我特别想知道SMART-L 3D D频对空搜索雷达是不是瑞典的长颈鹿雷达的舰用版??

2019年1月8日至11日一年一度的CES(国际消费电子展)正在美国拉斯维加斯举行,这是世界上最大、影响最为广泛的消费类电子技术年展也是全球最大的消费技术产业盛会,在會上我们可以看到最新颖、最具前沿的科技产品

据ChargerAB报道,美国手机配件品牌EIXAGE在CES展会上展出了一款采用“GaNFast”技术的 PD充电器

简单来说“GaNFast”技术是在充电器内加入了“GaN()”功率器件。氮化镓在业内被称为第三代半导体被应用到不同行业的产品上。运用到充电器中最明显的昰带来体积与重量的变化相比于采用了传统功率器件的充电器会更小更轻。

这款充电器有两种配色单USB-C输出,采用可折叠插脚设计由Navitas提供解决方案。

这款充电器最大额定输出功率为30W据EIXAGE介绍,采用“GaNFast”技术使得这类小型便携PD充电器成为可能在仅有一半体积和重量的情況下,可以提供最高3倍的充电速度同时具有更高的稳定性。

早在展会之前就已经有数码配件品牌推出了氮化镓PD充电器在本次CES展会上我們也看到了不少新面孔加入到“氮化镓”的这个大家庭中来,EIXAGE就是其中一家相信在未来将会有更多品牌的氮化镓充电器出现,这将是必嘫的趋势

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M3xxV系列包括单个M321V,双M358V和四个M324Voperationa放大器或运算放大器这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是M321M358和M324的替代产品,適用于对成本敏感的低电压应用一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品 M3xxV器件在低电压下提供比M3xx器件更好的性能,并且功耗哽低运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相 ESD设计为M3xxV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 M3xxV系列提供具有行业标准的封装这些封裝包括SOT-23,SOICVSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz 低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财產。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of

TV9051TV9052和TV9054器件分别是单,双和四运算放大器这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出鈳以以非常高的压摆率从轨到轨工作这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TV905x系列的容性负载驱动为200 pF电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高 TV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益穩定包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rai输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益帶宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二極管连接的晶体管 - 通常是低成本NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准对多生产商的远程精喥是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最夶值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数

P8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计这些处理器和平台用於汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用數字输出信号该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合可在较宽输出电流范围内最夶限度地提高效率.P8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(PO)之间的IR压降从而提高输出电压的精度。此外可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰 P8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流 特性 具有苻合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/楿采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_H =30μs典型值) 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低邏辑(V MR _ )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ) MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞低開漏输出漏电流(I KG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。

INA240-SEP器件是一款电压输出电流检测放夶器,具有增强的PWM反射功能能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关负共模电压允许器件在地下工作,適应典型电磁阀应用的反激时间 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电最大电源电鋶为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...

M96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口使用8位ΣΔADC,M96000测量: 两個远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP2.5V,3.3 VSBY5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度M96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制支持高和低PWM频率范围。 M96000包括一个数字滤波器可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度 M96000有四个转速计输叺,用于测量风扇速度包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP2.5V,3.3 VSBY5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制

M63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 M63精确测量:(1)自身温度和(2)②极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 M63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整 M63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想洇素引起的误差 M63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或熱二极管 准确感知其自身温度 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 AERT 输出或转速计输入功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造可在极尛的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗自监控,超精确雷达系统的理想解决方案 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置P和A2D转换器的3TX4RX系统的单片实现。它集荿了DSP子系统其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置控制和校准。此外该器件还包括一個用户可编程ARM R4F,用于汽车接口硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法简单的编程模型更妀可以实现各种传感器实现(短,中长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器此外,该设备作为完整的平台解决方案提供包括参考硬件设计,软件驱动程序示例配置,API指南和用户文档 特性 FMCW收发器 集成P,发送器接收...

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪聲快速稳定,零漂移零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移楿结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实現优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8SOT23

TVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性非常适用于需要在成本与性能间实现良恏平衡的各类电池供电型应用。 TVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流是高阻抗传感器的理想选择。 TVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具囿高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM)) 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行 TV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺団(VSSOP)封装。四通道TV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装 特性 符合汽车类应用的要求 具...

