什么是功率?它的物理含义是什么?功跟完成这些功所用时间的比值叫做功率,可见功率是用来描述物体做功快慢的物理量._百度作业帮
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什么是功率?它的物理含义是什么?功跟完成这些功所用时间的比值叫做功率,可见功率是用来描述物体做功快慢的物理量.
什么是功率?它的物理含义是什么?功跟完成这些功所用时间的比值叫做功率,可见功率是用来描述物体做功快慢的物理量.
功率百科名片功率是指物体在单位时间内所做的功,即功率是描述做功快慢的物理量.功的数量一定,时间越短,功率值就越大.求功率的公式为功率=功/时间 [编辑本段]功率定义　　 功率公式　　　　求功率的公式也为P=W/t =UI=I²R=U²/R　　P表示功率,单位是“瓦特”,简称“瓦”,符号是“w”.W表示功,单位是“焦耳”,简称“焦”,符号是“J”.t表示时间,单位是“秒”,符号是“s”.因为W=F（f 力）*s（s位移）（功的定义式）,所以求功率的公式也可推导出P=F·V（当V表示平均速度时求出的功率为相应过程的平均功率,当V表示瞬时速度时求出的功率为相应状态的瞬时功率）.　　功率越大转速越高,汽车的最高速度也越高,常用最大功率来描述汽车的动力性能.最大功率一般用马力 (PS)或千瓦(kw)来表示,1马力等于0.735千瓦.1w=1J/s　　　功率的计算公式：P=W/t（平均功率） P=FV（瞬时功率）　　 功率的各种称谓　　功率就是表示物体做功快慢的物理量,物理学里功率P＝功W/时间t,单位是瓦w,我们在媒体上常常看见的功率单位有kw、ps、hp、bhp、whp mw等,还有意大利以前用的cv,在这里边千瓦kw是国际标准单位,1kw＝1000w,用1秒做完1000焦耳的功,其功率就是1kw.日常生活中,我们常常把功率俗称为马力[1],单位是匹,就像将扭矩称为扭力一样.　　在汽车上边,最大的做功机器就是引擎,引擎的功率是由扭矩计算出来的,而计算的公式相当简单：功率(w)＝2π×扭矩(Nm)×转速(rpm)/60,简化计算后成为：功率(kw)=扭矩(Nm) ×转速(rpm)/9.549.　　由于英制与公制的不同,对马力的定义基本上就不一样.英制的马力(hp)定义为：一匹马于一分钟内将200磅(lb)重的物体拉动165英尺(ft),相乘之后等于33,000lb-ft/min；而公制的马力(ps)定义则为一匹马于一分钟内将75kg的物体拉动60米,相乘之后等于4500kgm/min.经过单位换算,(1lb=0.454kg；1ft=0.3048m)竟然发现1hp=4566kgm/min,与公制的1ps=4500kgm/min有些许差异,而如果以瓦作单位(1w=1Nm/sec=9.8kgm/sec)来换算的话,可得1hp=746w；1ps=735w,两项不一样的结果,相差1.5%左右.　　德国的DIN与欧洲共同体的新标准EEC有日本的JIS是以公制的ps为马力单位,而SAE使用的是英制的hp为单位,但由于世界一体化经济的来临和为了避免复杂换算,越来越多的原厂数据已改提供毫无争议的国际标准单位千瓦kw作为引擎输出的功率数值.　　 匀功率运动　　匀功率运动指功率P不变的运动　　基本关系(无阻力)：　　P=Fv　　则：　　s^3=(16pt^3)/(27m)　　v^2=(2Pt)/m　　a^2=P/(2mt)　　由于自然情况下大多数机械或生物的功率是大致不变的,匀功率运动有它的实际意义. [编辑本段]概述　　功率测量用于测量电气设备消耗的功率,广泛应用于家用电器、照明设备、工业用机器等研究开发或生产线等领域中.本文重点介绍了几种功率测量的方法及其具体应用.　　 功率测量技术　　　　测量功率有4种方法：　　(1)二极管检测功率法；　　(2)等效热功耗检测法；　　(3)真有效值/直流(TRMS／DC)转换检测功率法；　　(4)对数放大检测功率法.　　下面分别介绍这4种方法并对各自的优缺点加以比较.　　1.1 利用二极管检测功率法　　用二极管检测输入功率的电路如图l所示,图l(a)为简单的半波整流、滤波电路,该电路的总输入电阻为50Ω.D为整流管,C为滤波电容.射频输入功率 PIN经过整流滤波后得到输出电压U0.但是当环境温度升高或降低时U0会显著变化.图1(b)为经过改进后的二极管检测输入功率的电路,该电路增加了温度补偿二极管D2,可对二极管D1的整流电压进行温度补偿.二极管具有负的温度系数,当温度升高时D1的压降会减小,但D2的压降也同样地减小,最终使输出电压仍保持稳定.　　需要指出,二极管检测电路是以平均值为响应的,它并不能直接测量输入功率的有效值,而是根据正弦波有效值与平均值的关系来间接测量有效值功率的.显然,当被测波形不是正弦波时,波峰因数就不等于1．4142,此时会产生较大的测量误差.　　1．2 等效热功耗检测法　　等效热功耗检测法的电路如图2所示.