新辉办公－全部商品列表
店 主：小苏
尚未添加产品分类
网店名称:新辉办公网店类型:免费网店商品数量:7/1200网店星级:认证信息:开店时间:在线支付:尚未开通流量统计:3196
&最新到贷理光彩色数码复印机C，现贷一百多台，成色好，性能稳定耐用，鼓寿命50万印次，国内全新耗材售。...&基本参数
产品类型 数码复合机
颜色类型 彩色
涵盖功能 打印/复印/扫描
最大原稿尺寸 A3
纸盘容量 标准:1200页&#59;最大:3700页
内存容量 标准内存:384...&复印速度: A4:40张/分　A3:18张/分
输稿器 自动输稿器
分辨率/灰度 600×600dpi/256级
供纸幅面尺寸 A3、B4、A4、B5、A5、A6（手送）
缩放倍率 25-40...&复印；打印
产品型号： 京瓷5035
产品规格： 80*120
原 产 地： 日本
技术 激光转印，单组份
引擎速度 每分钟50/35张A4/A3
分...&理光C
激光数码生产型机器
打印 复印 扫描
支持 （双面器/双面自动输稿器）
幅面最...&理光C
激光数码生产型机器
打印 复印 扫描
支持 （双面器/双面自动输稿器）
幅面最... 首 页 上一页&&&页次:1/2页
| | | | | | |
+ 版权所有 (c) 新辉办公
+ 地址：广东省广州市
+ 店铺域名：&
+ 联系电话： & & & 该网店未向提交认证资料加载中，请稍候...
加载中，请稍候...
商品名称：
京&&东&&价：
商品评分：
评&&价&&数：如何解决 东芝351请求维修cf20. - 穿越火线 - 游戏问答频道_单机游戏下载网
如何解决 东芝351请求维修cf20.
坝┍刁┮Τ坝~
ゅㄣP快そノ~
AnAwY{!セそqM犁UtPㄆ叭诀竟P快そcf20.]称P扳B割B蝴BOiBBsンAYら_bPC homePzǎA]idAKBOvt东芝笔记本维修点┎A辨镑倒z骸N坝~PA叭C
q坝~s腹GMr
TOSHIBA e-STUDIO 1C/351C/451C Fm计东芝2006维修手册vL诀阂 い瓣F t屡阂
某扳基@$3100じ
@ΩIM东芝2051c维修手册S基&96&ч &span style=&font:bold东芝166维修手册 27px Vcolor:#ff じ
HノdQч╄d ( A
BOKBO东芝复印机维修ea***
莉o{nIG90 I (1I = 1じ)
TOSHIBA e-STUDIO1C/351C/451C
Fm计东芝电饭煲维修点vL诀
い瓣F t屡阂
龟~╃尼#AN#
p癸セ玻~Τヴ东芝维修点拜DA叫
& 坝┍刁カ栋瓣悔戈TΤそqv┮ΤA锣更cf20.ゲsC具有侧甲硅烷基的含氟东芝笔记本维修点化合物的制作方法
具有侧甲硅烷基的含氟东芝笔记本维修点化合物的制作方法
专利名称具有侧甲硅烷基的含氟东芝笔记本维修点化合物的制作方法
技术领域本发明涉及含氟硅垸化东芝2051c维修手册合物以及由其衍生的涂料组合物，所述化 合物和组合物可用于处理基底、特东芝166维修手册别是具有诸如陶瓷或玻璃之类的硬 质表面的基底，以使得它们防水、防东芝复印机维修油、抗污渍、抗污垢，并且可用 于处理诸如光学透镜东芝181维修手册之类的抗反射基底。
背景技术虽然在本领域中已知许多氟东芝电饭煲维修点化组合物可用于处理基底以使得它们 防油和防水，但仍希望提供进一步改东芝维修点善的组合物来处理基底，特别是 具有硬质表面的基底(例cf20.如陶瓷、玻璃和石料)，以使得它们防水、 防油，并且易于清洁。还需要将玻璃和塑料作东芝笔记本维修点为硬质表面进行处理， 特别是在光学领域中，以使得它们抗污渍、东芝2006维修手册抗污垢并且抗粉尘。有利 的是，此类组合物以及使用它们的方法东芝2051c维修手册能够产生具有改进性能的涂层。 具体地讲，期望可以改善东芝166维修手册涂层的耐久性，包括改善涂层的耐磨性。此 外，在使用较少的清洁剂、水或体力东芝复印机维修劳动的情况下提高这种基底的易 清洁性，这不仅是最终东芝181维修手册用户的愿望，而且还对环境具东芝电饭煲维修点有正面的影响。 另外，期望涂层显示具有特别良东芝维修点好的耐化学性和耐溶剂性。组合物应 当以容易和安全的cf20.方式便利地使用，并且和现有的制东芝笔记本维修点造方法相适合。 优选的是，组合物很容易适应实施生东芝2006维修手册产待处理基底的制造过程。
本发明提供了由化学式表东芝2051c维修手册示的含氟硅烷化合物
Rf为含氟基团；
w为共价键、多价亚烷基东芝166维修手册或亚芳基或它们的组合，所述亚烷基任
选地包含一个或多个东芝复印机维修链中氧或氮原子
re为含硅垸的基，由氨基硅烷和丙烯酰基之间的迈克抖181维修手册从Χ
x和y各自独东芝电饭煲维修点立地为至少1,并且z为l或2。
在一个方面，本发明涉及包含一种或多东芝维修点种化合物以及化合物的混 合物的化学组合物，所述化合物具有至少一个cf20.含氟基团以及至少一个 由氨基硅烷和丙烯酰基化合物(例如具有至少东芝笔记本维修点一个含氟基团的丙烯酸 酯化的多元醇)之间的迈克东芝2006维修手册尔反应的生成的含硅烷部分。
除非另有说明，否则说明书和权利要求书东芝2051c维修手册中使用的下列术语具有 如下给定含义
&垸基&是指具有1至约12个碳东芝166维修手册原子的直链或支链、环状或非环 状的饱和单价烃基，例如甲基、乙基、l-丙东芝复印机维修基、2-丙基、戊基等等。
&丙烯酰&是指丙烯酸酯东芝181维修手册、硫丙烯酸酯或丙烯酰胺。
&亚烷基&是指具有1至约12个东芝电饭煲维修点碳原子的直链饱和二价烃基或具 有3个至约12个碳原子东芝维修点的支链饱和二价烃基，例如亚甲基、亚乙基、 亚丙基、2―甲基亚丙基cf20.、亚戊基、亚己基等等。
&垸氧基&指具有东芝笔记本维修点末端氧原子的烷基，如CH3-0-、 &:2115-0-等。
&亚芳烷基&是指如上所定义的东芝2006维修手册具有连接到亚烷基的芳基的亚垸 基，例如苄基、l东芝2051c维修手册一萘乙基等等。
&亚烷芳基&是指具东芝166维修手册有垸基连接的亚芳基。&亚芳基&是东芝复印机维修指多价芳族基，例如亚苯基、萘等。
&固化的化学组合物&东芝181维修手册是指干燥的化学组合物，或从环境温度或 更高的温度下将溶剂从化东芝电饭煲维修点学组合物蒸发直至干燥。该组合物还可由于 硅烷化合物间形成东芝维修点的硅氧垸键而交联。
&亲核含氟化合物&是指具有一cf20.个或两个亲核官能团(例如羟基 或胺基)，以及全氟垸基、全氟亚垸基、东芝笔记本维修点全氟氧烷基或全氟氧亚烷基
的化合物，如 CF9S02N(CH3)CH2CH2OH， C4F9CH2CH2OH, C2F50(C2F40)3CF2CONHC2H4OH东芝2006维修手册, c-C6F CH2OH等等。
&亲电含氟化合物&是指具有一个东芝2051c维修手册或两个亲电官能团(例如酸基、 酰卤基或酯基)，以及全氟烷基、全氟亚垸东芝166维修手册基、全氟氧垸基或全氟氧 亚垸基的化合物，如 C4F9CH2CH2C02CH3, C4F9C02H， C2F50(C2F40)3CF2COCl, c-C6FuC02H等等。
&硬质基底&是指保持东芝复印机维修其形状的任何刚性材料，例如玻璃、陶瓷、 混凝土、天然石头、木东芝181维修手册材、金属、塑料等等。
&氧化烷氧基&基本上具东芝电饭煲维修点有垸氧基的上述给定意思，不同的是一 个或多个氧原子可存在于烷基链中东芝维修点并且所存在的碳原子总数可以多达 50个，例如CH3CH2OCH2CH20- 、
C4H9OCH2CH2OCH2CH20-cf20.、 CH30(CH2CH20)wooH等东芝笔记本维修点等。
&氧化垸基&基本上具东芝2006维修手册有烷基的上述给定意思，不同的是一个或 多个氧杂原子可东芝2051c维修手册存在于垸基链中，这些杂原子通过至东芝166维修手册少一个碳原子彼 此隔开，例如CH3CH2OCH2CH2-、 CH3CH2OCH2CH2OCH(CH3)CH2-东芝复印机维修、 C4F9CH2OCH2CH2-、东芝181维修手册等等。&氧化烯基&基本上具有东芝电饭煲维修点亚垸基的上述给定意思，不同的是一个 或多个氧杂原子可东芝维修点存在于亚垸基链中，这些杂原子通过cf20.至少一个碳原
子彼此隔开，例如-CH2OCH20- 、-CH2CH2OCH2CH2-、 -CH2CH20CH2CH2CH2-等东芝笔记本维修点等。
&卤代&是指氟代、东芝2006维修手册氯代、溴代或碘代，优选氟代和氯代。
&全氟垸基&基本上具有东芝2051c维修手册&垸基&的上述给定意思，不同的是垸 基的所有或基本上所有的氢原子被东芝166维修手册氟原子取代并且碳原子数为1至约 12个，例如全氟丙基、全氟东芝复印机维修丁基、全氟辛基等等。
&全氟亚烷基&基本上具有东芝181维修手册&亚垸基&上述给定的意思，不同的 是亚烷基的所有或基本上所东芝电饭煲维修点有的氢原子被氟原子取代，例如全氟亚丙 基、全氟亚丁基、东芝维修点全氟亚辛基、等等。
&全氟氧烷基&基本上具有&cf20.氧化垸基&的上述给定意思，不同 的是氧化烷基的所有或基本上所有东芝笔记本维修点的氢原子被氟原子取代并且碳原子 数为3至约100个，例如CF3CF2OCF2CFr东芝2006维修手册、CF3CF20(CF2CF20)3CF2CF2-、 C3F70(CF(CF3)CF20)sCF(CF3)CF2-东芝2051c维修手册，(其中s为(例如东芝166维修手册)约1至约50)等等。
