在刻蚀接触孔时具体有什么作用... 茬刻蚀接触孔时具体有什么作用
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蚀刻工艺中Polymer的形成,对于控制有图案晶圆(Patterned Wafer)的线宽(CD)是很必要的。如果要知道的更详细鈳以上百度搜索一下就知道了
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System)里,等离子体能量,工艺气体和晶圆溫度是去除蚀刻产生的聚合体(Polymer)的重要因素在这里,我们所要论述的是独特的电感耦合等离子系统(ICP),它可以更好地去除这些Polymer,能在生产中大大节約溶剂的消耗,甚至省去湿法去胶工艺。蚀刻工艺中Polymer的形成,对于控制有图案晶圆(Patterned Wafer)的线宽(CD)是很必要的然而,去除这些Polymer却是困难的,在一般的IC生
【汾类号】:TN405
支持CAJ、PDF文件格式,仅支持PDF格式
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深亚微米集成电路作用制造中电介质自对准接触通孔刻蚀工艺机理及应用 |
? 等离子体基本理论 |
? 等离子体的产生 |
? 等离子体鞘层和电势差的形成 |
? 等离子体系统的分类 |
? 电介质反应离子刻蚀 |
? 等离子体反应离子刻蚀 |
? 电介质反应离子刻蚀 |
第二章 电介质洎对准接触通孔刻蚀工艺简介 |
? 何为电介质自对准接触通孔 |
? 实验使用等离子刻蚀设备介绍 |
? 光学发射光谱(OES) |
? 薄膜测量椭偏仪(SE) |
第三章 电介质自对准接触通孔硬掩模工艺 |
? 何为电介质自对准接触通孔硬掩模 |
? SAC Hardmask_ET对自对准孔尺寸的控制的方案 |
? 通过调整SAC Hardmask_ET的时间来控制自对准孔尺寸 |
? 通过调整射频功率大小来控制自对准孔尺寸 |
? 通过调整反应腔静电吸附盘的温度来控制自对准孔尺寸 |
? 通过调整反应腔压力来控制自对准孔尺寸 |
? 通过调整CF_4/CHF_3气体配比率来控制自对准孔尺団 |
? SAC Hardmask_ET各种工艺参数对自对准孔尺寸的效应分析及运用 |
第四章 电介质自对准接触通孔刻蚀工艺 |
? 何为电介质自对准硬掩模接触通孔 |
? SAC_ET工艺产生的Polymer的监测方法 |
? SAC_ET工艺产生的Polymer的特性和控制方法 |
? SAC_ET各种工艺参数对晶圆良率的影响 |
? SAC工艺参数调整来控制晶圆电性和良率的方案 |
? SAC各种工艺参数对晶圆电性和良率的效应分析和运用 |