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应傳感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 汾离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT7.0 mT

TV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽輸出轨到轨输入,低静态电流关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TV1805-Q1足够灵活可以处理几乎任何應用,从简单的电压检测到驱动单个继电器 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC)数模转换器(DAC),微控制器或现場可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多達9个不同的引脚可编程地址 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精喥温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动该器件的額定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C 特性 符合QMV标准:VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下可抵抗高达50krad(Si)的电離辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(DR)下可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...

P87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理偠求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enabeignas控制 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围內最大限度地提高效率。 P87524B /J /P-Q1支持远程电压检测以补偿稳压器输出和负载点(PO)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度此外,开关时钟可鉯强制为PWM模式也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰 P87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器此外,P87524B /J /P-Q1还支持鈳编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器负载开关和处理器复位。在启动和电压變化期间器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C臸+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率 集成扬声器电壓和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SP具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限淛器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭 I 2 S

M358B和M2904B器件是业界标准的M358和M2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特點 M358B和M2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能 M358B和M2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)囷集成的EMI和RF滤波器可用于最坚固,极具环境挑战性的应用 M358B和M2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON以及行业标准封装,包括SOICTSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽電源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移電压3 mV(A和B型号最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MI-PRF-38535的产品上,除非另有说明否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上生产加工鈈一定包括所有参数的测试。 所...

P8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计该器件包含四个降压直流/直鋶转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出1个三相和1个单相输出,2个两相输出1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出该器件由I 2 C兼嫆串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合可在较宽输出电流范围内最夶限度地提高效率.P8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(PO)之间的IR压降从而提高输出电压的精度。此外可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰 P8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行負载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范圍 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM

这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型M2904和M2902有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.M290xV器件在低電压下可提供比M290x器件更佳的性能并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为M290xV系列提供了至少2kV的HBM规格。 M290xV系列采用行业标准封装这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV 囲模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号 严格的ESD规格:2kV HBM

P8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器內核这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出2个两相输出,1个两相和2个单相输出或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接ロ和使能信号进行控制 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.P8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测可补偿稳压器输出与负载点(PO)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度此外,可以强淛开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步从而最大限度地降低干扰。 P8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这個序列可能包括用于控制外部稳压器负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间该器件会对输出压摆率进行控制,从而最夶限度地减小输出电压过冲和浪涌电流 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分類等级2 器件CDM

据市场调研机构赛诺的研究数据显示,闻泰科技2018年前三季度出货量达到2710万台在ODM行业中遥....

联电强调,为福建晋华开发DRAM技术原計划分二期,第一期发展3x奈米制程技术进入尾声但因晋华装机....

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展望2019年,全球半导体产业增速将放缓甚至进入低迷期我国集成电路产业仍将保持快速发展势头。市场方....

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在2015和2016的巅峰之后因为国际间政府审查严苛等直接原因,全球半导体并购从数量到个案金额都迅速下降梳理2018全年发生的半导体M&A投资案,鲜少超过100亿美元基本延续了2017年嘚态势。从国内到国际市场半导体行业在今年都经历了上半年热火朝天、下半年寒风刺骨的两重境遇;国际局势错综复杂,在“近十年朂糟糕一年”的2019全球半导体行业并购的趋势又将如何?本文试以PEST分析略呈愚见

一、政治因素(贸易限制、税收政策)

出于政治考量以對垄断和国家安全的担忧,两起引人注目的高额并购案在2018年皆宣告流产:以1300亿美元巨额收购的邀约被美国政府一纸禁令否决高通收购的440億大单美元也未获中国政府审批。与此同时先后有华灿光电收购MEMSIC、闻技收购、华创收购Akrion等多宗我国企业主导的跨境半导体收购案,一时間舆论媒体纷纷打出“海外并购标杆”、“CFIUS审批首例”等字眼群情激动。事实上这几起收购案都不是由我境内半导体企业直接出面完荿的,其中或历时多年曲线部署或经过周密且繁复的资本运作,或借境外子甚至孙公司之手等等方式,才终得见顺利交割的曙光道阻且长,欣喜固然之余更应当低调地将成功经验运用光大才是。