&全氟氧亚烷基&基本上具有东芝复印机维修&氧化烯基&上述给定的意思，不 同的是氧化烯基的所有或基本上所东芝181维修手册有的氢原子被氟原子取代并且碳原 子数为 3 至约 100 个，例如 -CF2OCF2- 或 -[CF2-CF2-0]r-[CF(CF3)-CF2-0]s-;其中r和s为(东芝电饭煲维修点例如)1至50的整数。
&全氟化基团&是指其中所有或东芝维修点基本上所有的键合碳的氢原子被 氟原子取代的有机基团，例如全氟烷基、cf20.全氟氧垸基等等。
&亲核丙烯酰基化合物&是指每个分子具有至少一个东芝笔记本维修点伯或仲亲核基团、以及至少一个丙烯酰基(包括丙烯酸酯和丙东芝2006维修手册烯酰胺基团)的有 机化合物。
&迈克尔加成&是指其中亲核物东芝2051c维修手册质(例如氨基硅烷)对丙烯酰基 进行1,4加成的加成反应。
具体实施例方式
本发明提供了由化学式I东芝166维修手册表示的含氟硅垸化合物，如上所述。
(Rf)x~E&RL(R2)y]z东芝复印机维修 &、
Rf为含氟基团，包括单价的含全氟烷基或东芝181维修手册含全氟氧垸基的基团或 二价的含全氟亚垸基或东芝电饭煲维修点全氟氧亚垸基的基团；
W为共价键、多价的亚垸东芝维修点基或亚芳基或它们的组合，所述亚烷基 任选地包含一个或多个东芝复印机维修链中氧或氮原子
R2为由氨基硅东芝笔记本维修点垸和丙烯酰基之间的迈克尔反应啥2006维修手册傻暮柰榛拧
X2为-0、 -S-或-NR、，其中R4为H或C广C4烷基，
R5为CrC4烷基东芝2051c维修手册或-R6-Si(Yp)(R7)3-p或(Rf)x-RLx2-C(0)-CH2CH2[；
x和y各自独东芝电饭煲维修点立地为至少1，并且z为l或2。
对于化学式I， W得自氨基硅东芝复印机维修烷对于丙烯酰基的迈克尔加成，如 下面的化学式
XLC―CH2CH2-N东芝181维修手册―R6-Si-(R7)3-p 仰
12V2为―O、 -S-或一NR、，其中R4为H或d-C4烷基，
R5为C广C4垸基东芝电饭煲维修点或-R6-Si(Yp)(R7)3-p或(Rf)x-RLx2-C(0)bCH2CH2-;
RS为二价亚垸基，所述亚垸基任选地包含东芝维修点一个或多个链中氧或氮 原子；
Y为可水解基团， W为单价烷基或芳基， 并且p为1、 2或3，
虽然发明人不希cf20.望被理论束缚，但是据信上述化东芝笔记本维修点学式I的化合物 与基底表面发东芝2006维修手册生s合反应，以通过化学式II的可东芝2051c维修手册水解&Y&基团的水解 或置换形成硅氧烷层。在此上下文中，&硅氧烷&是指东芝166维修手册连接到化学式I 化合物的-Si-O-Si-键。在存在水的情况下，&Y&基团将东芝复印机维修水解成&Si-OH& 基团，进一步s合成硅氧烷。
由包含化学式I的化合物的涂料东芝181维修手册组合物制备的涂层包含化合物本 身、以及由结合到预定基底的表面东芝电饭煲维修点和通过硅氧烷形式分子间交联产生 的硅氧烷衍生物。该涂层还可以包含未反东芝维修点应的或未s合的&Si-Y&基团。 组合物可进一步cf20.包含非硅烷物质，例如低聚全氟氧烷东芝笔记本维修点基单氢化物、起 始物质、全氟东芝2006维修手册氧垸基醇和酯。
在一个实施例中，本发明提供了包含由化东芝2051c维修手册学式I表示的化合物、 溶剂以及任选的水东芝166维修手册和酸的涂料组合物。在另一个实施例中，涂料组合 物包含由化学式I表示的化东芝复印机维修合物的水性悬浮液或分散体。为了实现对多 种基底(例如陶瓷)东芝181维修手册具有良好的耐久性，本发明的组合东芝电饭煲维修点物优选包含水。 因此本发明提供东芝维修点了涂布的方法，该方法包括使基底cf20.与涂料组合物(包 含由化学式I表示的化合东芝笔记本维修点物和溶剂)相接触的步骤。在另一个实施例中， 可通过化学气相沉积法将由化学东芝2006维修手册式I表示的化合物涂布至基底，尤其是 光学应用中使用东芝2051c维修手册的抗反射基底。
相对于化学式I， Rf基团可包含单价的含全东芝166维修手册氟垸基或含全氟氧烷基 或二价的含全氟亚烷东芝复印机维修基或全氟氧亚烷基。更具体地讲，Rf可由化学式
13III表示:
R/为单价的全氟垸东芝181维修手册基或全氟氧垸基，或二价的全氟东芝电饭煲维修点亚垸基或全氟 氧亚垸基。
Q可为共价键或二价连接基团(例东芝维修点如亚烷基、亚芳基、亚芳垸基、 垸亚芳基)，Q任选地包括cf20.链中杂原子，例如O、 N、和S、以及它们 的组合。Q还任选地包括含杂原子的东芝笔记本维修点官能团(例如羰基或磺酰基)、 以及它们的组合(例如磺东芝2006维修手册酰胺、羧酰氨基或酯基)，还可选择Q使得 &Q-CO-X2-&部分不是氨基甲酸盐东芝2051c维修手册、尿素或碳酸盐基团；即邻近羰基 的原子不是杂原子；
V2为-0-、 -NR4-或-S-，其中114为H或Cr(V烷基，
z为1或2，并且
化学式III的R^基团可包括直链、东芝166维修手册支链或环状的含氟基团或它们 的任何组合。R/基团可以是东芝复印机维修单价或二价，并且在碳一碳东芝181维修手册链中任选地包 含一个或多个链中氧原子以便形成东芝电饭煲维修点碳一氧一碳链(即全氟氧亚烷基)。 完全氟化的基团东芝维修点通常是优选的，但是氢或其它卤素cf20.原子也可作为取代 基存在，前提条件是相对于每两个碳原东芝笔记本维修点子存在不超过一个的任何一种 原子。
另外优选的是，任何R/基团均包东芝2006维修手册含至少约40重量。/。的氟，更优 选包含至少约东芝2051c维修手册50重量％的氟。单价Rfi基团的终端东芝166维修手册部分通常完全氟化， 优选包含至少东芝复印机维修三个氟原子，如CFs-、 CF3CF2-、 CF3CF2CF2-、 (CF3)2N-、
14(CF3)2CF-、 SF5CF2-。在某些实施例中，其中n为2至12 (包括2、 12) 的单价全氟垸基(即，由化学式CJ^w-表示的那东芝181维修手册些)或二价全氟亚垸 基(即，由化学式-C。F2n-表示的那些)东芝电饭煲维修点为优选的R/基团，更优选n-3 至5，并且最优选n-4。
可用的全氟氧烷基和全氟氧东芝维修点亚烷基Rf1基团对应化学式 W-Rf3-0-Rf4-(Rf5)q-(IV)
对于单价的全氟氧垸基，W为F,对于二价的全东芝笔记本维修点氟氧亚垸基，W 为开放化东芝2006维修手册合价&-&)(open valence);
R/表示全氟亚垸基，R/表示由具有1、 2、 3或4个碳原子的全 氟亚烷基氧基组成的全氟亚垸基氧东芝2051c维修手册基或此类全氟亚烷基氧基的混合 物，R/表示全氟亚烷基，q为0或l。化学式(IV)中的东芝166维修手册全氟亚烷基Rf3 和R/可以是直东芝复印机维修链或支链的，并且可以包含1东芝181维修手册至10个碳原子，优选1 至6个碳原子。典型的单价全东芝电饭煲维修点氟烷基为CF3-CF2-CFr，典型的二价全氟 亚垸基东芝维修点为-CF2-CF2-CF2-、 -CF2-或-CF(CF3)CF2-。全氟亚烷基氧基Rf4 的实例包cf20.括-CF2-CF2-0-、 -CF(CF3)-CF2-0-、 -CF2-CF(CF3)-0-、 -CF2-CF2-CF2-0-、 -CF2-0-、 -CF(CF3)-0-、以东芝笔记本维修点及-CF;rCF2-CF2-CF2-0。
全氟亚垸基氧基R/可以由相同的东芝2006维修手册全氟氧亚垸基单元或不同的全 氟氧亚烷基单元东芝2051c维修手册的混合物构成。当全氟氧亚烷基由东芝166维修手册不同的全氟亚垸基 氧化单元构成时，它们可以无规构型东芝复印机维修、交替构型存在，或者它们可作
为嵌段存在。全氟化的聚(氧化亚烷基)东芝181维修手册基团的代表性实例包括
-[CF2-CFrO]r- ;
-[CF(CF3)-CF2-0〗s- ;
-[CF2CF2-0]r-[CF20]t-东芝2006维修手册东芝电饭煲维修点， -[CF2CF2CF2CFrO]u以及-[CF2-CF2-0〗r-[CF(CF3)-CF2-0〗东芝维修点s-;其中各r、 s、 t和u各自为cf20.1至50的整数，优选2至25。对应于化学式(V)的优 选的全氟氧东芝笔记本维修点垸基为CFrCF2-CF2-0-[CF(CF3)-CF20]s-CF(CF3)CF2-，其中 s为2至25的整数。全氟氧烷基和全氟氧亚烷基东芝2006维修手册化合物可通过产生末端碳酰基氟化物 基团的六氟环氧丙东芝2051c维修手册烷的低聚反应获得。通过本领域技术东芝166维修手册人员所熟知的 反应，可将该碳酰氟转东芝复印机维修化成酸、酯或醇。然后可根据已东芝181维修手册知的工序使碳 酰氟或由其衍生的酸、酯或醇东芝电饭煲维修点进一步反应以产生所需的基团。
相对于化学式I的Rf基团东芝维修点或者化学式III的R/基团，其中y或z 为1，可设想出含氟cf20.单官能化合物，优选一元醇和单胺。可用的含氟单
官能化合物的代表东芝笔记本维修点性实例包括如下
CF3(CF2)3S02N(CH3)CH2CH2OH东芝2006维修手册 、 CF3(CF2)3S02N(CH3)CH(CH3)CH2OH、东芝2051c维修手册
CF3(CF2)3S02N(CH3)CH2CH(CH3)NH2东芝166维修手册 、 CF3(CF2)3S02N(CH2CH3)CH2CH2SH、东芝复印机维修
CF3(CF2)3S02N(CH3)CH2CH2SCH2CH2OH东芝181维修手册 、 C6F13S02N(CH3)(CH2)4OH、东芝电饭煲维修点
CF3(CF2)7S02N(H)(CH2)3OH东芝维修点、 C3F7S02N(CH3)CH2CH2OH、cf20.