它是把一个未知的交流信号的等效热量和一个直流参考电压的有效热量进行比较.当信号电阻(R1)与参考电阻(R2)的温度差为零时,这两个电阻的功耗是相等的,因此未知信号电压的有效值就等于直流参考电压的有效值.R1、R2为匹配电阻,均采用低温度系数的电阻,二者的电压降分别为KU1和 KU0.为了测量温差,在R1、R2附近还分别接着电压输出式温度传感器A、B,亦可选用两支热电偶来测量温差.在R1和R2上还分别串联着过热保护电阻.　　尽管等效热功耗检测法的原理非常简单,但在实际应用中很难实现,并且这种检测设备的价格非常昂贵.　　1.3 真有效值／直流(TRMS／DC)转换检测功率法　　真有效值／直流转换检测功率法的最大优点是测量结果与被测信号的波形无关,这就是“真正有效值”的含义.因此,它能准确测量任意波形的真有效值功率.测量真有效值功率的第一种方法是采用单片真有效值／直流转换器(例如AD636型),首先测量出真有效值电压电平,然后转换成其真有效值功率电平.　　另一种测量真有效值功率的电路框图如图3所示,该电路所对应的典型产品为AD8361型单片射频真有效值功率检测系统集成电路.U1 为射频信号输入端, U0为直流电压输出端.US端接2．7～5．5V电源,COM为公共地.IREF为基准工作方式选择端,PWDN为休眠模式控制端.FLTR为滤波器引出端,在该端与US端之间并联一只电容器,可降低滤波器的截止频率.SREF为电源基准控制端.　　从U1端输入的射频有效值电压为U1,经过平片器1产生一个与U12成比例的脉动电流信号i,该电流信号通过由内部电阻R1和电容C构成的平方律检波器获得均方值电压U12,输入到误差放大器的同相输入端.利用平方器2与误差放大器可构成一个闭合的负反馈电路,将负反馈信号加到误差放大器的反相输入端进行温度补偿.当闭环电路达到稳定状态时,输出电压U0(DC)就与输入有效值功率PIN成正比.有关系式　　 　　式中：k为真有效值／直流转换器的输出电压灵敏度,AD8361的k=7．5 mV／dBm.　　这种检测方法有以下优点：第一,由于两个平方器完全相同,因此在改变量程时不影响转换精度；第二,当环境温度发生变化时,两个平方器能互相补偿,使输出电压保持稳定；第三,所用平方器的频带非常宽,可从直流一直到微波频段.　　1．4 对数放大检测功率法　　对数放大检测器是由多级对数放大器构成的,其电路框图如图4所示.图4中共有5个对数放大器(A～E),每个对数放大器的增益为20dB(即电压放大系数为lO倍),最大输出电压被限制在为lV.因此,对数放大器的斜率ks=lV／20dB,即50mV／dB.5个对数放大器的输出电压分别经过检波器送至求和器(∑),再经过低通滤波器获得输出电压U0.对数放大器能对输入交流信号的包络进行对数运算,其输出电压与kS、PIN的关系式为　　 　　式中：b为截距,即对应于输出电压为零时的输入功率电平值.　　普通对数放大器的特性曲线仅适用于正弦波输入信号.当输入信号不是正弦波时,特性曲线上的截距会发生变化,从而影响到输出电压值.此时应对输出读数进行修正.需要指出,尽管ADI公司生产的AD8362型单片射频真有效值功率检测器也属于对数检测功率法,但它通过采用独特的专利技术能适用于任何输入信号波形,并且特性曲线上的截距不随输入信号而变化.　　 单片直流功率测量系统的设计　　　　MAX42ll 属于低成本、低功耗、高端直流功率/电流测量系统,它是利用精密电流检测放大器来测量负载电流,再利用模拟乘法器来计算功率的,因此并不影响负载的接地通路,特别适合测量电池供电系统的功率及电流值.检测功率和电流的最大误差均低于±1．5％,频率带宽为220kHz.被测源电压的范嗣是4—28v.检测电流时的满量程电压为100mV或150mV.电源电压范嗣是2．7~5.5V,工作电流为670μA(典型值).　　MAX42ll A／B／C的简化电路如图5所示,主要包括精密电流检测放大器,25：1的电阻分压器,模拟乘法器.外围电路包括被测的4~28V源电压,2． 7～5.5V的芯片工作电压,电流检测电阻RSENSE和负载.其测量原理是利用精密电流检测放大器来检测负载电流,获得与该电流成正比的模拟电压,再将该电压加至模拟乘法器,将负载电流与源电压相乘后,从POUT端输出与负载功率成正比的电压.令功率检测放大器的增益为G,RSENSE上的电压为 USENSE,RS+引脚的源电压为URS+,则有　　 　　MAX42l1A／B／C内部的分压器电阻,接到RS+端和模拟乘法器的输入端.这种设计可精确测量电源负载的功率并为电源(例如电池)提供保护.从 POUT端、IOUT端输出的功率信号和电流信号,可分别经过A/D转换器送至单片机.理想情况下,最大负载电流在RSENSE两端产生满量程检测电压.选择合适的增益,使电流检测放大器既能获得最大输出电压,又不会出现饱和.在计算 RSENSE的最大值时,应使RS+端与RS一端之间的差分电压不超过满量程检测电压.