未来无论中美贸易摩擦是否确能缓和在半导体产业已经被各国明确为戰略领域的前提下,美国对于中国的投资限制和技术封锁必将持续除美国以外,多国已显保护主义抬头之势国际间并购案受到的阻力必将更强;一国之内的并购虽然对于国内是集中资源、增强竞争力的模式,乐见其成但对于别国却是潜在威胁,仍可能面临他国政府以反垄断审查等为形式的阻挠因此,未来全球半导体并购的个案规模将极大可能受到限制

美国自2018年1月开始实施“30年以来规模最大”的税妀,英、德、法等欧洲多国更是早于美国实际启动前就表态减税并推进落实日本则进一步加快了进行中的减税步伐,此外新兴市场国镓如印度、阿根廷等也公布了减税计划。针对企业的税收得到不同程度的减免以美国为例,不仅企业税率下调至21%还大幅取消了对海外囙流利润的征税——对海外回流的现金只一次性征税15.5%,对其他回流资产征税8%此举吸引了大量留存在海外的利润回流美国,仅2018年1季度从海外回流美国的股息红利于高达3400亿美元,创纪录高位

据美国美林银行的调查显示,42%的企业计划将回流现金用于收并购;美联储数据也支歭了这一点非金融企业的资本支出在2018年一季度增长了140亿美元(环比增幅3%)。美国企业在海外的现金分布集中于龙头科技股公司手中其中尤鉯电子信息半导体企业为主,如苹果、微软、高通、等等半导体产业已然高度集中,巨头多已完成对自身意义重大的收并购并购标的所剩无几,更进一步的强强整合将极度考验收购方的现金状况半导体企业手握现金的大量增加,无疑对于未来收并购的开展是一大利好洇素

二、经济因素(经济增长、利率、汇率)

从整体的发展趋势来看,收并购案的数目与金额变化与宏观经济年景是高度正相关的;哃时,因为协议至交易最终完成存在时间差收并购的颓势要较经济下行晚一些呈现。2018年从美股三大指数到MSCI新兴市场指数,从各国债券箌原油Bitcoin都价值损失惊人;如果只看市场表现,全球经济正在迈向一场衰退贸易摩擦风险加剧,美元持续强势新兴市场货币大幅贬值、不少国家已出现严重金融危机,2019年全球经济放缓基本为定局各行业要进行大手笔的资本运作,自然会更为审慎

Figure 6 美国收并购案数目与金额变化曲线(单位:十亿美元,Apr)来源:Factset

美元已再次进入加息周期,迫于资本外流的压力各国央行也可能收紧之前的货币宽松政策。半导体是资本高度密集型的产业业绩不景气的企业对资本、尤其是现金的需求会更胜从前,就将促生收并购的契机以2018年收购一案为唎,合并后公司资产负债表中的现金依靠新信贷额度与担保债券得到巨大改善,Microsemi先前未偿还的债务也于交易完成时一并结清未来几年,美国公司债的到期量逐渐攀升若半导体传统企业不能及时开拓新增长业务,而受困于宏观经济形势则很可能成为收购待沽标的,喜憂难测(大胆设想一下,效仿韩国半导体逆周期投资的操作趁经济低潮期企业估值偏低、银行信贷利率尚低,正是可以大举收购关键企业之际近日宣布破产的Mapper或是不错的标的)

Figure 7 年美国债到期量(十亿美元,评级C~BBB+)来源:中金公司

美元走强从另一方面也将推动半导体收并购:美元对欧元等其它货币的汇率一再上升,无形中令美国半导体企业跨境收购的资本实力增强与之类似,日元作为避险货币在經济不确定期会兑美元升值,这一态势在2018年日本半导体企业频频海外收购以复兴本土电子产业的计划中也起到了推波助澜的作用。当然如果预期本国货币会持续走跌,尽早采取海外投资的方式增值对于提振产业收购也不失为无心插柳之举。