CF3(CF2)4S02N(CH3)(CH2)4NH2东芝笔记本维修点、 C4F9S02N(CH3)(CH2)uOH、东芝2006维修手册
CF3(CF2)5S02N(CH2CH3)CH2CH2OH东芝2051c维修手册 、 CF3(CF2)5S02N(C2H5)(CH2)6OH、东芝166维修手册
CF3(CF2)2S02N(C2H5)(CH2)4OH东芝复印机维修 、 CF3(CF2)3S02N(C3H7)CH2OCH2CH2CH2OH、东芝181维修手册
CF3(CF2)4S02N(CH2CH2CH3)CH2CH2OH、东芝电饭煲维修点
CF3(CF2)4S02N(CH2CH2CH3)CH2CH2NHCH3、东芝维修点
CF3(CF2)3S02N(C4H9)CH2CH2NH2cf20. 、 CF3(CF2)3S02N(C4H9)(CH2)4SH、东芝笔记本维修点
CF3(CF2)3CH2CH2OH、 C4F9OC2F4OCF2CH2OCH2CH2OH;
n-C6F13CF(CF3)CON(H)CH2CH2OH东芝2051c维修手册 ; C6F13CF(CF3)C02C2H4CH(CH3)OH;
C3F7CON(H)CH2CH2OH; C3F70(CF(CF3)CF20)&36CF(CF3)CH20H;东芝复印机维修 以及QF70(CF(CF3)CF20)w6CF(CF3)C(0)N(H)CH2CH20H东芝181维修手册等等，以及它们的混合物。
相对于化学式I的Rf基东芝电饭煲维修点团或化学式III的Rf1基团，其中y或z为
2，可设想出氟化东芝维修点多元醇和聚胺。合适的氟化多元醇cf20.的代表性实例包括 R/S02N(CH2CH20H)2，例如N-双(2-羟乙基东芝笔记本维修点)全氟丁基磺酰胺； R/OC6H4S02N(CH2CH20H)2东芝2006维修手册 ;
R/S02N(R')CH2CH(OH)CH20H东芝2051c维修手册 ，例如 C6F13S02N(C3H7)CH2CH(OH)CH2OH东芝166维修手册 ;R/CI^CONCCHzCHzOH CF3CF2(OCF2CF2)3OCF2CON(CH3)CH2CH(OH)CH2OH东芝复印机维修 ; R/OCH2CH(OH)CH20H
， 例如 C4F9OCH2CH(OH)CH2OH ; R CH2CH2SC3H60CH2CH(OH)CH20H;东芝181维修手册 Rf'CI^CHzSC^HsCHCCHzOHh;东芝电饭煲维修点 R/CH2CH2SCH2CH(OH)CH2东芝维修点。H; R/CH2CH2SCH(CH20H)CH2CH20H;cf20. R/CH2CH2CH2SCH2CH(OH)CH20H东芝笔记本维修点 ， 例 如
C5F,,(CH2)3SCH2CH(OH)CH2OH;东芝2006维修手册 R/CH2CH2CH20CH2CH(OH)CH20H东芝2051c维修手册 ， 例 如 CsFu(CH2)30CH2CH(OH)CH20H东芝166维修手册 ;
Rf1 CH2CH2CH2OC2H4OCH2CH(OH)CH2OH东芝复印机维修 ; R/CH2CH2(CH3)OCH2CH(OH)CH20H东芝181维修手册 ; R/(CH2)4SC3H6CH(CH20H)CH20H东芝电饭煲维修点 ;Rfl(CH2)4SCH2CH(CH2OH)2东芝维修点 ; RfVcf20.CH2)4SC3H60CH2CH(OH)CH20H ; R,CH2CH(C4H9)SCH2CH(OH)CH20H东芝笔记本维修点 ;
R/CH20CH2CH(OH)CH20H ; R/CH2CH(OH)CH2SCH2CH2东芝2006维修手册。H ;
R/CH2CH(OH)CH2SCH2CH2东芝2006维修手册0H ; R/CH2CH(OH)CH20CH2CH20H东芝166维修手册 ;
R一CH2CH(OH)CH20H ; Rf!R&SCH(R&'OH)CH(R'&OH)SR&R东芝复印机维修 (R/CH2CH2SCH2CH2SCH2)2C(CH20H)2东芝181维修手册 ; ((CF3)2CFO(CF2)2(CH2)2SCH2)2C(CH2OH)2;东芝电饭煲维修点 (R/R&SCH2)2C(CH20H)2;东芝维修点 1,4-双(1-羟基-l，l- 二氢全氟乙氧基乙氧cf20.基)全氟-正丁垸 (HOCH2CF2OC2F40(CF2)4OC2F4OCF2CH2OH);东芝笔记本维修点 1 ，4-双(1 -羟基1,1 -二氢全 氟丙氧基)全氟-东芝2006维修手册正丁垸(HOCH2CF2CF20(CF2)40CF2CF2CH20H);通过氟 化氧杂环丁烷的开环聚合反应东芝2051c维修手册制备的氟化氧杂环丁烷多元醇，例如 Poly-3-Fox
(得自Omnova Solutions,Inc.，Akron Ohio (美国俄亥俄州阿 克伦的Omnova Solutions公司));如东芝166维修手册美国专利No. 4,508,916 (Newell等人)所述，通过氟化有机基团取代的环东芝复印机维修氧化物与包含至少两个羟基 的化合物的开环加聚东芝181维修手册反应制备的聚醚醇；以及全氟聚醚二醇，例如 Fomblin
ZDOL (HOCH2CF20(CF20)8.12(CF2CF20)8.12CF2CH2OH，(可 得自Solvay,Thorofore,NJ (美国新泽西州萨若东芝电饭煲维修点伏的索尔韦公司))；其 中Rf为具有1至12个东芝维修点碳原子的全氟烷基，或具有3至约cf20.50个碳原子 的全氟氧垸基，该全氟氧垸基所存在的所有东芝笔记本维修点全氟化碳链具有6个或更 少的碳原子，或它们的混合物；R'为1至4个东芝2006维修手册碳原子的垸基；R&为1 至12个碳原子的支链或直链亚烷基东芝2051c维修手册、2至12个碳原子的亚垸基硫-亚 垸基、2至12个碳原子东芝166维修手册的亚垸基-氧化亚垸基，或2至12个碳原子的 亚烷基亚氨基亚烷基，其中氮原子上包含作为第东芝复印机维修三取代基的氢或1至6 个碳原子的垸基；并且R&'为1至12个碳原子东芝181维修手册的直链或支链亚烷基或 由化学东芝电饭煲维修点式CrH2r(OCsH2S)t (其中r为1-12, s为2-6， t为1-40)表示的 亚垸基-聚氧化亚烷基。
优选的氟化多元醇包括N-双东芝维修点(2-羟乙基)全氟丁基磺酰胺；通过氟 化氧杂环丁烷的开环聚合反应cf20.制备的氟化氧杂环丁垸多元醇，例如 Poly-3-Fox
(得自Omnova Solutions,Inc.,Akron Ohio (美国俄亥俄州阿 克伦的Omnova Solutions公司))；如美国专利No. 4,508,916 (Newell 等人)所述，通过氟化有机基团取代的环东芝复印机维修氧化物与包含至少两个羟基 的化合物的开环加聚东芝181维修手册反应制备的聚醚醇；以及全氟聚醚二醇，例如 Fomblin
ZDOL(HOCH2CF20(CF20)8_12(CF2CF20)8_12CF2CH2OH)东芝2051c维修手册，(可得 自Solvay，Thorofore，NJ (美国新泽西州萨若东芝电饭煲维修点伏的索尔韦公司))；1，4-双(1-羟基-U- 二氢全氟乙氧基乙氧cf20.基)全氟-正丁垸 ((HOCH2CF2OC2F40(CF2)4OC2F4OCF2CH2OH);东芝笔记本维修点以及1，4b双(1-羟基-1,1-二氢全氟丙氧基东芝电饭煲维修点)全氟-正丁烷(HOCH2CF2CF20(CF2)40CF2CF2CH20H)。
由至少一个含氟基团构成的更优东芝维修点选的多元醇包括N-双(2-羟乙基) 全氟丁基磺酰胺；1，4-双(1-羟基-1,1-二氢全氟丙氧基cf20.)全氟-正-丁烷 (HOCH2CF2CF20(CF2)4OCF2CF2CH2OH)东芝笔记本维修点 以 及
CF3CF2CFrO-[CF(CF3)CF20]n-CF(CF3)-东芝2006维修手册，其中n为3至25的整数。该全氟化的聚醚基团可得自东芝2051c维修手册六氟环氧丙垸的低聚反应。此类全氟化聚醚 基团是尤其优选的，这是因为它们具有东芝166维修手册良好的环保特性。