适当增加RSENSE的电阻值,可提高USENSE,有助于减小输出误差.　　 单片真有效值射频功率测量系统的设计　　　　对通信系统的要求是在发送端必须确保功率放大器能满足发射的需要,并且输出功率不超过规定指标,否则会导致设备过热损坏.因此,在发射机电路中必须增加射频功率测量和功率控制电路.同样,射频功率测量对接收机也是必不可少的.根据有效值定义所计算出的功率就称为“真有效值功率”(True Root Mean Square Power),简称“真功率”(True Power).由于现代通信系统具有恒定的负载和阻抗源(通常为50Ω),因此只需知道有效值电压就能计算出功率,即可将功率测量转化为对有效值电压的测量.　　传统的射频功率计或射频检测系统的电路复杂,集成度很低.最近,美国ADI公司相继推出AD8361、AD8362和AD8318型全集成化的单片射频真有效值功率测量系统,不仅能精确测量射频(RF)功率,还可测量中频(IF)、低频(LF)功率.　　AD8318是采用将晶片绝缘硅与超高速互补双极型相结合的高速硅锗制造工艺而制成的单片射频功率测量系统.其内部解调式对数放大器的输出电压与被测功率成正比,能精确测量1MHz～8GHz的射频功率.适合测量于机和无线LAN基站的无线输出功率.AD8318不仅远优于传统的产品,而且比模块式测量系统具有更高的性价比,比采用二极管检测功率法的精度更高.AD8318集高精度、低噪声、宽动态范围等优点于一身.AD8318在高达5.8GHz的输入频率下,测量精度优于±ldB,动态范围是55dB；在8GHz时精度优于±3dB,动态范围超过58dB.而输出噪声仅为　　 　　它采用对数放大检测功率法,对数斜率的额定值为一25mV／dB,并可通过改变UOUT、USET引脚之间反馈电压的比例系数来进行凋整.在从IN+端输入信号时,截距功率电平为一25dB.AD8318的典型应用电路如图6所示.　　AD8318是专为测量高达8 GHz的射频功率而设计的,因此保持IN+、IN一引脚之间及各功能单元电路的绝缘性至关重要.AD8318的正电源端UPSI、UPS0必须接相同的电压,由UPSI端为输入电路提供偏置电压,由UPSO端为UOUT端的低噪声输出驱动器提供偏置电压.AD8318内部还有一些独立的公共地.CMOP被用作输出驱动器的公共地.所有公共地应接到低阻抗的印制扳地线区.允许电源电压范围是4．5～5．5V.C3～C6为电源退耦电容,应尽量靠近电源引脚和地.　　AD8318采用交流耦合、单端输入方式.当输入信号频率为lMHz～8GHz时,接在IN+、IN一端的耦合电容(C1、C2)可采用0402规格的 lnF表面封装式瓷片电容,耦合电容应靠近IN+、IN-引脚.外部分流电阻R1(52．3Ω)与IN+端相配合,可提供一个具有足够带宽的50Ω匹配阻抗.AD8318的输出电压可直接送给数字电压表(DVM),亦可送至带A/D转换器的单片机(μC).　　 结语　　　　本文详细介绍了常用的4种功率测量方法,并提供了直流功率测量系统和射频功率测量系统的设计方案. 　　5.常见家用电器电功率　　空调 1500W 　　微波炉 1000W 左右　　电炉 一般大于1000W 　　电热水器 一般大于1000W 　　吸尘器 800W 　　电吹风 500W 　　电熨斗 500W 　　洗衣机 小于500W 　　电视机 200W 　　电脑 200W 　　抽油烟机 140W 　　电冰箱 100W 　　电扇 100W 　　手电筒 0.5W 　　计算器 0.5mW 　　电子表 0.01mW全缓存模组技术_百度百科
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FBD，即Fully-Buffer DIMM，是全缓冲双列直插式存储模块的简称，这是一种串行传输技术，可以提升内存的容量和传输带宽，其实就是在一个标准DDR2内存基础上，增加了一块用于数据中转、读写控制的缓冲控制芯片。这种技术还没有在个人电脑平台上使用，主要针对，比如金士顿的FBD服务器内存，在质量与性能上都非常好，对全天24小时运行机的服务器有着非常重要的作用。外文名Fully-Buffer DIMM类&&&&别串行传输技术