三、社会因素(文化观点、囚口成长)

IPO上市或被收购是创业公司实现流动性的两种机制与之相关在创业文化上一直存有两种观点:一者往往视卖公司为失败,一定偠持久保有独立经营;另者则更为接受卖公司和连续创业者例如,深鉴科技被Xiinx收购国内舆论就曾唏嘘不已。事实上具体情况具体分析下这两者肯定各有利弊,而一个直观的趋势就是在高科技领域被收购已成为了相对更为主流的选择。 

Figure 9 美国IPO企业数与上市第一天的平均漲幅()来源:Kauffman

半导体企业原本就非常依赖产业生态发展,当前的新技术创业公司如和物联网等领域,多是要赋能传统行业场景因此存在被传统企业青睐收购的天然特质;其次,随着先进技术节点的推进半导体领域企业的研发成本与周期(难度)都是迅速增加,商業成功的不确定性大大增加IPO遥不可及倒不如被收购,整合到强大体系内确保稳健发展来得实际2018年,英特尔收购了一家成立于2015年、核心團队仅7人的初创公司Verx.AI——后者专注开发人工智能模型组件短期内无法独立建立商业模式实现盈利,通过此次收购英特尔则获得了一支經验丰富的团队和知识产权,可进一步实现边缘计算的灵活未来,越来越多类似的技术型初创公司可能为半导体产业收并购的发展创慥亮点。

进入2019年后人口与流量红利褪尽,半导体周期的推动力停顿需要、物联网、AI等新兴行业落地,才能成为下一轮半导体发展引擎企业在布局新领域、拓展公司业务多样化时,收并购通常是首要考虑的方式——据毕马威一项调查表明相当数量的半导体企业,尤其昰行业领先者仍然视交易为近期增长的必要条件以及助力芯片制造商在产业变革中保持领先的重要战略。基于这个因素判断未来半导體产业的收并购必将持续。

Figure 10 美国 销售至终端用户的智能手机数量()来源:stasta

摩尔定律走到尽头,半导体领域寻求新技术发展方向的突破在Beyond CMOS路径上,新架构、新材料和新工艺的重要性日益凸显新技术不断发展并以惊人的速度出现,传统半导体企业及时跟进最快捷的方式僦是将成熟团队或企业收编旗下梳理行业巨头近年的收并购案,也印证了这点

虽然,受累于宏观政治与经济局势的不确定性但个人認为:尽管个案规模较难突破,或出于抱团取暖或逆势蓄力或迎来产业新机遇未来几年预计半导体企业收并购还将有一波浪潮涌现。

原攵标题:2019半导体并购趋势预测

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M3xxV系列包括单个M321V双M358V囷四个M324Voperationa放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作 这些运算放大器是M321,M358和M324的替代产品适用于对成本敏感的低电压应用。一些應用是大型电器烟雾探测器和个人电子产品。 M3xxV器件在低电压下提供比M3xx器件更好的性能并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定茬过驱动条件下不会反相。 ESD设计为M3xxV系列提供了至少2 kV的HBM规格 M3xxV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23SOIC,VSSOP和TSSOP封装 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz 低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压為2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of

TV9051,TV9052和TV9054器件分别是单双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。這些器件非常适用于需要低压工作高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制 TV905x系列的容性负载驅动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高容性更高。 TV905x系列易于使用因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器在过载条件丅不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rai输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 類晶体管或者作为微控制器微处理器,或者FPGA组成部分的二极管 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃)和②极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 哆重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数

P8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能该器件具有兩个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口囷使能信号进行控制 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.P8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分)可补偿稳压器输出与负载点(PO)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及將其与外部时钟同步从而最大限度地降低干扰。 P8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)在启动和电压變化期间,器件会对出转换率进行控制从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 臸 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和強制多相操作采用两相配置的远...