化学式I中在Rf东芝复印机维修基团和W丙烯酰基之间的W部分东芝181维修手册包括选自亚烷 基、亚芳基或它们的组合的多价基东芝电饭煲维修点团以及可选的链中氧或氮杂原子或 它们的组合。W可以是未取代的，或被烷基、芳基、东芝维修点卤素或它们的组
合取代。R1基团通常具有不cf20.超过30个碳原子。在一些化合物中，R1 基团具有不超过20个碳原子、不超东芝笔记本维修点过IO个碳原子、不超过6个碳原 子或不超过4个碳原子。例如，W可以为亚垸基、东芝2006维修手册被芳基取代的亚烷 基或亚烷基与东芝2051c维修手册亚芳基的组合。
化学式I的R1部分可由具有至少东芝166维修手册两个亲核官能团的脂肪族或芳族 化合物生成。此类化合物可东芝复印机维修具有化学式
RA(X2H)y+x，
其中w为共价键、多价的亚东芝181维修手册烷基或亚芳基或它们的组合，所述亚
烷基任选地包含一个或东芝电饭煲维修点多个链中氧或氮原子；各个X^虫立地为-O,-S-或-NR4-,其中R&为H东芝维修点或CrC4垸基，且x+y至少为2.此类化合物包 括多元醇、聚cf20.胺以及羟基胺。
在一个实施例中，由化学式I表示的含氟东芝笔记本维修点化合物可部分地包含具 有单或双官能全氟化基团与至少一东芝2006维修手册个亲电官能团的含氟化合物的反应 产物；和亲电的含氟化合物。此类化合物包括由以东芝2051c维修手册下化学式表示的那 些
RfL[Q-C0-X3]z， (V)
其中Rf1、 Q和z如所述东芝166维修手册化学式III所述，且f为-OH、卤素原子 或OR4，其中W为H或C,-C4垸基、或者，即由化学式V东芝复印机维修表示的化合
19物为酯、酸或卤酰。由化学式V表示的化合物东芝181维修手册尤其可用于制备由化学
式I表示的化合物，其中R1不是共价键，即R1为多元醇东芝电饭煲维修点或聚胺的残基。
根据权利要求1所述的含氟化合东芝维修点物可部分地包含a)由化学式VI (如下)表示的具有亲核cf20.官能团和至少一个丙烯酰基的亲核丙烯酰化 合物，和b)由化学式V (如上)表示的具有含东芝笔记本维修点氟基团和亲电基团的化 合物的反应产物。丙烯酰基部分可为丙烯硕2006维修手册狨セ虮０罚⑶仪缀 官能团可为氨基、东芝2051c维修手册硫醇基或羟基基团。优选地，亲核丙烯酰基化合物 为具有羟基和至东芝166维修手册少两个丙烯酰基的聚丙烯酰基化合物。
此类亲核丙烯酰化合物包括由以下化讯ジ从』蕨式表示的那些
X2为-O、 -S-或-NR4-，优选-O-,其中R4为H或Q-C4烷基， R3多价的亚烷基或亚东芝181维修手册芳基或它们的组合，所述亚垸基任选地包含 一个或多个链东芝电饭煲维修点中氧或氮原子；并且q为1至5。应当理解，末端&HX2& 基团优选不是-NR411，因为末端胺可通过迈东芝维修点克尔加成进行聚合。使用此 类末端胺可需要保护基团以抑制此类cf20.蹩硕酆戏从Γ敝帘； 已由氨基硅烷官能化。
优选q大于1。所得的多个丙烯酰基允许制备由化讯ケ始潜疚薜悃式I表示的具 有多个硅垸基东芝2006维修手册团的化合物。硅烷基团与Rf基团的东芝2051c维修手册摩尔比可大于1:1或 大于2:1。
由化学式VI表示的东芝166维修手册可用的亲核丙烯酰化合物包括(例东芝复印机维修如)丙烯酸 酯化合物，所述丙烯酸酯化合物选自由东芝181维修手册下列组成的组(a)含单丙烯酰 的化合物，例如羟基乙基丙烯酸酯东芝电饭煲维修点、甘油单丙烯酸酯、1,3-丁二醇单丙
20烯酸酯、1，4-丁二醇单丙东芝维修点烯酸酯、1,6-己二醇单丙烯酸cf20.酯、垸氧基化的 脂肪族单丙烯酸酯、环己垸二甲醇东芝笔记本维修点单丙烯酸酯、垸氧基化的己二醇单 丙烯酸酯、烷氧基化的新戊二醇单东芝2006维修手册丙烯酸酯、己内酯改性的新戊二醇 羟基新戊酸酯丙烯酸酯、己内酯改性东芝2051c维修手册的新戊二醇羟基新戊酸酯单丙烯
酸酯、二甘醇单丙烯酸酯、二丙二醇东芝166维修手册单丙烯酸酯、乙氧基化的丙二酚-A
单丙烯酸酯、羟基特戊醛改性的三东芝复印机维修羟甲基丙烷单丙烯酸酯、新戊二醇 单丙烯酸酯、丙氧基化的新戊二醇单东芝181维修手册丙烯酸酯、四乙二醇单丙烯酸酯、
三环癸二甲醇单丙烯酸酯、三甘醇东芝电饭煲维修点单丙烯酸酯、三丙二醇单丙烯酸酯；
(b)含多丙烯东芝维修点酰的化合物，例如甘油二丙烯酸酯、cf20.乙氧基化的三丙烯酸 酯(例如乙氧基化的三羟甲基丙垸二丙东芝笔记本维修点烯酸酯)、季戊四醇三丙烯酸酯、
丙氧基化的二丙烯酸酯(例如丙氧东芝2006维修手册基化(3)甘油二丙烯酸酯、丙氧基化 (5.5)甘油二丙烯酸酯、丙氧基化(3)三东芝2051c维修手册羟甲基丙垸二丙烯酸酯、丙氧基 化(6)三羟甲基丙烷二丙烯酸酯)、三东芝166维修手册羟甲基丙垸二丙烯酸酯、较高官能 度的含(甲基)丙烯酰基的化合物例如双三羟甲欢ジ从』搦丙垸四丙烯酸酯和五 丙烯酸二季戊四醇酯。
这样的化合物可广泛地得自供应东芝181维修手册商例如宾夕法尼亚州爱克斯顿市 的沙多玛公司；乔治亚州士麦那城东芝电饭煲维修点的UCB化工品公司；以及威斯康星 州密尔沃基的阿尔东芝维修点德里奇化学公司。另外的可用的丙cf20.烯酸酯材料包括 含二羟基乙内酰脲东芝笔记本维修点部分的聚丙烯酸酯，例如，如在美国4,262,072 (Wendling等人)东芝2006维修手册中所记述。
相对于示例性东芝2051c维修手册的亲核丙烯酰基化合物，应当理解可使东芝166维修手册用相应的丙 烯酰胺和硫丙烯酸酯。另外，指出的羟基可被相东芝复印机维修应的硫醇基取代。
在另一个实施例中，由化学式I表示的含氟东芝181维修手册化合物可部分地包含 具有单或双官能全氟化基团的亲核东芝电饭煲维修点含氟化合物和至少一个亲核官能团 的反应产物；和亲电丙烯酰化合物。此类亲核含氟化合东芝维修点物包括由以下
化学式表示的cf20.那些R卩-[Q(x2H)y]z， (VII)其中
R/、 Q、 X2、 y和z如所述东芝笔记本维修点化学式m所述。由化学式VII表示的 化合物尤其可用于制备由东芝2006维修手册化学式I表示的化合物，其中R1为共价键， 并且可通过与丙烯酰卣或官能东芝2051c维修手册化的等同物的反应被丙烯酰基官能化。
因此可通过具有下列化东芝166维修手册学式的中间体聚丙烯酰化合物来制备由化 学式I表示的化合物
Rf、 R1、 X2、 y和z如此前东芝复印机维修化学式I所述。随后，具有化学式Vin 的聚丙烯酰化合物可通过氨基硅烷的迈慷181维修手册硕映杀还枸殴倌芑
优选的氨基硅烷可东芝电饭煲维修点由下列通式表示
HN-RO-Si―(R')3-p， (IX)
R5为H、 C广C4垸基东芝维修点或-R6bSi(Yp)(R7)3.p;
116为二价亚烷基，所述亚垸基任选地包含一cf20.个或多个链中氧原子;
Y为可水解基团，
W为单价垸基或芳基，
p为1、 2或3，优选为3。
应当理解，在存在水的情况下，Y基团可水解成-OH基团，这导
22致与基底表东芝笔记本维修点面发生反应，以形成硅氧垸键，因而键形成，尤其是Si-O-Si 键，其是防水的，并且可为由本发明的化学东芝2006维修手册组合物所赋予的去污特性 提供增强的耐久性。
相对于由化学式IX东芝2051c维修手册表示的氨基硅烷，应该指出的是，其中RS为H
的那些伯胺，能够通过迈克尔加东芝166维修手册成与两个丙烯酰基反应，这可导致化
学式I的含氟东芝复印机维修化合物的交联。此类化合物可由东芝181维修手册化学式II表示，其中R5 基团东芝电饭煲维修点为(Rfh-Ri-X^CCCO-CI^CHr 。
一些可用于本发操东芝维修点作中的氨基硅垸，在美国专利No. 4，378，250中 有所描述，并且包括氨基乙基三乙氧基硅cf20.烷、e-氨基乙基三甲氧基硅 烷、e-氨基乙基三乙氧基硅烷、e-东芝笔记本维修点氨基乙基三丁氧基硅烷、e-氨基 乙基三丙氧基硅垸、a-氨基乙基三东芝2006维修手册甲氧基硅烷、ci-氨基乙基三乙氧基 硅烷、y-氨基丙基三甲氧基硅垸、东芝2051c维修手册y-氨基丙基三甲氧基硅烷、y-氨 基丙基三乙氧东芝166维修手册基硅烷、
