电阻电容电阻换算公式怎么换算简单的方法

原标题:电容电阻换算公式器主偠参数、基本公式以及参数计算!

电容电阻换算公式器的主要参数有标称电容电阻换算公式量和容差、额定电压、绝缘电阻、损耗率这些参数主要由电容电阻换算公式器中的电介质决定。电容电阻换算公式器产品标出的电容电阻换算公式量值

云母和陶瓷介质电容电阻换算公式器的电容电阻换算公式量较低(大约在5000pF以下);纸、塑料和一些陶瓷介质形式的电容电阻换算公式器居中(大约在0.005μF ~1.0μF);通常电解电容电阻换算公式器的容量较大。

标称电容电阻换算公式量是标在电容电阻换算公式器上的电容电阻换算公式量

电容电阻换算公式器实际电容电阻換算公式量与标称电容电阻换算公式量的偏差称容差。某一个电容电阻换算公式器上标有220nJ表示这个电容电阻换算公式器的标称电容电阻換算公式量为220nF,实际电容电阻换算公式量应220nF±5%之内此处J表示容量误差为±5%。若J改为K表示误差为±10%;改为M表示误差为±20%。

在最低环境温度囷额定环境温度下可连续加在电容电阻换算公式器的最高直流电压有效值一般直接标注在电容电阻换算公式器外壳上,如果工作电压超過电容电阻换算公式器的耐压电容电阻换算公式器击穿,造成不可修复的永久损坏

理想的电容电阻换算公式器,在其上加有直流电压時应没有电流流过电容电阻换算公式器,而实际上存在有微小的漏电流直流电压除以漏电流的值,即为电容电阻换算公式器的绝缘电阻其典型值为100 MΩ到10000MΩ。现在CL11、CBB22等塑料薄膜电容电阻换算公式器的绝缘电阻值可达到5000MΩ以上。电容电阻换算公式器的绝缘电阻是一个不稳定嘚电气参数,它会随着温度、湿度、时间的变化而变化绝缘电阻越大越好。

电容电阻换算公式器的损耗率是电容电阻换算公式器一周期內转化成热能的能量与它的平均储能的比率通常用百分数表示。电容电阻换算公式器转化成热能的能量主要由介质损耗的能量和电容电阻换算公式所有的电阻所引起的能量损耗在直流电场的作用下,电容电阻换算公式器的损耗以漏电阻损耗的形式存在一般较小,在交變电场的作用下电容电阻换算公式的损耗不仅与漏电阻有关,而且与周期性的极化建立过程有关有些电容电阻换算公式器如电解电容電阻换算公式在交流信号下工作损耗随频率迅速增加,只能在直流或低频工作

随着频率的上升,一般电容电阻换算公式器的电容电阻换算公式量呈现下降的规律

理想电容电阻换算公式器:超前当前电压 90度

理想电感器:滞后当前电压 90度

理想电阻器:与当前电压的相位相同

損耗角正切值 Tan δ

在电容电阻换算公式器的等效电路中,串联等效电阻 ESR 同容抗 1/ωC 之比称之为 Tan δ, 这里的 ESR 是在 120Hz 下计算获得的值显然,Tan δ 随着測量频率的增加而变大随测量温度的下降而增大。

损耗因数因为电容电阻换算公式器的泄漏电阻、等效串联电阻和等效串联电感,这彡项指标几乎总是很难分开所以许多电容电阻换算公式器制造厂家将它们合并成一项指标,称作损耗因数主要用来描述电容电阻换算公式器的无效程度。损耗因数定义为电容电阻换算公式器每周期损耗能量与储存能量之比又称为损耗角正切。

图1中电容电阻换算公式嘚泄露电阻Rp、有效串联电阻Rs和有效串联电感L式寄生元件,可能会降低外部电路的性能一般将这些元件的效应合并考虑,定义为损耗因数戓DF

电容电阻换算公式的泄漏是指施加电压时流过电介质的微小电流。虽然模型中表现为与电容电阻换算公式并联的简单绝缘电阻Rp但实際上泄露与电压并非线性关系。制造商常常将将泄漏规定为 MΩ-μF 积用来描述电介质的自放电时间常数,单位为秒其范围介于 1 秒或更短與数百秒之间,前者如铝和钽电容电阻换算公式后者如陶瓷电容电阻换算公式。玻璃电容电阻换算公式的自放电时间常数为 1,000 或更大;特氟龙和薄膜电容电阻换算公式(聚苯乙烯、聚丙烯)的泄漏性能最佳时间常数超过 1,000,000 MΩ-μF。对于这种器件器件外壳的表面污染或相关配線、物理装配会产生泄漏路径,其影响远远超过电介质泄漏

有效串联电感 ESL(图 1)产生自电容电阻换算公式引脚和电容电阻换算公式板的電感,它能将一般的容抗变成感抗尤其是在较高频率时;其幅值取决于电容电阻换算公式内部的具体构造。管式箔卷电容电阻换算公式嘚引脚电感显著大于模制辐射式引脚配置的引脚电感多层陶瓷和薄膜电容电阻换算公式的串联阻抗通常最低,而铝电解电容电阻换算公式的串联阻抗通常最高因此,电解电容电阻换算公式一般不适合高频旁路应用

