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来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2014-11-15 15:55 标签： 灰皮穆山兽怎么获得
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准一维纳米结构宽带隙半导体的场致过热电子发射模型研究.pdf56页
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硕士学位论文
准一维纳米结构宽带隙半导体的场致过热电子发射模型研究
姓名：曾嘉钟
申请学位级别：硕士
专业：凝聚态物理
指导教师：许宁生;佘峻聪
准一维纳米结构宽带隙半导体的场致过热
电子发射模型研究
专业：凝聚态物理
硕士生：曾嘉钟
指导教师：许宁生教授、佘峻聪教授
近年来，关于半导体纳米结构的电子场发射的报道很多，但是相关的理论研
究仍然比较缺乏。因此，许多重要的实验观测现象并没有从物理机理上得到很好
的解释。实验观测的主要现象有：发射曲线在FN坐标下的非线性、利用FN理论
计算的线性段的场增强因子过大以及发射曲线随温度变化的热敏性质等。
由于外加电场可以渗透进半导体内部，改变半导体能带结构和表面电子能
量，从而将会影响电子的发射，使得场发射的电压电流关系变的复杂。由V．R．
考虑了电场渗透对绝缘层能带的影响和对电子的“加热"作用，并将电子有效温
度公式和热发射方程引入到场发射电流电压关系的计算中。本文通过修改LBX
模型，将其运用到准一维宽带隙半导体纳米结构的场发射中，针对上述实验现象
开展了研究工作。
本文在场致过热电子发射模型的基础上做了一系列的工作，分述如下：
1 通过考虑渗透电场使能带弯曲和表面态间跳跃电流的电子传输作用，
从能带图出发，描述了准一维宽
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