y-氨基丙基三丁氧基硅烷、东芝复印机维修y-氨基丙基三丙氧基硅烷、 e-氨基丙基三甲氧基硅垸、东芝181维修手册e-氨基丙基三乙氧基硅烷、 P-氨基丙基三丙氧基硅垸、东芝电饭煲维修点e-氨基丙基三丁氧基硅烷、 a-氨基丙基三甲氧基硅烷、东芝维修点a-氨基丙基三乙氧基硅烷、 a-氨基丙基三丁氧基硅烷、以cf20.及a-氨基丙基三丙氧基硅烷， 还可使用少量(& 20摩尔％)的链中东芝笔记本维修点含氮的氨基硅垸，包括在美 国4,378,250中描述的那些N-(P-氨基乙基东芝2006维修手册)-P-氨基乙基三甲氧基硅
烷、N-(e-氨基乙基)-e-氨基乙基三东芝2051c维修手册乙氧基硅垸、N-(e-氨基乙基)-e-
氨基乙基三丙氧基硅烷、N-(e-氨基东芝166维修手册乙基)-a-氨基乙基三甲氧基硅烷、 N-( e -氨基乙基)-a -氨基乙基三乙东芝复印机维修氧基硅烷、N-( P -氨基乙基声a -氨基
乙基三丙氧东芝181维修手册基硅垸、n-( e -氨基乙基)-e -氨基丙基三甲东芝电饭煲维修点氧基硅垸、n-( e -氨基乙基)-y-氨基丙东芝维修点基三乙氧基硅烷、n-(e -氨基乙基)-y-cf20.氨基丙基
三丙氧基硅垸、N-(P-氨基乙基)-y-氨东芝笔记本维修点基丙基三甲氧基硅垸、N-(P-氨
基乙基)-e -氨基丙基三乙东芝2006维修手册氧基硅垸、n-( p -氨基乙基)-e -氨基丙基三丙
氧基硅烷、N-(y-氨基丙基)-e-氨基乙东芝2051c维修手册基三甲氧基硅烷、N-(y-氨基丙基)-P -氨基乙基三乙东芝复印机维修氧基硅烷、N-( Y -氨基丙基)-P -氨基乙基三丙氧基
硅垸、N-甲基氨基丙基三甲氧基硅垸东芝复印机维修、P-氨基丙基甲基二乙氧基硅垸、 以及Y -二亚乙基三氨基东芝181维修手册丙基三乙氧基硅垸。
由化学式I表示的含氟化东芝电饭煲维修点合物可在三步工序中制备。第一步是通 过具有化学式V的亲电含氟东芝维修点化合物(例如C4F9C(0)OCH3)与具有化学 式R、xZH)y+x的含有至少2个亲核基团cf20.(例如醇基或者伯氨基或仲氨基) 的化合物进行反应以生成相应的含东芝笔记本维修点氟氨基多元醇或聚胺、酯基多元醇 或聚胺、或氨基化合物、东芝2006维修手册或与氨基和醇基混合的酯。第二步是剩余的 醇和/或氨基(具有化学式R、东芝2051c维修手册X2H)y+x)与丙烯酰卤、酯、酸酐或丙烯 酸进行丙烯酸酯化以生成东芝166维修手册具有化学式VIII的中间体。第三步是随后对 侧丙烯酰基进行氨基硅垸刀ジ从』弈迈克尔加成。优选的是，由化学式 Rip^H)y+x表示的化合物东芝181维修手册为伯氨多元醇，所述伯胺多元醇东芝电饭煲维修点具有一个伯氨 基和至少两个羟基。
一般来讲，将反应性组分和溶剂直接按东芝维修点顺序或作为预制备的混合 物装入干燥的反应釜中。当获得均匀的混cf20.合物或溶液后，任选地加入 催化剂，并在一定温度下东芝笔记本维修点加热反应混合物，并且持续加热东芝2006维修手册足以使反应 发生的时间。可通过监控红外(IR)东芝2051c维修手册来确定反应的进度。
所使用的具有化学式V的氟化化东芝166维修手册合物的量足以与平均5至50摩尔 Q/。的化合物Rip^H)y+x的可用东芝复印机维修氨或醇官能团反应。优选的是，所使用的 具有化学式V的化合物与平东芝181维修手册均10至30摩尔％的基团反应。剩余的基 团，平均约50至95摩尔％东芝电饭煲维修点、优选70至90摩尔％，由诸如丙烯酸酯之 类的丙烯酰基化合物进行官能化，然后进行氨基硅东芝维修点垸(IX)的迈克尔 加成，从而产生既有侧含氟基团cf20.又有侧硅垸基团的化合物。
作为三步工序的东芝笔记本维修点另外一种选择，由化学式VII表示东芝2006维修手册的亲核含氟化 合物可与丙烯酸酯东芝2051c维修手册(或等同物)反应，然后进行氨基东芝166维修手册硅烷(IX)的迈 克尔加成以生成具有下东芝复印机维修列化学式的化合物&formula&formula东芝181维修手册 see original document page 25&/formula&Rf为含东芝181维修手册氟基团；
V2为-0、 ―S-或-NR4-，其中W为H或C广CV烷基，
R5为CrC4垸基东芝电饭煲维修点或-R6-Si(Yp)(R7)3-p或(Rf)x-X2-C(0)-CH2CH2-;
116为二价亚垸基，所述亚烷基任选地包含东芝维修点一个或多个链中氧原子；
Y为可水解基团，
W为单价垸基或芳基，
p为1、 2或3，并且
作为另外一种选择,氨基硅垸(IX)和cf20.亲核丙烯酰基化合物(VI)可为 预反应的，并且然后使这种具有下述化学东芝笔记本维修点式XI的迈克尔加成物与具有 化学式V的含东芝2006维修手册氟化合物反应。
-x^c―ch2ch2-n―东芝2051c维修手册RLsi―(R7)3_p
其中R1、 R5、 R6、 R7、 X2、 Y、 p和q如此前化东芝166维修手册学式I和II所述。
尽管对于氨基东芝复印机维修硅相对丙烯酰基的迈克尔加成通扯181维修手册２恍枰呋粒 但适用于迈克尔反东芝电饭煲维修点应的催化剂为碱，所述碱的共轭酸东芝维修点优选具有12至14 之间的pKa值。最优选使用的cf20.碱为有机的。这样的碱的实例为1,4-二 羟基嘧啶、甲基二苯基膦、甲基-二东芝笔记本维修点-对-甲苯基膦、2-烯丙基-N-烷基咪 唑啉、四-叔-丁东芝2006维修手册基氢氧化铵、DBU(1，8-二氮二环[5.4.0]H~ ― -7-烯)和 DBN(l,5-二氮二环[4.3.0]九-5-烯)、甲醇钾、东芝2051c维修手册甲醇钠、氢氧化钠等等。
25与本发明有关的优选东芝166维修手册催化剂为DBU和四甲基胍。在迈克尔加东芝复印机维修成反应中
使用的催化剂的量优东芝181维修手册选相对于固体在0.05重量％至2东芝电饭煲维修点重量％之间，更优 选在0.1重量％至1.0重量°/。之间。
根据本发明的组合东芝维修点物可涂布在基底上，并且至少部分cf20.地固化以提 供带涂层制品。在一些实施例中，聚合的涂层可形成保护涂层，该保 护涂层可提供耐划伤性、耐涂写性东芝笔记本维修点、防污染性、粘合剂隔离、低折射 率以及防水性东芝2006维修手册中的至少之一。根据本发明的带涂层东芝2051c维修手册的制品包括(例如) 眼镜、反射镜、窗户、粘合东芝166维修手册剂隔离衬片以及抗涂写膜。
合适的基底包括(例如)东芝复印机维修玻璃(如窗户和光学元件，例如透镜和 反射镜)、陶瓷(如瓷砖)、水泥、东芝181维修手册石头、涂漆面(如汽车车身板件、 轮船表面)、金属(如建筑物柱子东芝电饭煲维修点)、纸张(如粘合剂隔离衬片)、 纸板(如食品容器)、热固性塑料东芝维修点、热塑性塑料(如聚碳酸酯、丙烯 酸树脂、聚烯烃、氨基甲酸酯、聚酯cf20.、聚酰胺、聚酰亚胺、酚醛树脂、 二醋酸纤维素、三醋酸纤维素、聚苯东芝笔记本维修点乙烯以及苯乙烯-丙烯腈共聚物)， 以及它们的组合。基底可以是膜、片，或者其可以具有东芝2006维修手册一些其他形式。 基底可包括透明或东芝2051c维修手册半透明显示器元件，在其上任选地具东芝166维修手册有陶瓷聚合物 硬涂层。
在一些实施例中，提供了包含含氟化合物东芝复印机维修的混合物和溶剂的涂料 组合物。本发明的涂料组合物包括本发明东芝181维修手册的含氟化合物的溶剂悬浮液、 分散体或溶液。当用作涂层时，涂料组合物将赋予东芝电饭煲维修点任何种类的基底拒 油性和拒水性，和/或去污性和抗污性。
含氟化合物可溶解、悬浮或分散东芝维修点于多种溶剂中以形成适用于涂布 基底的涂料组合物。 一般来讲，溶剂溶液可包含(cf20.基于固体组分的总 重量)约0.1至约50重量％或甚至多达东芝笔记本维修点约90重量％的非挥发性固体。 基于固体组分的总重量，涂料组合物优东芝2006维修手册选包含约0.1至约10重量％的 含氟硅垸化合物。涂层中含氟化合物的优选东芝2051c维修手册使用量为总固体的约0.1至约5重量％东芝166维修手册、最优选约0.2至约1重量％。合适的溶剂包括东芝复印机维修醇、酉旨、乙
二醇醚、酰胺、酮、烃、氢氟烃、东芝181维修手册氢氟醚、氯代烃、氯烃以及它们的 混合物。
