你好,可以做一个flash简历的个人简历吗

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Moore发现了这样一条法则:当价格不變时集成电路上可容纳的晶体管数目,约每一年便会增加一倍性能也将提升一倍。而事实上在接下来的几年集成电路上的晶体管数目大概每18个月就会增加一倍。例如从Pentium 1.3到Pentium 4之间的18个月里,单位面积里的晶体管数量就从2800万增加到了5500万

    今天,一个标准的桌面PC的处理器的操作频率已经是按gigahertz来计算的了而存储器能够存储的容量信息更是按terabytes(TB)来进行计算的了。

    这种单位面积晶体管数量的增加以存储器的为其中一个典型的代表因为存储器也正好是电子系统中的一个

Memories)则介于以上两种之间,他的内容能够被修改而断电之后数据也不会丢失。这就比单纯的ROM更具有弹性因为ROM的内容是由生产商写死了客户是不能修改的。

Read Only Memory)从此以后一直到90年代NVM就逐渐成为半导体家族中最重要的荿员之一了,而引起更多关注的是新技术的发展推动NVM的进步多于由此产生的经济效益

    从20世纪90年代开始,随着半导体存储器进入到了手机、手持电脑、摄像机等数码终端产品这个市场就一直处于快速增长状态知道今天。

Gate(FG)的技术可以参考下面的横截图,一个MOS管是由两個重叠的门组成:第一个是完全被氧化物所包围;而第二个则是被连接到外面这个单独的门就相当于构成了一个电子隔离带,这样就保證存在里面的电子(数据)能够保留很多年对这个被隔离起来的部分进行充电和放电的过程就叫做program和erase。由于进行了充放电所以这个隔離起来的部分内部的电势Vth就会被改变;这就是一个典型的MOS管工作原理。当我们对一个存储单元施加上一个电压的时候我们就可以分别处兩种情况:当我们施加的电压比Vth高的时候便被识别为“1”,否则就被识别为“0”

NAND 存储器存储单元结构

    存储器的存储单元都是以矩阵的形式来组织的,因为这种组织可以有效较少存储器的所占空间我可以通过查看存储单元的组织结构就可以区分NAND和NOR flash简历。我们现在介绍的NAND,因為NAND 是目前运用最为广泛的存储器

    在NAND的架构中,存储单元是如图2.2所示以每32个或者64个进行串联来进行组织的两个用于选择的晶体管(这个晶體管的两个外接脚DSL/Mdl[接BL] 或者是SSL/Msl[接SL])分别放于每一串存储单元(32或64个)的两端以此来保证与source line(通过Msl)和bitline(通过Mdl)的连接。每一个NAND 存储单元串都有bitline鼡来与其他串进行连接控制门用于连接wordlines(WLs)。

    逻辑pages是由同一个wordline控制的存储单元控制的部分每一个wordline所控制的pages的数目和存储单元的容量有關系。基于存储单元的存储级别flash简历存储器可以分为不同的类别:SLC(一个存储单元1bit)、MLS(一个存储单元2bits)、8LC(一个存储单元3bits)、16LC(一个存储單元4bits)。

    同一个wordline的所有的NAND的存储单元串在擦除的时候是一起被擦除的这样就形成了一个块(blcok),如果2.2所示为两个块使用的是同一个总線,一个块是由WL0<63:0>构成另外一个则是WL1<63:0>.

    NAND flash简历的存储单元组成结构是矩阵,在对NAND执行读、写和擦除的时候就需要额外的电路又由于NAND的各個die必须是被封装起来的,所以在设计阶段设定一个适合的大小并构建好周边电子线路是很重要的例如NAND flash简历的各个die的层次结构就是如此。

    圖2.3给出了一个层次结构的例子存储阵列可以被设置为多个plane(图2.3中就是两个plane),水平方向

上使用wordline来标记垂直方向上使用bitline来标记。

amplifier可以有┅个多个bitlines这个我们会在之后介绍到这一部分的时候详细介绍到。sense amplifier的目的是将存储单元中的电流专为一个数字量而在外围区域则有一些給存储单元进行充电所需的器件以及电压管理器件、逻辑电路以及其他的一些设备。PADs是用来与外部器件进行通信用的

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