由于FBD的控制发热量非常的大，加之服务器都是全天24小时不间断运行，因为这款内存外面覆盖了散热片，在厚厚的散热片包裹之下，这款产品显得敦实而稳重，给人以踏实的感觉。控制芯片设计在内存的中间，所以正上面的散热片写有警告标志，以防用户触摸时对产品造成损坏或被高温烫伤。技术是为了解决内存性能对系统整体性能的制约而发展出来的，在现有技术基础上实现了跨越式的性能提升，同时成本也相对低廉。在整个中，内存可谓是决定整机性能的关键因素，光有快的CPU，没有好的内存系统与之配合，CPU性能再优秀也无从发挥。这种情况是由计算机原理所决定的，CPU在运算时所需要的数据都是从内存中获取，如果内存系统无法及时给CPU供应数据，CPU不得不长时间处在一种等待状态，硬件资源闲置，性能自然无从发挥。对于普通的个人电脑来说，由于是单处理器系统，目前的已经能满足其性能需求；而对于多路的服务器来说，由于是，其对内存带宽和是极度渴求的，传统的内存技术已经无法满足其需求了。这是因为目前的普通DIMM采用的是一种“短线连接”(Stub-bus)的，这种结构中，每个芯片与的都有一个短小的线路相连，这样会造成电阻抗的不继续性，从而影响信号的稳定与完整，频率越高或芯片数据越多，影响也就越大。虽然Rambus公司所推出的的XDR内存等新型内存技术具有极高的性能，但是却存在着成本太高的问题，从而使其得不到普及。而FB-DIMM技术的出现就较好的解决了这个问题，既能提供更大的和较理想的，也能保持相对低廉的成本。FB-DIMM与XDR相比较，虽然性能不及全新架构的XDR，但成本却比XDR要低廉得多。
与现有的普通DDR2内存相比，FB-DIMM技术具有极大的优势:在相同的情况下目前能提供四倍于普通内存的带宽，并且能支持的也达到了普通内存的24倍，系统最大能支持192GB内存。FB-DIMM最大的特点就是采用已有的DDR2(以后还将采用DDR3)，但它借助内存PCB上的一个缓冲芯片AMB(Advanced MemoryBuffer，高级内存缓冲)将并行数据转换为串行数据流，并经由类似PCI Express的点对点高速串行将数据传输给处理器。
与普通的DIMM模块技术相比，FB-DIMM与之间的数据与命令传输不再是传统设计的并行线路，而采用了类似于PCI-Express的多路并联的设计，以串行的方式进行数据传输。在这种新型架构中，每个DIMM上的缓冲区是互相串联的，之间是点对点的连接方式，数据会在经过第一个缓冲区后传向下一个缓冲区，这样，第一个缓冲区和之间的连接阻抗就能始终保持稳定，从而有助于容量与频率的提升。
平台所支持的Fully-Buffer DIMM（简称FBD）内存，是一种串行传输技术，可以提升内存的容量和传输带宽。FBD其实就是在一个标准DDR2内存基础上，增加了一枚用于数据中转、读写控制的缓冲控制芯片。DDR2并行传输中短线连接的匹配问题，在支持高速内存时存在着限制。然而，的所有串行传输控制都是通过内存中间的一颗AMB（高速内存缓冲）芯片控制的。FBD近乎是一种飞跃级的内存技术，在现有技术基础上实现跨越式的性能提升。其最大的特点就是采用已有的DDR2内存芯片，但它借助一个缓冲芯片将并行数据转换为串行数据流，并经由类似PCI Express的点对点高速串行总线将数据传输给。据悉，FBD可以在现有DDR2-533基础上轻易实现25.2GBps的高带宽；若采用DDR2-800颗粒，FBD的带宽将进一步提升到38.4GBps。[1]
说到FB-DIMM的好处，最根本的核心就是打破了长久以来一直困扰内存应用的Rank数量限制——这一限制将导致不能通过扩充更多来保证更大容量的内存应用，这一弱点对于需要海量内存的来说是很致命的。2006年以前，双路服务器一直受制于Rank数导致的和实施成本问题，也正是在这种情况下，JEDEC便开始针对这一问题发展出了FB-DIMM内存架构。而实际上，FB-DIMM应用的精邃并不在于插上48条4GB的模组以实现传说中的海量内存，在控制现有解决方案成本方面，FB-DIMM才真正体现出得天独厚的优势。举个例子来说，在以前如果有一台双路服务器需要部署16GB的内存应用，我们通常会使用两种方案解决：使用八根单Rank 2GB DDR2内存或者四根双Rank 4GB DDR2内存，因为对于普通DDR2内存，只能支持最多8 Rank应用。然而由于2GB内存和4GB内存均属于需求并不旺盛的高端产品，因而这两种解决方案的实施成本都不便宜。在这种情况下，更经济便捷的做法便是采用没有Rank限制的FB-DIMM，16根1GB的 FB-DIMM同样可以满足系统需求——一个小小的改动甚至就可以降低30%左右的成本，省下的资金，足够用来进一步升级服务器的其他配置了。[2]
FB-DIMM内存技术实现原理
首先需要说明的是，FB-DIMM是Intel开发的一种技术，并不是一种新的技术，但这一技术改变了内存子系统的体系架构。该系统架构如图所示，类似于PCI Express的信号是与传统DIMM的最大不同。
FB-DIMM内存和目前市场上的DDR内存相似，唯一的区别是中间的方形芯片。但实际上，两者有着截然不同的运作机理。首先，DIMM与内存控制器之间的数据与命令传输不再是传统的并行线路，而采用了类似于PCI-Express的串行接口多路并联的设计，以串行的方式进行数据传输。
FB-DIMM在这一方面与PCI-Express有很大的相似点：