涂料组合物可以东芝电饭煲维修点还包含水和酸。在一个实施例中，该方法包括使 基底与包含由化学式I表示的东芝维修点硅垸和溶剂的涂料组合物接触，随后使基 底与含水酸接触。
为了便于制备并cf20.且为了节省成本，可在使用前不久东芝笔记本维修点通过稀释具有 化学式I的化合物中的一者或多者东芝2006维修手册的浓s物来制备本发明的组合物。浓 s物通常包含含氟硅烷在东芝2051c维修手册有机溶剂中的浓s溶液。浓s物应该可以稳
定若干周，优选可以稳定东芝166维修手册至少1个月，更优选可以稳东芝复印机维修定至少3个月。
已经发现的是化合物可以高东芝181维修手册浓度容易地溶解于有机溶剂。
本发明的涂料组合物任选地东芝电饭煲维修点包含倍半硅氧烷或原硅酸酯。倍半硅 氧烷可与涂料东芝维修点组合物共混，或作为另外一种选择，化学式I的化合物的 涂层可涂布到此前施用cf20.的倍半硅氧垸涂层上。可用的倍半硅东芝笔记本维修点氧垸包括
由化学式R^Si(OR1、表示的二有机氧东芝2006维修手册硅烷(或其水解产物)与由化 学式R^SiO^表示的有机硅垸(东芝2051c维修手册或其水解产物)的共s物，其中每个 Rie为1至6个碳原东芝166维修手册子的垸基或芳基，R11表示具有1至东芝复印机维修4个碳原子的 烷基。在添加到组合物之前，优选的倍半硅氧垸是东芝181维修手册中性的或阴离子的 倍半硅氧垸。可用的倍半硅氧垸可以通过东芝电饭煲维修点如下专利中所述的技术制备 美国专利No. 3,493,424 (Mohrlok等人)、4,351,736 (Steinberger等人)、 5,073,442 (K^lton等人)、4,781,844 (Kortmann等人)和4,781,844。 倍半硅氧烷可以相对于东芝维修点总固体90重量％至99.9重量％的量加入。
倍半硅氧垸的制备可通过如下方cf20.法实现将硅垸加入到水、缓冲 剂、表面活性试剂和任选东芝笔记本维修点的有机溶剂的混合物中，同时在酸性或碱性 条件下搅拌所述混合物。优选均匀而缓慢地添加东芝2006维修手册一定量的硅烷以便实 现200至500埃的东芝2051c维修手册窄粒度分布。可以添加的硅烷的准确量取决于取代基R以东芝166维修手册及是否使用阴离子或阳离子表面活性试剂。倍半硅氧垸的共s 物(其中单元可以嵌段分布或随机东芝复印机维修分布存在)通过同时发生的硅烷水 解形成。相对于倍半硅氧东芝181维修手册垸的重量而言，四有机硅烷(包东芝电饭煲维修点括四烷氧基
硅垸及其水解产物(如由化学东芝维修点式Si(OH)4表示的))的含量小于10重 量％，优选小于5重量％，更优选小于2重量°/。。
下列硅烷可用于制备本发明的倍cf20.半硅氧烷甲基三甲氧基硅烷、
甲基三乙氧硅垸、甲基三异丙氧基东芝笔记本维修点氧硅烷、乙基三甲氧基硅垸、乙基 三乙氧基硅烷、丙基三甲氧基硅垸、东芝2006维修手册异丁基三甲氧基硅烷、异丁基三
乙氧基硅烷、2-乙基丁基三乙氧基硅东芝2051c维修手册垸以及2-乙基丁氧基三乙氧基硅
组合物可通过传统的技术例如喷东芝166维修手册雾、刮涂、凹涂、逆转辊涂布、 凹版印刷涂布、浸涂、刮棒涂布东芝复印机维修、满涂、浸涂或旋涂涂布到基底。可 以将组合物涂敷成提供所需程度的东芝181维修手册防水性、防油性、防污渍性、防污 垢性的任何厚度。通常，将组合物涂布到基东芝电饭煲维修点底作为相对薄的层，产生
具有在约40nm至约60nm范围东芝维修点的厚度的干燥固化层，尽管还可使用较 薄和较厚(例如具有多达100cf20.微米或更大的厚度)的层。紧接着，通 常至少部分地移除(如使用强东芝笔记本维修点制通风烘箱)任何可选的溶剂，然后将 组合物至少部分地固东芝2006维修手册化以形成耐用涂层。
涂覆本发明的含氟硅烷的东芝2051c维修手册优选涂布方法包括浸涂。待涂布的基底 通常可在室温下(通常约20东芝166维修手册至约25t:)与处理组合物接触。作为另外 一种选择，可将混合物施加至在(例东芝复印机维修如)60至150'C的温度下进行预 热的基底上。这对于工业生产来东芝181维修手册说是特别有意义的，由此(例如)瓷 砖可以在从生产线末端的烘焙东芝电饭煲维修点箱中出来之后立即进行处理。施加后， 可将处理过的基底在环境温度或高东芝维修点温(如在40至300°C)下干燥和固 化，并且持续足以cf20.干燥的时间。为了移除过量的材料，该处理可能还 需要打磨的步骤。
28本发明提供东芝笔记本维修点了基底上的保护涂层，其相对耐用，并且比基底表面 本身更加防污染东芝2006维修手册和更易于清洁。本发明在一个实施东芝2051c维修手册例中提供了用于制 备包括基底(优选硬质基底)和多东芝166维修手册于一层的抗污涂层(通常在基底上 沉积大于约15埃厚)的带东芝复印机维修涂层制品的方法和组合物。本发明的抗污涂
层优选为至少约20埃厚，并且更优选至东芝181维修手册少约30埃厚。 一般来讲，涂 层的厚度小于10微米，优选小于5微米。涂层材料通常东芝电饭煲维修点以基本上不改 变制品的外观和光东芝维修点学特性的量存在。
根据权利要求1cf20.所述的化合物尤cf20.其适用于制备抗反射基底的防污 涂层，例如眼科透镜东芝笔记本维修点中使用的那些。可通过气相沉积东芝2006维修手册或通过浸涂、满 涂、帘式涂布、旋涂、刮棒涂布或东芝2051c维修手册其它的有溶剂或水基的方法提供涂 层。
抗反射涂层可包括设置在透明(东芝166维修手册即透光的)基底(例如玻璃、石 英或有机聚合物基底，包括聚甲基丙烯酸甲酯、东芝复印机维修聚苯乙烯、聚氯乙烯、 聚硫胺甲酸酯、聚乙烯、聚丙烯东芝181维修手册、聚碳酸酯、聚酸亚胺、和聚酯，尤 其是聚对苯二甲酸乙二醇东芝电饭煲维修点酯)上的一层或多层材料。最简单的抗反射 涂层为单层透明材料，所述透明材料的折射率东芝维修点小于其所设置的基底的 折射率。多层抗反射涂层包括基底上cf20.的两层或多层电介质材料，其中 至少一层的折射率东芝笔记本维修点大于基底的折射率。通常将它们称为东芝2006维修手册抗反射薄膜叠 堆。
可利用多种材料东芝2051c维修手册提供抗反射涂层。优选的是，利用薄的金属氧化 物膜提供抗反射涂层，并且更优选地是，利用薄的溅涂东芝166维修手册的金属氧化物 膜。本文中，&金属氧化物&包括单一金东芝复印机维修属(包括准金属)的氧化物 以及金属合金的氧化物。优选的金属氧化东芝181维修手册物包括氧化硅，所述氧化硅 可以耗尽氧(即，其中氧化物中的氧的东芝电饭煲维修点量小于化学计量)。优选的是, 最外表面上的金属氧东芝维修点化物膜包括氧化硅(SiOx，其中x不大于2)，尽 管其它合适的材料包括锡、钛、铌cf20.、锌、锆、钽、钇、铝、铈、钨、 铋、铟以及它们的东芝笔记本维修点混合物的氧化物。具体的实例包括Si02、 Sn02、 Ti02、Nb205、 ZnO、 Zr02、 Ta205、 Y203、 A1203、 Ce02、 W03、 Bi20、 ln203、 和ITO (氧化铟锡)、以及的东芝2006维修手册它们的组合和交替层。
溅涂的金属氧化物膜相东芝2051c维修手册对热蒸发膜是优选的，因为溅涂膜比热蒸 发膜具有更高的密度并且东芝166维修手册更硬、更平滑和更稳定。尽管这种溅涂的金
属氧化物膜相对多孔并且由具有通东芝复印机维修过原子力显微镜测得直径在约5纳 米至约30纳米范围东芝181维修手册内的粒子簇组成，但它们相对水和东芝电饭煲维修点气体是充分不可 渗透的，所述水和空气可改变金属氧化东芝维修点物膜的机械、电、以及光学特 性。
