gaas石材晶面机是怎样得到的

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GaN基材料热退火与湿法腐蚀的研究
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3秒自动关闭窗口问下GaAs半导体的p搀杂和n搀杂是怎么实现的啊? - 功能材料 - 小木虫 - 学术 科研 第一站
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问下GaAs半导体的p搀杂和n搀杂是怎么实现的啊?
新手,最近在研究光伏,对于Si的p搀杂和n搀杂很好理解,即掺入B和P,
我想咨询下GaAs(以及什么InGaAs之类三元的)在形成PN结的时候它的P区和N区是怎么得到的呢?
还有类似什么n++/p++/n+/p+ -GaAs代表什么搀杂类型啊?
同样关注,帮顶 : Originally posted by 爱惜花草 at
新手,最近在研究光伏,对于Si的p搀杂和n搀杂很好理解,即掺入B和P,
我想咨询下GaAs(以及什么InGaAs之类三元的)在形成PN结的时候它的P区和N区是怎么得到的呢?
还有类似什么n++/p++/n+/p+ -GaAs代表什么搀杂类型啊? 1、GaAs的P型掺杂一般采用Zn取代Ga;n型掺杂一般采用Si取代Ga,但Si是双性杂质,也有可能取代As,因此实验条件的控制至关重要。有时也采用c掺杂。你的生长方法是什么?如果是MOCVD,那么一般用二乙基锌做P型掺杂剂,硅烷做n型掺杂剂。
2、GaAs(以及什么InGaAs之类三元的)在形成PN结的时候它的P区和N区在MOCVD或MBE生长过程中依靠控制有机源或束源炉的流量和生长压力、温度、衬底取向等诸多条件可以生长而成。你最好去看一下"化合物半导体”,或“MOCVD”等方面的书籍。:hand: 三楼正解。
本人亲自做过GaAS的MOCVD,用tri-methyl-gallium(可挥发性金属有机化合物)和arsine(剧毒气体)合成,掺杂物为dimethyl-zinc(可挥发性金属有机化合物)和silane(自燃气体)。 通过扩散炉掺杂或者离子注入实现的P掺杂和N掺杂
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原子氢辅助MBE生长的不同晶面GaAs表面形貌
摘 要:研究了原子氢辅助分子束外延(MBE)中,原子氢对不同晶面GaAs外延层表面形貌特征的诱导作用.原子力显微镜(AFM)测试表明,在GaAs的(311)A和(331)A面,原子氢导致了台阶状形貌的形成.提出了一种简单模型,解释了台阶面形貌形成的物理机制.为最终有序低维纳米表面结构提供了一种实验参考.
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