第一点，两者均使用差分信号技术，通过一对线路来表达一个信号，即信号是“0”或“1”由这两条线路的电压差来决定。即便有严重的干扰使这对线路传输信号的电压差发生较大范围的波动，它们的电压差仍可保持相对固定，抗干扰能力大大强于单线传输信号的传统技术。
第二点，二者都采用了的传输结构。在与FB-DIMM缓冲芯片内都有专门的发送和接收控制单元，数据读出和写入操作可以在一个周期内同时进行，相互不干扰，这相当于将内存系统的延迟时间缩短了一半，对性能提升有着不可低估的作用。
其次，在FB-DIMM内存上增加了一枚缓冲芯片，它的正式名称为“Advanced Memory Buffer(高级内存缓存，简称AMB)。实际上，AMB并非只是一枚简单的缓冲芯片，它主要承担三方面的功能：一是与北桥芯片中的连接，令数据在内存缓冲与控制器之间传送；二是负责并-串数据的转换和读写控制；三是具备相互通讯的职能，因为它要始终承担着数据传输和读写的中介工作，不同的FB-DIMM必须通过这枚芯片才能够交换信息。
从上面的介绍中，我们知道每个DRAM芯片不再直接与进行数据交换。事实上，除了与系统管理总线（SMBus）的访问，其他的命令与数据的I/O都要经过位于DIMM上的AMB（图下面中间的方形芯片）的中转，从而解决了传统DIMM模组 “短线连接”的拓扑结构带来的弊端，如右图所示。
这一点与我们所知的各类都有很大差异。由于采用串行连接，可以用更少的建立更多的内存通道，也是由于串行连接，还可以使通道内的芯片容量大幅度增加，从而扩大了内存子系统的容量。
作为新型的内存架构，FB-DIMM并不需要对现有的DRAM芯片做出改动，内存制造商可以直接使用成本低廉的DDR2芯片。尽管采用新型缓冲芯片会增加一些成本，但是这比起制造全新的RAM芯片来说代价要小得多。1）多通道设计
在多通道设计上，FBD非常灵活，可以使用单通道、、四通道或者是六通道。从线路数量和DDR2对比，单通道FBD仅是DDR2的所需线路的1/3。
2）实现超大容量
每个FBD通道可以最多串联8条内存，一个最多可以实现6个通道，装载48条FBD内存，而每条FBD内存的最大容量达到4GB，这样最高容量就达到了192GB。
3）扩展板实现多模组连接
提供6个，每个槽对应一个通道。每个上可直接连接FBD模组或板，每个扩展板上又有8个FBD连接槽。这种方法充分利用了机箱内部空间，巧妙解决了多模组安装的难题，构建高效能系统就显得更具可操作性。首先，FBD的针脚数量会大幅度减少。单通道FBD只有69根，其中有48根用于数据，12根用于接地，6根用于供电，还有3根用于时钟和其他用途。和单通道DDR2内存架构的240根相比，FBD的69根针脚更利于PCB板的设计和布线。
我们知道，为了达到同步的信号传输，在电路板的设计中，电路工程师们为了实现线路长度相等，需要采用一些特别的、复杂的布线方式。但在FBD内存中，这一切不再需要了。FBD支持长度不相等的线路，和缓冲可以对线路长度不相等造成的信号传输时差进行补偿，在初始化时，会测量每上的信号计时，通过延迟最快的信号来实现和最慢的信号之间的同步，从而简化电路板的设计。
另外，双通道的FBD配置可以在两层PCB上实现，包括电源线路在内。而DDR2需要3层PCB板才能做到。更多的PCB层数意味着更高的成本。内存能够支持的最大容量是一个很重要的指标。对于服务器来说，往往比成本更为重要。由于串行连接，可以用更少的引脚建立更多的内存通道，也是由于串行连接，还可以使通道内的芯片容量得以大幅度的增加，从而扩大了内存子系统的容量。FBD系统的最大容量达到192GB，是DDR2（8GB）的24倍。FBD灵活的架构可以让保持不变。如果需要，可将从DDR2升级到DDR3，内存制造商只需要对缓冲芯片做出一定的改动，并不需要更改其它架构。根据目前的展示来看，FBD至少可以采用从DDR2-533到DDR3-1600范围内的不同。
理论上用户可以将DDR2颗粒直接插入一条DDR3，只要这种DDR3内存模组的缓冲芯片支持以前的信号规格，它就能够正常工作，（或处理器集成的）根本不会受到这种变化的影响。FBD的这种特性将使得内存架构的转变过程更容易实现，需要的时间也会更短。它在不需要增加太多延迟的情况下，有效地减少了和内存架构之间的逻辑电路，这确实是非常不错的特点。FBD从设计开始，就加强对可靠性方面的研究。英特尔宣称FBD的设计目标是100年内出现少于一次的Silent Data Error（无记载数据错误）。所谓的无记载数据错误就是未被发现，但是会逐步扩散的数据错误。
FBD架构，通过采用以下方法来达到100年内出现少于一次的无记载错误：首先是对指令和数据都进行完全的CRC循环，这比目前普遍使用的纠错方法要先进得多。其次是，FBD架构提供了一种被称为“Bit Lane Fail OverCorrection”功能，该功能可以让出现故障的内存通道停止运行。这种功能给内存子系统提供了更进一层的保护，一块芯片，一个DIMM插槽甚至是一条内存通道出现故障并不会造成，甚至不会降低。[3]1.