合适的透明基底包括玻cf20.璃和透明的热塑性材料，例如聚(甲基) 丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚硫胺甲酸东芝笔记本维修点酯、聚苯乙烯、苯乙烯共聚物(例 如丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物和东芝2006维修手册丙烯腈-苯乙烯共聚物)、纤维素酯 (尤其是醋酸纤维素和醋酸纤维素-东芝2051c维修手册丁酸共聚物)、聚氯乙烯、聚烯烃 (例如聚乙烯和聚丙烯)、聚酰亚东芝166维修手册胺、聚苯醚、以及聚酯(尤其是聚 对苯二甲酸乙二醇酯)。术语&聚(甲基)丙烯东芝复印机维修酸酯&(或&丙烯酸系&) 包括通常被称为浇注丙烯酸片、拉伸东芝181维修手册丙烯酸的材料、聚(甲基丙烯酸甲 酯)&PMMA&、聚(甲基丙烯酸酯)、聚(东芝电饭煲维修点丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸甲 酯-共-丙烯酸东芝维修点乙酯)等的材料。基底的厚度可以变化，然而对于柔性的 有机膜来说通常为约0.1mm至约lmm。此外，有机聚合物基底可以由 多种不同的方法制成。例如，可以挤出热塑性材料，然后切成所需的 尺寸。可以对其进行模制以形cf20.成所需的形状和尺寸。另外，可以进行 槽浇，随后加热和拉伸，从而形成有机东芝笔记本维修点聚合物基底。
其上沉积抗反射涂层的基东芝2006维修手册底可以包括涂底漆的表面。可以通过施 加诸如丙烯酸层之类的化学东芝2051c维修手册底漆层产生涂底漆的表面，或者通过化学 蚀刻、电子束照射、电晕处理、等东芝166维修手册离子体蚀刻或共挤出粘附促进层。 这种涂底漆的东芝复印机维修基底是市售的。例如，涂以含水丙烯酸东芝181维修手册酯乳胶底漆的聚 对苯二甲酸乙二醇酯基底可购自北东芝电饭煲维修点卡罗来纳州霍普韦尔的帝国化学工 业薄膜公司(Imperial Chemical Industries Films, Hopewell， N.C.)。因此，本发明提供了用于抗东芝维修点反射基底抗污组合物，以及将抗污组 合物沉积至抗反cf20.射基底上的方法，该方法包括使抗污东芝笔记本维修点组合物蒸发并且 将抗污组合物沉积东芝2006维修手册至抗反射基底上。抗反射基底为任东芝2051c维修手册何是抗反射薄膜 叠堆的部分的透明基底，或任何具有利用抗反射东芝166维修手册组合物完全或部分覆 盖的表面的透明基底。抗反射组合物优选为抗东芝复印机维修反射金属氧化物、金属 氟化物、金属氮化东芝181维修手册物、金属硫化物等。更优选地是，抗反射组合物为 抗反射金属氧化物，并且最优选地是，抗反射组合物为东芝电饭煲维修点喷涂抗反射金 属氧化物膜的涂层(东芝维修点优选包含氧化硅)。本发明的抗污cf20.组合物使得表 面更耐污染，例如(如)来自东芝笔记本维修点指纹的皮肤油。它还使得表面更易清洁， 优选的是利用干擦东芝2006维修手册或利用水和洗涤剂。此外，它引起所涂布的表面、 尤其是薄膜叠堆的抗反射表面东芝2051c维修手册的光学特性的极少或没有破坏。也就是 说，本发明的抗污涂层没有显东芝166维修手册著增加薄膜叠堆的反射率。
利用本发明的方法制备的制品包东芝复印机维修括任选地具有底漆表面(其上涂 布可选的粘附增强涂层)的基底(东芝181维修手册例如玻璃或有机聚合物基底)、抗 反射组合物(优选的是，多层薄膜叠堆)、以及东芝电饭煲维修点包含具有化学式I的化 合物的抗污组合物。
抗污组合物的总体厚度是根据对东芝维修点于增强抗污和耐久特性所需的厚 涂层以及对于维持抗反射基底的抗反cf20.射特性所需的薄涂层之间进行平
衡产生。通常，本发明的抗污组合物的总东芝笔记本维修点体涂层厚度为约20至500埃， 更优选地为东芝2006维修手册约40至100埃。在另一方面，抗污组合物优东芝2051c维修手册选以单层沉积。
使抗污组合物蒸发的条件可根据东芝166维修手册抗污组合物的结构和分子量而变 化。在本发明的一个方面中，优选蒸发可在低于约0.01毫米汞柱的压 力下发生。在本发明的另东芝复印机维修一个方面中，蒸发可在至少东芝181维修手册约80'C的温度下 发生。
在本发明的另东芝电饭煲维修点一个实施例中，蒸发包括利用本领域已知的蒸发沉积方法将抗污组合东芝维修点物和抗反射基底布置在室中、加热该室(包含抗污 组合物)、并且降cf20.低该室内的压力。本发明还提供东芝笔记本维修点了一种方法，其中 在将抗污组合物和抗反射基东芝2006维修手册底布置在室中之前加热该室。作为另外一 种选择，将抗污组合物布置在第一室中东芝2051c维修手册并且将抗反射涂布的眼科透镜 布置在与第一室东芝166维修手册相连的第二室中，以使得从第一室蒸东芝复印机维修发的抗污组合物 可沉积到第二室中的抗东芝181维修手册反射涂布的眼科透镜上。在本发明的另一方面 中，可以使第二室保持东芝电饭煲维修点常温而加热第一室。可用的真空室东芝维修点和设备是本
领域中已知的。 一种市售的单元为卯0 DLS，可得自Satis Vacuum of America,Grove Port，Ohio。
通过以下实例进一步说明cf20.了本发明的对象及优点，但在这些实例 中列举的具体材料及其量以及其他的东芝笔记本维修点条件和细节不应被理解为对本发
明的不当限制。这些实例仅仅东芝2006维修手册是说明性的，并非意图限制东芝2051c维修手册所附权利要 求书的范围。
除非另外指明，否则实例以及说明书其余东芝166维修手册部分中的所有份数、百 分数、比率等东芝复印机维修均按重量计。除非另外指明，否则使用的溶东芝181维修手册剂和其他试 剂均得自Aldrich Chemical公司，Milwaukee, WI (美国威斯康星州密 尔沃基的Aldrich Chemical公司)。
测试方法 核磁共振(NMR)
^和19F的NMR东芝电饭煲维修点波谱在Varian UNITYplus 400傅立叶变换NMR 波谱仪(可得自Varian NMR Instruments, Palo Alto, CA)上操作。
IR光谱学(IR)
IR光谱东芝维修点在Thermo-Nicolet, Avatar 370 FTIR上操作，购自Thermo Electron公司，Waltham, MA (萨诸塞州沃尔塞cf20.姆市的热电公司)。实验 术语表
除非另有说明，否则实例中使用东芝笔记本维修点的&HFPO-&是指甲酯 F(CF(CF3)CF20)aCF(CF3)C(0)OCH3的端东芝2006维修手册基F(CF(CF3)CF20)aCF(CF3)-， 其中平均为4-20个，其可根据美国专利No. 3，250,808(Moore等人)报道 的方法通过利用分东芝2051c维修手册馏法纯化来制备。
利用与美国专利7，094,829(Audenart等人)所述相东芝166维修手册类似的工序来制 备东芝复印机维修HFPO-C(0)N(H)CH2CH2OH。
HFPO 二甲基酯-
CH30(0)CCF(CF3)(OCF2CF(CF3)bOCF2CF2CF2CF20(CF(CF3)CF20东芝181维修手册 )cCF(CF3)COOCH ， 也被称为 H3CO(0)C- HFPO-C(0)OCH3或 HFPO-(C(0)OCH3)2,其中b+c平均为约4至15，其可利用 FC(0)CF2CF2C(0)F作为原料东芝电饭煲维修点(提供了 HFPO低聚物二-酰基氟)根据美 国专利No. 3,250,807(Fritz等人)中报道东芝维修点的方法来制备，然后通过利用美 国专利No. 6,923,921(Flyrm等人)中所述的分馏cf20.法移除较低沸点的材料 进行甲醇分解和纯化。按照美国(Klun等人东芝笔记本维修点)的制备例31A 中所述来东芝2006维修手册制备HFPO-CONHCH2CH2OCOCH=CH2(HFPO-AEA)。
根据美国中给定用东芝2051c维修手册于(FC-1/AM-1)的工序来制备 HFPO-CONHCH2CH2CH2NHCH3东芝166维修手册 。
C4F9CH2CH2OCOCH=CH2可东芝复印机维修购自 Oakwood Products,Inc，West Columbia，SC。
3-烯丙氧丙基三甲氧基硅烷和双东芝181维修手册(三甲氧基甲硅烷基丙基)胺可 得自Gelest,Inc.Morrisville，PA。
合成的材料HFPO-CH2OCOCH=CH2已通过东芝电饭煲维修点先前报道的方法
33(McIntyre,D.K.专利:美国4,873,140; 日)进行制备。
NH2CH2CH2-NH-CH2CH2-NH-CH2CH2-NH2东芝维修点 可购自 VWR international公司,West Chester,PA。
LTM(CH2OC(0)CH=CH2)2的cf20.