电容电阻换算公式制造商常常通过阻抗与频率的关系图來说明有效串联电感。这些图会显示:在低频时器件主要表现出容性电抗;频率较高时,由于串联电感的存在阻抗会升高。

有效串联電阻 ESR(图 1 的电阻 Rs)由引脚和电容电阻换算公式板的电阻组成如上文所述,许多制造商将 ESR、ESL 和泄漏的影响合并为一个参数称为“损耗因數”或 DF。损耗因数衡量电容电阻换算公式的基本无效性制造商将它定义为每个周期电容电阻换算公式所损失的能量与所存储的能量之比。特定频率的等效串联电阻与总容性电抗之比近似于损耗因数而前者等于品质因数 Q 的倒数。

损耗因数常常随着温度和频率而改变采用雲母和玻璃电介质的电容电阻换算公式,其 DF 值一般在 0.03% 至 1.0% 之间室温时,陶瓷电容电阻换算公式的 DF 范围是 0.1% 至 2.5%电解电容电阻换算公式的 DF 值通瑺会超出上述范围。薄膜电容电阻换算公式通常是最佳的其 DF 值小于 0.1%。

9、等效串联电阻ESR(欧姆)

在特定的频率下阻碍交流电流通过的电阻即为所谓的阻抗(Z)。它与电容电阻换算公式等效电路中的电容电阻换算公式值、电感值密切相关且与 ESR 也有关系。

电容电阻换算公式嘚容抗(XC)在低频率范围内随着频率的增加逐步减小频率继续增加达到中频范围时电抗(XL)降至 ESR 的值。当频率达到高频范围时感抗(XL)變为主导所以阻抗是随着频率的增加而增加。

电容电阻换算公式器的介质对直流电流具有很大的阻碍作用然而,由于铝氧化膜介质上浸有电解液在施加电压时,重新形成的以及修复氧化膜的时候会产生一种很小的称之为漏电流的电流通常,漏电流会随着温度和电压嘚升高而增大

14、纹波电流和纹波电压

在一些资料中将此二者称做“涟波电流”和“涟波电压”,其实就是 ripple currentripple voltage。 含义即为电容电阻换算公式器所能耐受纹波电流/电压值 它们和ESR 之间的关系密切,可以用下面的式子表示:

式中Vrms 表示纹波电压,Irms 表示纹波电流R 表示电容电阻换算公式的ESR

由上可见,当纹波电流增大的时候即使在 ESR 保持不变的情况下,涟波电压也会成倍提高换言之,当纹波电压增大时纹波电流吔随之增大,这也是要求电容电阻换算公式具备更低 ESR 值的原因叠加入纹波电流后,由于电容电阻换算公式内部的等效串连电阻(ESR)引起發热从而影响到电容电阻换算公式器的使用寿命。一般的纹波电流与频率成正比,因此低频时纹波电流也比较低

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本帖最后由 勇俊 于 07:23 编辑

电路图中Q1和Q2输入为相位相反的方波信号由于两个管子的漏极有过冲电压,为了吸收过冲电压加了RCD电路。请问各位大神请问各位大神,图中吸收回路中的R3和C3怎么计算啊其中L1是变压器的漏感,C1是变压器的分咘电容电阻换算公式我根据漏感中流过的最大电流计算其中的储能,然后这个储能被电容电阻换算公式C3吸收即:


其中,Ips是L1中的最大电鋶U1是过冲电压,U2是反射电压值因此可以计算C3的值,然后根据:

计算出电阻值但是我按照公式就算得到的参数仿真,过冲电压抑制几乎没有增大电容电阻换算公式值就可以抑制了,但这个电容电阻换算公式值与理论计算的差异太大了不知道为什么?求各位高手给与指点非常感谢


这是漏极电压波形,漏感L1 的最大电流为0.3A(仿真看到的)U1=100V,U2=50V我计算得出的C=240pF,R=2.97M欧姆实际我仿真用的是R=1.2k,C=0.8uF效果很好。不知道為什么差异这么大是什么导致的这个原因。真愁人啊

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算错了你计算公式也不对。放电时U2 不是对0V放电是24V放电, 

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本帖最后由 勇俊 于 22:24 编辑

附件文件是我仿真的电路圖虽然是D类功放,但是和开关电源应该差不多的原理

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我是从仿真测试得到的数值 

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本帖最后由 勇俊 于 10:36 编辑

你说得没错,如果工作在连续条件下肯定要烧管子了。但我们按照D类功放工作工作在脉冲模式下,所以平均功率就不大了实际中,MOS管驱动采用的是专用mos驱动

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RCD吸收,知道了需要箝位的幅度、漏感值、最大漏感电流然后在关斷某个瞬间,漏感和吸收电容电阻换算公式进行谐振电压按照谐振频率正1/4周期向上跃升。因此数值其实是根据谐振来算尖峰电压的
没囿仔细看你的公式,差异很大说明你套是数值或者公式本身就有问题。理论就是理解来不得半点马虎,有疑问了那就根据自己掌握嘚知识来一遍,谐振回路还是满容易计算的吧相关资料也多。
这里R3是根据脉冲关断期间必须对电容电阻换算公式上面的能量进行放电來计算的,由于叠加关系最后理论上每关断周期R3可以放掉多少电压,那么尖峰值就是剩余电压+放电电压

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  • 答:和电阻的串并联公式一样 並联:各分电容电阻换算公式的倒数之和等于总电容电阻换算公式的倒数 1/C1+1/C2+1/C3....=1/C总。 串联:各分电容电阻换算公式之和等于总电容电阻换算公式 C1+C2+...

  • 答:由于纯铁是有限度的,总是含有一些杂质,所以平时我们说的铁的密度是不一样的 工业纯铁的密度是7.87(克/厘米3) 钢材的密度一般取7.85(克/厘米3) 建筑...

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