根据FB-DIMM1.0版标准，单通道的FB-DIMM分别可以达到9.6GB/s、12GB/s和14.4GB/s的接口带宽。这三种规格的FB-DIMM的读数据带宽分别为5.6GB/s、7GB/s和8.4GB/s，写数据带宽则为4GB/s、5GB/s和6GB/s。
2.最大DIMM模组数
在单通道情况下，FB-DIMM内存最多可以连接8条DIMM模组。但实际上，FB-DIMM支持、四通道和六通道，因而，FB-DIMM内存可以实现48条FB-DIMM模组的连接能力，内存最大容量将达到192GB。
3.物理尺寸
FB-DIMM内存的规格为133.5mm×30.5mm，金手指数量为240个，尽管不会完全利用，主要是考虑升级的需要。FB-DIMM上可容纳9、18或36颗，标准方案为18颗：背面为10颗，正面8颗；AMB缓冲芯片位于正面中间，尺寸大小为24.5mm×19.5mm×21.5mm。
4.电压和功耗
FB-DIMM内存的供电将比传统的内存供电系统复杂些，它需要三种电压：驱动DDR2需要1.8V、终结内存“命令/地址”需要0.9V，AMB缓冲芯片需要1.5V。与此同时，不同位置的FB-DIMM模组功耗有所不同：通道的第一条FB-DIMM模组功耗为3.4W，随着距离的增加，模组功耗呈下降趋势，最后一条模组的功耗只有2.4W。可以说，现有或者即将上市的，基本都会采用新一代的FBD技术。但是不同厂商对于FBD的采用还是有区别的，无论从支持的服务器的机型级别，还是从采用此项新技术的机型数量来讲，我们都能从中看出诸多端倪。
HP：双路升级机型支持FBD
HP网站公布支持的2路机型，如ML 350G5、ML370G5、DL360G5和DL380G5都采用全新的全缓冲FBD技术，使用PC-5300的内存。
其中ML 350G5内存标配采用1GB (2 x 512MB) PC2-5300 (全缓冲DDR2 667)内存，具有高级 ECC 和在线备用功能，最大为16GB；ML370G5内存标配采用2GB (2 x 1GB) PC2-5300 (全缓冲DDR2 667)内存，带有高级 ECC、在线备用和镜像。由于还提供一个内存板，因此使最大内存达到64GB。
DL360G5采用1GB (2 x 512MB) PC2-5300 （533MHz） 和2GB (2 x 1GB) PC2-MHz）全缓冲内存，配有高级 ECC 功能（多位故障防护）、在线备用内存、镜像，最大可达32GB。DL380G5采用2GB (2 x 1GB) PC2-MHz）和4GB (4 x 1GB) 4:1 交叉 PC2-5300 （667MHz）两种可选的全缓冲 DIMM DDR2-667 SDRAM，兼有高级内存保护技术。
目前，从市场的货源情况来看，市场上有货的机型为ML 350G5。但也仅是个别经销商，尚未在渠道中普及开来。从产品的价格来看，512 MB PC5300 ECC DDR2 (1 x512MB)的价格在1400元左右。
IBM：FBD应用在高端
IBM对于全新FBD技术应用较为谨慎，从所发布的机型来看，真正意义上的FBD技术还尚未实际采用。虽然从IBM的官方网站上，我们可以看到System X 3500标配1GB的PC2-5300 DDR2 SDRAM ，机柜式X 3650和X 3550都采用1GB的PC2-5300 DDR2 SDRAM ，内存后所标注的Chipkill字样，也仅代表、、具有等功能。
据IBM的核心经销商反映：现有的DDR2 SDRAM 内存配合Intel 5000系列的处理器，只是过渡配置。真正意义上的双核Intel 5100系列处理器上市，还需等到9月中旬，整个系列的全部更新估计要到十月份。因此，可以这样说，FBD的应用还要期待一段时间。
DELL：双路机型普遍支持FBD
DELL认为全缓冲内存技术不仅在速度上实现三倍提升，在支持方面也提升了4倍，最高可以支持64GB容量的内存。目前DELL的2路服务器，如塔式PE 2900，机架PE 1950和PE 2950的内存都已经采用了FBD技术。
PE 2900拥有12个FBD DIMM插槽，支持高达48GB主内存。提供256M/512M/1GB/
2GB/4GB FBD多种内存，同时拥有错误纠正编码（ECC）和单设备数据纠正（SDDC）技术，保持系统，并有助于防止某个DIMM中的某个内存芯片组所引发的内存故障。PE 1950和PE 2950拥有高达32GB ECC全缓冲DIMM内存；其中PE 1950采用三星1GB DDR2 533 FBD的内存。
联想：2路中低端服务器剑指FBD
在联想7月底出台的产品调整方案里，我们看到其服务器产品已采用全新的支持四通道内存读写技术，结合DDR2-533FBD内存，SAS硬盘及硬盘模组（热插拔及非热插拔）等技术，以最大限度地配合5000系列的效能发挥。其突出特点是在2路中低端大胆采用最新的FBD技术，而且应用FBD机型的数量较多。
首先，联想在2路部门级的T350和R350，纷纷从G5升级到G6，最大特点就是配置了1G FBD ECCDDR2-533的内存，而且可以通过8个DIMM的扩展，最大达到16GB。其次，联想在2路低端的机架式R510和R520服务器上，也大胆采用Fully Buffer DIMM533内存，支持高级ECC功能，支持内存，在保证了内存系统的稳定可靠性的同时，整体内存性能比DDRII400提升30%。升级后的R510G6和R520G6机型都标配了两条512M FBD ECC DDR2-533内存。
在联想升级机型中，采用最新FBD技术的机型，其数量已经达到14款。其中T350G6和R350G6各3款，R510G6和R520G6各4款。如单以数量比较来看，联想此次的动作已大大超出其他国外厂商的产品线。
