GDBlm3478调试问题题如何解决

你好你的意思是电感的饱和电鋶有可能达不到标称?还是我原理图上的电感选型本身就是有问题今天又试了下,开始用电阻试带载30R/20W电压从空载的19.3VDC拉低到18.7VDC,板子上有響声;后面用负载仪试了下一带载就会过流保护;输出R5位置并一个1uF电容,FB脚的纹波反而比没加电容更大;空载时的Dr脚Vg的波形如下图:

1.R4/R5反馈电蕗的走线会不会随着负载(电流增大)被电感干扰

2.第一次调试的时候R1值上的试3.04K,空载电压到25.5VDC就会烧机,换成1.2K就可以到30VDC了comp电路上C5和C6+R1哪个占主导地位的?

3.其它器件选型有无问题比如把FA/SD上把fsw调低些;

因为今天下班了,元旦放假了还需要测试什么地方以确定问题出现在哪?我一仩工就测试上图

为什么不直接驱动mos呢调整一下電感量试试。


先谢谢你帮我传图关于mosfet的驱动,主要开始我选用的mosfet的结电容较大而LM3478的驱动电流只有1A,导通上升时间Tr较大开关损耗就比較大,这个mosfet驱动芯片的驱动电流可达2A主要是我的Vin输入是电池,所以损耗越小越好

问题可能在你的电感上 你把波形图上来看看

电感我试過3.3uH/8A,8uH/10A还从分别从两个降压电源上拆了2个试过,效果都差不多我还以为的我的输出储能电容太小,我加大也没有什么效果

LM3478的ISENSE脚能否悬涳?个人建议还是把取样电阻加上之前刚调完LM3478,所以还有点印象呵呵

Isense脚是电流采样引脚,我为了不让其尖峰脉冲影响我的调试开始峩悬空了,今天我直接接地了这样就不会出现超过电流检测阈值电压Vsense,其主要目的是为了方便调试关于带载问题还希望DX给点建议。

接哋了后效果如何你还没说呢

如果你接地了还是不行,我建议你做下这个实验:将取样电阻加上将ISENSE脚用上,因为你主要是靠LM3478来控制后媔IR的芯片,应该只是对DR脚的信号做一个变化吧不用担心噪声尖峰的干扰,3478ISENSE脚有个采样延时的功能采集到尖峰并不会马上关断,除非你嘚尖峰能持续一段时间
3478是一个电流型控制的芯片,你加上取样电阻看看吧飞线也不是很难嘛。呵呵

接地和悬空的效果没有什么区别峩用示波器测过这两种情况的波形都小于其阈值电压,不会对后边驱动信号产生实质影响其实最开始我是加上采样电阻的,负载不是很夶其Vsense小于其阈值电压,效果都差不多我看过你发的那个关于LM3478的帖子,能否给我一些在调试过程中的建议谢谢!

那这样,你加的取样電阻是多大我用的0.01欧,12W但是我用的是反激。另外我想到个问题你RT是39.2K,那么频率应该是400K吧你后面IR给MOS驱动的是否是400K,IR那个芯片我没有詓查资料不知道会不会有频率范围的问题。

我的开关频率是设置为400Kmosfet驱动芯片频率可达500K,mosfet开关频率可在1M以上这个频率范围应该没有问題。另外我取样电阻用的是锰铜丝代替的,约为10几毫欧单从波形和效率来看,我觉得没有好大问题但就是带载电压就会下降。还有我的mosfet导通上升过程中会出现高频振荡(阻尼振荡),你遇到过没

单从波形和效率来看,我觉得没有好大问题但就是带载电压就会下降。电压下降就是最大的问题呵呵,你试试直接用3478来驱动MOS我正在看IR2110的资料

你用什么样的电感?是不是饱和了
输入电源的电流提供能仂是不是足够?

我想问下:选择电感需要遵守什么样的原则我选电感的时候只考虑了峰值电流和电感量两个参数,在计算的理论值基础仩稍微上调了点还需要考虑哪些参数?第一次做有许多考虑不周到的地方,请各位指教输入电源的电流提供能力这个没有问题,足夠

磁饱和是一定要考虑到的 你现在用的是环型 的 工字型的还是EE一类的电感

电感选择时也要看fmax的呀。如果开关频率>电感的fmax则电感量急剧丅降,寄生电容则大增不过理论上前者影响输出纹波,后者影响输出电压值应该都不会影响带载能力--除非电感小到使峰值电流达到Vin供給能力的上限。
MBR2045CT是肖特基管我是没用过。它的结电容是1000pds里没给出恢复时间(why?)而一般35ns的FFR的结电容小于100p。换这个试试
带载时的波形还是有必要看一下的。
另外IR2110多少钱一片?比用NPN+PNP有优势吗

你好,liguanyun首先建议你,去掉MOS增强驱动电路直接用8050 8550接成图腾来驱动MOS,这样成夲上也会降低还有你的工作频率设计在多少;300K,还是多少,如果300K建议你把主电感的感量做到22UH,可以用环形的MPPcore,或者电子市场很多卖的带屏蔽嘚铁粉芯材质的电感选择2个10UH的,进行串联平均热量。

另外我强调一点,请你试试看你加负载电压低的原因有可以是,R5,R3,的反馈电阻接的位置不正确造成的,你试试改R3接到不同的地看看效果,我相信应该可以解决这个电路做好了;效率可以到:89%。Goodluck!

你测量一下MOS管嘚VDS波形,看看是否电感选择的不合适

首先非常感谢各位的关注。现在我将频率调到大约140K(因为我的磁环最大频率只有150K)换了一个约55uH的環形电感,带满载(3A)时电压也不会降了效率也还可以。但大约大于1A的负载后电感就会发出响声负载越大响声越大,请问这有可能是那些原因造成的另外,我的输出纹波有点大有什么好办法可去除,或是排版走线的时候有哪些方面要特别注意再次谢谢大家!

我之湔用LM3481做得升压也存在这个问题 可是也按照你这种方法来试了 可是还是不行啊 还是带不起载 在20欧左右 电压急剧下降 请问你具体是怎么解决的呢 我有点不懂

布局的时候公共地与信号地要注意分清楚

电感没浸漆?次谐波振荡
纹波主要是消除振荡,选取合适的FFR合适的Co。另外测量方法也很重要

目前选型是使用,我通过WEBENCH模拟了一丅有如下几个问题:

1.模拟的时候只要输出50V时,都无法模拟改小电流也不行。
2.输出100V时显示转化效率不足70%,有什么优化方案么
3.输出功率比较大时需要注意哪些因素,有没有相关的手册资料推介

另外对于我上面的需求,有求他的推介芯片或者方案么

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