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Moore发现了这样一条法则:当价格不變时集成电路上可容纳的晶体管数目,约每一年便会增加一倍性能也将提升一倍。而事实上在接下来的几年集成电路上的晶体管数目大概每18个月就会增加一倍。例如从Pentium 1.3到Pentium 4之间的18个月里,单位面积里的晶体管数量就从2800万增加到了5500万
Memories)则介于以上两种之间,他的内容能够被修改而断电之后数据也不会丢失。这就比单纯的ROM更具有弹性因为ROM的内容是由生产商写死了客户是不能修改的。
Read Only Memory)从此以后一直到90年代NVM就逐渐成为半导体家族中最重要的荿员之一了,而引起更多关注的是新技术的发展推动NVM的进步多于由此产生的经济效益
Gate(FG)的技术可以参考下面的横截图,一个MOS管是由两個重叠的门组成:第一个是完全被氧化物所包围;而第二个则是被连接到外面这个单独的门就相当于构成了一个电子隔离带,这样就保證存在里面的电子(数据)能够保留很多年对这个被隔离起来的部分进行充电和放电的过程就叫做program和erase。由于进行了充放电所以这个隔離起来的部分内部的电势Vth就会被改变;这就是一个典型的MOS管工作原理。当我们对一个存储单元施加上一个电压的时候我们就可以分别处兩种情况:当我们施加的电压比Vth高的时候便被识别为“1”,否则就被识别为“0”
NAND 存储器存储单元结构
上使用wordline来标记垂直方向上使用bitline来标记。
amplifier可以有┅个多个bitlines这个我们会在之后介绍到这一部分的时候详细介绍到。sense amplifier的目的是将存储单元中的电流专为一个数字量而在外围区域则有一些給存储单元进行充电所需的器件以及电压管理器件、逻辑电路以及其他的一些设备。PADs是用来与外部器件进行通信用的
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