但稍有遗憾的是，上述升级机型在市场中暂时没有现货，还需要有一周的订货周期。在价格方面，一根512M FBD ECC DDR2-533内存的价格为1500元，一根1G FBD ECC DDR2-533内存的价格为3500元。
浪潮：双路机型普遍采用FBD
浪潮的行动虽然比联想稍晚半个多月，但在8月中旬，从浪潮向经销商提供的最新配置表来看，其中的2路机型的配置中，几乎都采用FBD的技术。
这一点，可以从具体配置中得以证实。浪潮英信NP370D、NL230D、NL380D，机架式的NF190D、NF280D和NF380D都采用1GDDR2 FBD的内存。由于是新升级的机型，大部分还需要订货。目前，512M ECC FBD 内存的价格在1500元，1G ECC FBD内存的价格在3000元。
综合来看，FBD的技术已经在国内外厂商中普遍采用，虽然各家所持态度不尽相同，应用的范围和机型级别不同，但未来作为廉价、平滑升级的FB-DIMM还是拥有极大的胜算，想必DDR2系统终结于2007年，纵然随后会推出DDR3，可是考虑到FB-DIMM为Intel自己的杰作，我们几乎可以断定FB-DIMM将成为传统DDR体系的终结者，这一点仅仅是时间上的问题。1、以串行的方式进行数据传输
首先，与目前的DIMM采用的是一种“短线连接”(Stub-bus)的不同，FB-DIMM与内存控制器之间的数据与命令传输不再是传统的并行线路，而采用了类似于PCI-Express的串行接口多路并联的设计，以串行的方式进行数据传输。
在FB-DIMM架构中，每个DIMM上的缓冲区是相互串联的，之间为点对点的连接方式，数据会在经过第一个缓冲区后传向下一个缓冲区，这样，第一个缓冲区与之间的连接阻抗就能始终保持稳定，从而有助于容量与频率的提升。
不过，FB-DIMM的串行也有其独到之处：数据的上行线路由于14组线路对构成，一个周期可传输14bit数据，而下行线路却只有10组线路对，一个周期传输10bit数据。
这种不对等设计其实完全是根据实际需要出发，因为不管在任何时候，系统从内存中读取的数据往往比写入内存的数据要多，因此对上行线路的带宽要求也要比下行线路要高，这样不对等设计刚好起到平衡作用，在一定程度上使得读取与写入数据同步。
同时FB-DIMM所采用的多路并联的设计还有一个优点，那就是大大增加了抗干扰能力。FB-DIMM所使用的串行使用差分信号技术，通过一对线路来表达一下信号，即信号是由“0”或“1”两条线路的电压差来决定，这有点类似于PCI EXPRESS总线。因此此类设计的抗干扰能力要远优于传统的单线传输信号技术，毕竟两条线路之间的电压差是保持在一个相对稳定的水准。
因此FB-DIMM的可以工作在很高的频率之上：以FB-DIMM1.0版标准为例，它可以提供3.2GHz、4GHz 和4.8GHz三种数据传输率，这意味着即使是单通道FB-DIMM系统的也可以提供9.6GB/S、12GB/S和14.4GB/S的惊人带宽。
注意：由于采用读取与写入不对称设计，因此FB-DIMM的理论读取数据带宽分别为5.6GB/S、7GB/S和8.4GB/S，而写入数据带宽则为4GB/S、5GB/S和6GB/S。
这仅仅是单通道的情况，实际上FB-DIMM可能构建、四通道或八通道架构，这时所提供的是目前的内存所不能比似：最高带宽可以达到86.4GB/S。值注意的是，这些数值并非代表FB-DIMM内存的真正读写效能，因为FB-DIMM所采用的是与FB-DIMM模块上的缓冲芯片直接连接的，而不是直接与北桥芯片中的相连接。这也意味着FB-DIMM的芯片的数据传输频率不是与一致。
2、功能独特的AMB缓冲芯片
FB-DIMM另一特点是增加了一块称为“Advanced Memory Buffer，简称AMB”的缓冲片。这款AMB芯片是集数据传输控制、并—串数据互换和芯片而FB-DIMM实行串行通讯呈多路并行主要靠AMB芯片来实现。
在FB-DIMM系统中，有两种类型的串行线路：一条是负责数据写入的串行线路(称为Southbound，南区)，一条是负责数据读取的串行线路(称为Northbound，北区)。这两条串行线路各由AMB芯片中的“pass-through”和“pass-through & Merging”控制逻辑负责。
其中南、北区中传输的数据流都是采用串行格式，但AMB芯片与仍然通过64bit(注意：并不是固定不变的)进行数据交据，因此数据之间的串-并格式转换则由AMB中的转换逻辑来实现。同时在AMB中有一个接口，用来与的连接。
利用AMB芯片，这意味着FB-DIMM并不需要对现有的DRAM芯片作出改动，内存制造商可以直接使用成本低廉的DDR2芯片。尽管采用新型缓冲芯片会增加一些成本，但是这比起制造全新的RAM芯片来说代价要小得多。
基本上可以这么说，除了与系统管理的访问(主要与SPD打交道)，其他的命令与数据的I/O都要经过位于DIMM上的内存缓冲器的中转。这也许是FB-DIMM为什么叫“全缓冲双列”的原因。
3、引脚大减，布线更简单
首先，FB-DIMM的针脚数量大幅度减少了。单通道FB-DIMM只有69个，其中有20个用于数据，28个用于DIMM，6个用于供电，12个用于接地，还有3个用于时钟和其他用途。和单通道DDR2内存架构的240个相比，FB-DIMM的69个针脚更利于PCB版图设计和布线。而且FB-DIMM还能够使用长度不相等的线路，这一特性同样可以简化电路板设计。内存控制器和缓冲可以对线路长度不相等造成的信号传输时差进行补偿，电路设计师们不用为了实现线路长度相等而采用奇怪的布线方式了。
