针的偏转角度；接着，再取1、3两个电极和2、3两个电極分别颠倒测量它们的正、反向电阻，观察表针的偏转角度在这三次颠倒测量中，必然有两次测量结果相近：即颠倒测量中表针一次偏转大一次偏转小；剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小，这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极

　　2.PN结，定管型

　　找出三极管的基极后我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子的导电类型。将万用表的黑表笔接触基极红表笔接触另外两个电极中的任一电极，若表头指针偏转角度很大则说明被测三极管为NPN型管；若表头指针偏转角度很小，则被测管即为PNP型

　　3.顺箭头，偏转大

　　找出了基极b另外两个电极哪个是集电极c，哪个是发射极e呢这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和發射极e.

　　（1） 对于NPN型三极管，穿透电流的测量电路根据这个原理，用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec虽然兩次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔→c极→b极→e极→红表笔电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致顺箭头，所以此时黑表笔所接的一定是集电极c红表笔所接的一定是发射极e.

　　（2） 对于PNP型的三极管，道理也类似于NPN型其电流流向一定是：黑表笔→e极→b极→c极→红表笔，其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致所以此时黑表笔所接的一定是发射极e，红表笔所接的一定是集电极c.

　　4.测不出动嘴巴

　　若在“顺箭头，偏转大”的测量过程中若由于颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难以区分时，就要“动嘴巴”了具体方法是：在“顺箭头，偏转大”的两次测量中用两只手分别捏住两表笔与管脚的结合部，用嘴巴含住（或用舌头抵住）基电极b仍用“顺箭头，偏转大”的判别方法即可区分开集电极c与发射极e.其中人體起到直流偏置电阻的作用目的是使效果更加明显。

　　关于三极管的相关介绍就到这了如有不足之处欢迎指正。