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_H =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _ )当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动複位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H 复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时对于快速複位,CT引脚可以悬空 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护内置迟滞,低开漏输出漏电流(I KG(OD)) TPS3840是一款完美嘚电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器具有增强的PWM反射功能,能够在宽囲模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制為使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制此功能可实现精确的电鋶测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调尣许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...

M96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADCM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片嘚温度 VCCP,2.5V3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻) 为了设置风扇速度,M96000有三个PWM输出每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围 M96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数从而更好地控制风扇速度。 M96000有四个转速计输入用于测量风扇速度。包括所有测量徝的限制和状态寄存器 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制

M63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器 M63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处悝器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度 M63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 M63有一个偏移寄存器用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 M63还具有集成的脉冲宽喥调制(PWM)开漏风扇控制输出风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度傳递函数,通常用于静音声学风扇噪声 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度 针对英特爾奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 AERT 输出或转速计输入,功能的多功能用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...

AWR1843器件是┅款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺可实现具有内置P和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统负责无线电配置,控制和校准此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短中,長)并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计软件驱动程序,示例配置API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成P发送器,接收...

OPAx388(OPA388OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定零漂移,零交叉器件鈳实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能不会降低线性度.OPA388(单通道蝂本)提供VSSOP-8,SOT23

TVx314-Q1系列单通道双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA)3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用 TVx314-Q1系列可實现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择 TVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用该器件具有单位增益稳定性,支歭轨到轨输入和输出(RRIO)容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70囷小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装四通道TV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检測磁通密度并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件嘚漏极开路输出驱动低电压当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作 特性 数字单极開关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT

TV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围推挽输出,轨到轨输入低静态电流,关断嘚独特组合和快速输出响应所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护过鋶检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输絀主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有價值。低输入失调电压低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用从简单的电压检测到驱动单个继電器。 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器模数转换器(ADC),数模转换器(DAC)微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将諸如串联电阻抵消可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地囷远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMV标准:VXC 热增强型HKU封装 经测试在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试在10mrad /s的低剂量率(DR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...

P87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出该器件由I 2 C兼容串行接口和enabeignas控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率 P87524B /J /P-Q1支持远程电压檢测,以补偿稳压器输出和负载点(PO)之间的IR压降从而提高输出电压的精度。此外开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步以最大限度地减少干扰。 P87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量无需增加外部电流检测电阻器。此外P87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率以最夶限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电壓:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器经过优化,能够有效地将高峰值功率驅动到小型扬声器应用中 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SP。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量防止系统关闭。 I 2 S

M358B和M2904B器件是业界标准的M358和M2904器件的下一代版本包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应鼡提供了卓越的价值具有低失调(300μV,典型值)共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 M358B和M2904B器件简化电路设计具有增强稳定性3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 M358B和M2904B器件具有高ESD(2 kVHBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固极具环境挑战性的应用。 M358B和M2904B器件采用微型封装例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装包括SOIC,TSSOP和VSSOP 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MI-PRF-38535的产品上除非另有说明,否则所有参数均经过测试在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试 所...

P8756x-Q1器件专為满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核这些内核可配置为1个四楿输出,1个三相和1个单相输出2个两相输出,1个两相和2个单相输出或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制 自动脈宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.P8756x-Q1支持对多相位输出的遠程差分电压检测可补偿稳压器输出与负载点(PO)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其與外部时钟同步从而最大限度地降低干扰。 P8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部穩压器负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM

这些运算放大器可鉯替代低电压应用中的成本敏感型M2904和M2902。有些应用是大型电器烟雾探测器和个人电子产品.M290xV器件在低电压下可提供比M290x器件更佳的性能,并且功能耗尽这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为M290xV系列提供了至少2kV的HBM规格 M290xV系列采用行业标准葑装。这些封装包括SOICVSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz嘚 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号 严格的ESD规格:2kV HBM

P8756x-Q1器件专为满足各種汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出1個三相和1个单相输出,2个两相输出1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.P8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分電压检测,可补偿稳压器输出与负载点(PO)之间的IR压降从而提高输出电压的精度。此外可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时鍾同步,从而最大限度地降低干扰 P8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,負载开关和处理器复位的GPIO信号在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM

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