在初始化时，内存控制器会测量每个针脚上的信号计时，通过延迟最快的信号来实现和最慢的信号之间的同步。最主要的一点是双通道的FB-DIMM配置可以在两层PCB上实现，包括电源线路在内。而单通道的DDR2需要3层PCB板来实现同样的事情。
更多的PCB层数意味着更高的成本。FB-DIMM能够以更少的PCB层数实现相同的带宽，或者以相同的PCB层数实现高得多的带宽。但不要忘记，内存能够支持的最大容量也是一个很重要的指标。
对于服务器来说，内存容量往往比成本更为重要。而现在每个FB内存通道可以支持8个DIMM插槽，从在IDF上发布的数据来看，一款6通道、420针的FB-DIMM内存系统可以实现了4倍于DDR2-800的(40GBps对10GBps)，并且能够达到48倍于DDR2的最高容量。
4、可靠性更强
FB-DIMM相对目前的内存其运行可靠得到很大增加。英特尔甚至宣称它们已经做到让FB-DIMM在100年内出现少于一次的silent data error(无记载数据错误)。
在高容量模组上，数量很多，而且在需要大容量内存的工作场合，的安插数量也是很多的，这使命令与寻址信号的稳定性受到了严峻考验。为此(Reg-DIMM)往往需要加入一个ECC功能：通过增加额外的来稳定命令/地址信号，隔离外部干扰，从而增加运行的稳定性。
在工作时，命令地址信号会先送入进行“净化”并进入锁存状态，然后再发送至，芯片中的数据则不经过寄存器而直接传向北桥。不过ECC功能有一个缺点：由于要经过中继传输，所以内存操作的时序也会因此而增加一个。而以上问题在FB-DIMM中得到了完善解决。
在FB-DIMM中，指令和数据都进行完全的CRC循环，远比目前的ECC纠错方法要先进。而且在FB-DIMM架构引入了的“Bit Lane Fail Over Correction”功能，利用此功能，当一个的通道出现故障后，它就会被从系统中排除掉，即让出现故障的内存通道停止运行。此时然后会调整CRC设置以相应降低所使用的，这样即使一块芯片，一个DIMM插槽甚至是一条内存通道出现故障并不会造成死机，甚至不会降低内存带宽。这无疑大大增加了内存子系统的稳定性。
除以上特点外，FB-DIMM规格中还加进了对直立的支持。需要在服务器中将竖置的用户将会对此有所需要。尽管这一支持被加入到规格中，但由于FB-DIMM架构支持的布线长度大为增加，用户很可能可以避免将竖置。FB-DIMM规格中还具有逻辑分析界面，用户可以看到内存通道的详细情况而不用中断其操作，这个特性对于调试非常有用。FB-DIMM内存与DDR内存的区别
FB-DIMM内存和目前市场上的DDR内存在外观上极为相似，它与传统DDR-DIMM模组的唯一区别是中间多了一颗方形的控制芯片。但实际上，两者有着截然不同的运作机理。
首先，FB-DIMM与内存控制器之间的数据与命令传输不再是传统的并行线路，而是采用了类似于PCI-Express的串行接口多路并联的设计，以串行的方式进行数据传输。
其次，在FB-DIMM内存上增加了一枚缓冲芯片，它的名称为“Advanced Memory Buffer(高级内存缓存，简称AMB)。实际上，AMB并非只是一枚简单的缓冲芯片，它主要承担三方面的功能：一是与北桥芯片中的内存控制器连接，令数据在内存缓冲与控制器之间传送；二是负责并/串数据的转换和读写控制；三是具备相互通讯的职能，因为它要始终承担着数据传输和读写的中介工作，FB-DIMM之间必须通过这枚芯片才能够交换信息。
根据FB-DIMM 1.0版标准，单通道的FB-DIMM分别可以达到9.6GB/s、12GB/s和14.4GB/s的接口带宽。这三种规格的FB-DIMM的读数据带宽分别为5.6GB/s、7GB/s和8.4GB/s，写数据带宽则为4GB/s、5GB/s和6GB/s。在单通道模式下，FB-DIMM内存最多可以连接8条DIMM模组。但实际上，FB-DIMM可以支持、四通道和六通道等多种串行模式，因而，FB-DIMM内存可以实现48条FB-DIMM模组的连接能力，内存最大容量将达到192GB。
FB-DIMM内存与DDR2内存的区别
对于DDR2内存，大家已经不再陌生。DDR2 已经大规模推广，那么，应用效果究竟如何呢？从目前的测试来看，DDR2对其性能提升还是有帮助的，大概是DDR的两倍。而从DDR400 到DDR2 400并没有性能上的完全增长，甚至从DDR-533 到DDR2-533 也依然如此。因此，在目前的情况下，我们并不能感受到DDR2 相对于DDR1 性能上的飞跃进步，当然在速度提升到DDR2-667 和DDR2-800 之间范畴的时候，我们将看到性能可喜的变化。
Intel双核平台所支持的Fully-Buffer DIMM（简称FBD）内存，是一种串行传输技术，可以提升内存的容量和传输带宽。FBD其实就是在一个标准DDR2内存基础上，增加了一枚用于数据中转、读写控制的缓冲控制芯片。DDR2并行传输中短线连接的匹配问题，在支持高速内存时存在着限制。然而，FBD内存的所有串行传输控制都是通过内存中间的一颗AMB（高速内存缓冲）芯片控制的。
FBD近乎是一种飞跃级的内存技术，在现有技术基础上实现跨越式的性能提升。其最大的特点就是采用已有的DDR2内存芯片，但它借助一个缓冲芯片将并行数据转换为串行数据流，并经由类似PCI Express的点对点高速串行总线将数据传输给CPU。据悉，FBD可以在现有DDR2-533基础上轻易实现25.2GBps的高带宽；若采用DDR2-800颗粒，FBD的带宽将进一步提升到38.4GBps，而它的带宽极限可突破(促销产品 主营产品)57.6GBps。其商业价值的意义就在于，以一项相对廉价的技术大大提升了性能。
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