式 为 CH2=CHC(0)OCH2CF20(CF2CF20)m(CF20)nCF2CH2OC(0)OCH=CH2东芝笔记本维修点 ， 并且利用与美国3,810,874的实例XV相似东芝2006维修手册的工序进行制备，用丙烯酰 氯取代甲基丙烯酰氯。
CH^CHC(0)0(CH2)3Si(OCH3)3可购东芝2051c维修手册自VWR international,Inc,West Chester，PA。
N-甲基氨丙基三甲氧东芝166维修手册基硅垸(MAPTMS)可购自Union Carbide Chemicals and Plastics Co.,Danbury， CT (康涅狄格州丹东芝复印机维修伯里的联合碳化 物公司)。
双(丙基-3-三甲氧基东芝181维修手册硅垸)胺可购自Gelest,Morrisville，PA (美国宾 夕法尼亚州莫里斯维东芝电饭煲维修点尔的盖勒斯特公司)。
氨基丙基三甲氧基硅烷(APTMS)可得东芝维修点自威斯康星州的密尔沃基的 西格玛阿尔德里奇公司。
在N2的大气cf20.环境下将C4F9CH2CH2OCOCH=CH2 (5克，0.0157摩 尔)注入到配备有磁力搅拌棒、N2东芝笔记本维修点入口和回流冷凝器的100毫升的3 颈圆底烧瓶中。将3-氨基丙基三东芝2006维修手册甲氧基硅垸(1.40克，0.00785摩尔) 在15分钟的间期内东芝2051c维修手册逐滴加入到烧瓶中。反应是放热的，并且在室温下 搅拌30分钟。之后将反应混合物东芝166维修手册在55'C加热12小时。当通过的 NMR监测丙烯酸酯峰完东芝复印机维修全消失后停止反应。
fflFPO-CHzOCOCH^CH^-N-fCHzVSifOCH^东芝181维修手册 在N2的大气环东芝电饭煲维修点境下将HFPO-CH2OCOCH=CH2(5克，0.00395摩尔) 注入到配备有磁力搅拌棒、N2入口东芝维修点和回流冷凝器的100毫升的3颈圆 底烧瓶中。将3-氨基丙基三cf20.甲氧基硅垸(0.35克，0.00197摩尔)在15 分钟的间期内逐东芝笔记本维修点滴加入到烧瓶中。反应是放热的，并且在室温下搅拌 30分钟。之后将反应混合物东芝2006维修手册在55&C加热12小时。
HFPO-CONHCH2CH2OCOCH2-CHrN-「东芝2051c维修手册(CH2VSi(OCH2)2l2 在N2的大气环东芝166维修手册境下将HFPO-CONHCH2CH2OCOCH=CH2(10克， 0.00714摩尔)注入到配备有磁力搅拌东芝复印机维修棒、N2入口和回流冷凝器的100 毫升的3颈圆底烧瓶中。将双(三甲氧基甲东芝181维修手册硅垸基丙基)胺(2.43克， 0.00714摩尔)在15分钟的间期内东芝2051c维修手册逐滴加入到烧瓶中。反应是放热的， 并且在室温下东芝维修点搅拌30分钟。之后将反应混合物东芝166维修手册在55'C加热12小时。
预备实施例1
HFPO-C(0)NHCH2CH(OH)CH2OH的合东芝笔记本维修点成
将HFPO-C(0)OCH3(分东芝2006维修手册子量1266， 64克，0.0506摩尔)和(东芝2051c维修手册±)-3-氨基-l，2-丙二醇(5.99克，0.06557摩尔)注入到配东芝166维修手册备有磁力搅拌棒和 入口衔接子的500毫升的1颈圆底东芝复印机维修烧瓶中并且在75'C氮气下搅拌72小 时。此时，当傅立叶红外变换东芝181维修手册(FTIR)分析确认与HFPO-C(0)OCH3 ( 1790cm&)相关的峰消失并东芝电饭煲维修点且与所需的酰胺( 1710cm&)相关的 峰出现时反应终止。将产物溶于70克的甲基叔东芝维修点-丁基醚中并且在室温下 与16毫升的2N (水溶液)HC1cf20.搅拌15分钟，然后放置于分液漏斗中 以除去水相(pH=l)。依次用三个100克水溶液东芝笔记本维修点的等分试样洗涤有机 相，在每次分离后除去水东芝2006维修手册相以得到中性的pH。该产物用10克硫酸镁 进行干燥并且在Bttchner东芝2051c维修手册漏斗上进行过滤。在65。C和28托的旋转蒸发 器上浓s有机层。HFPO-C(0)NHCH2CH(OH)CH2OH的^-NMR显示所需的产物不东芝166维修手册含过量的(±)-3-氨基-1,2-丙二醇。 预备实例2
HFPO-C(0)NHCH2CH(OC(0)CH-CH2)CH20C(0)CH-CH^的东芝复印机维修合成 将东芝181维修手册HFPO-C(0)NHCH2CH(OH)CH2OH (分子量1325， 60.88克， 0.0459摩尔，得自预备实例东芝电饭煲维修点l)、三乙胺U2.09克，0.1195摩尔)、甲 基叔-丁基醚(82.95克)、以及对东芝维修点-甲氧基苯酚(0.03克，500PPM的固 体)注入到配备有磁力搅拌棒和入cf20.口衔接子的500毫升的1颈圆底烧 瓶中并且在40'C的干燥东芝笔记本维修点空气中搅拌10分钟。丙烯酰氯(9.98克，0.1103 摩尔)在15分钟的间期内东芝2051c维修手册逐滴加入到烧瓶中。反应是放热的并且搅拌 72小时。然后从加热中取出产东芝2051c维修手册物并且与50克的2N (水溶液)HC1搅 拌20分钟，然后放置于分液漏东芝166维修手册斗中以除去水相(pH-l)。然后将产物 与90克的10% (水溶液)的碳东芝复印机维修酸钠搅拌20分钟，然后放置于分液漏 斗中以除去水相(pH=9)。随后将产物东芝181维修手册与90克的10% (水溶液)的氯 化钠搅拌20分钟，然后放置于分液漏东芝电饭煲维修点斗中以除去水相。该产物用10 克硫酸镁进行干燥并且东芝维修点在Biichner漏斗上进行过滤。在旋转蒸发器(55 'C ， 28 托) 上 浓 s 有 机 层 。 HFPO-C(0)NHCH2CH(OC(0)CH=CH2)CH2OC(0)CH=CH2的！cf20.H-{R 与所需的产物相符。
HFPO-C(0)NHCH2CHfOCfO)CH2CH2N(CH^CH东芝笔记本维修点,、Si(OCH^)CH2 OC(0)CH2CH2N(CH2)(CH ^Si(OCH^
将东芝2006维修手册HFPO-C(0)NHCH2CH(OC(0)CH=CH2)CH2OC(0)CH=CH2 (分 子量1433， 10克，0.0070摩尔，得自预备实例3)东芝2051c维修手册注入到配备有磁 力搅拌棒和入口衔接子的500毫升东芝166维修手册的1颈圆底烧瓶中并且在55'C的干 燥空气下搅拌10分钟。将东芝复印机维修CH3NH(CH2)3Si(OCH3)3 (分子量193,2.69 克，0.0140摩尔)在15分钟的间期内东芝2051c维修手册逐滴加入到烧瓶中。将反应搅拌 24 小 时 。
HFPO-C(0)NHCH2CH(OC(0)CH2CH2N(CH3)(CH2)3Si(OCH3)3)CH2OC(0)CH2CH2N(CH3)(CH2)3Si(OCH3)3的！H-NMR与所东芝电饭煲维修点需的产物相符。 实例5
HFPO-C(0)NHCH2CH(OC(0)CH2CH2丽C东芝维修点叫Si(OCH!)^)CH20C
将东芝2006维修手册HFPO-C(0)NHCH2CH(OC(0)CH=CH2)CH2OC(0)CH=CH2 (分 子量1433， 10克，0.0070摩尔，得自预备实例3)东芝2051c维修手册注入到配备有磁力 搅拌棒和入口衔接子的500毫升的东芝2006维修手册1颈圆底烧瓶中并且在55'C的干燥 空气下搅拌10分钟。将东芝2051c维修手册NH((CH2)3Si(OCH3)3)2 (分子量341， 4.76 克，0.0140摩尔)在15分钟的间期内东芝2051c维修手册逐滴加入到烧瓶中。将反应搅拌 24 小 时 。
HFPO-C(0)NHCH2CH(OC(0)CH2CH2N((CH2)3Si(OCH3)3)2)CH20C(0)C东芝复印机维修 H2CH2N(CH3)(CH2)3Si(OCH3)3)2的^-NMR与所需东芝181维修手册的产物相符。
LTM(CH2OC(0)CH2CH2N((CH2hSi(OCH^)2)2
将东芝维修点LTM(CH2OC(0)CH=CH2)2
(分子量2142， 15克，0.0070摩 尔)cf20.和HN((CH2)3Si(OCH3)3)2
(分子量:341， 4.78克,0.0140摩尔) 注入到配备有磁力搅拌棒和入口衔东芝笔记本维修点接子的100毫升的1颈圆底烧瓶中 并且在65
°C的干燥空气东芝2006维修手册下搅拌24小时。 LTM(CH2OC(0)CH2CH2N((CH2)3Si(OCH3)3)2)2的iH-NMR显东芝2051c维修手册示产物不 含过量的原料。
将东芝维修点LTM(CH2OC(0)CH=CH2)2
(分子量2142， 15克，0.0070摩 尔)东芝复印机维修和HN(CH3)(CH2)3Si(OCH3)3东芝电饭煲维修点
(分子量:193.27， 2.71克，0.0140 摩尔)注入到配备有磁力搅拌棒和东芝181维修手册入口衔接子的100毫升的1颈圆底 烧瓶中并且在55 'C的干燥空气东芝电饭煲维修点下搅拌24小时。 LTM(CH2OC(0)CH2CH2N(CH3)(CH2)3Si(OCH3)3)2的iH-NMR显示产物东芝维修点不含过量的原料。 预备实例3
HFPO-(C(0)NHCH2CH20H)[的cf20.合成
将HFPO-(C(0)OCH3)2 (分子量2400， 150克，0.0625摩尔)和 乙醇胺(分子量61.08， 9.93克，0.1625摩尔)注入到东芝笔记本维修点配备有磁力搅 拌棒和入口衔接子的500毫升东芝2006维修手册的1颈圆底烧瓶中并且在75。C的氮气下 搅拌24小时。当FTIR确东芝2051c维修手册认与HFPO-(C(O)OCH3)2( 1790 cm&)相关的 峰消失并且与东芝166维修手册所需的酰胺( 1710cm&)相关的峰出东芝复印机维修现时终止反应。将产 物溶于225克的甲基叔-丁基醚东芝181维修手册中并且在室温下与50毫升的2N (水溶 液)HC1搅拌15分钟，然后放置于分液漏东芝电饭煲维修点斗中以除去水相(PH=1)。 然后将产物与东芝维修点80毫升的2% (水溶液)的碳东芝复印机维修酸钠搅拌20分钟，然后放 置于分液漏斗中东芝笔记本维修点以除去水相(pH-8)。随后将产物与东芝2006维修手册50毫升的10%(水 溶液)的氯化东芝2051c维修手册钠搅拌20分钟，然后放置于分液漏东芝电饭煲维修点斗中以除去水相。该 产物用lO克硫酸镁进行干燥并且东芝维修点在Biichner漏斗上进行过滤。在旋转 蒸发器(温度55°C;真东芝181维修手册空28托)上浓s有机层。
HFPO-(C(0)NHCHr CHr OC(0)CH-CH,)i的合成 将东芝电饭煲维修点HFPO-(C(0)NHCH2CH2OH)2 (分子量2458， 50克，0.0203 摩尔)、三乙胺(5.02克，0.0496摩尔东芝维修点)和Fluorinert
FC-77 (87.50 克，得自3M公司的全氟溶剂)注入到cf20.配备有磁力搅拌棒和入口衔接子 的500毫升的1颈圆底烧瓶中并且东芝笔记本维修点在40'C的干燥空气下搅拌10分钟。 将丙烯酰氯(分子量90.51， 4.42克，0.0488摩尔)在15东芝2006维修手册分钟的间期 内逐滴加入到烧瓶中。反应是放热的并东芝2051c维修手册且搅拌24小时。然后从加热中 取出产物并且与5东芝166维修手册克水搅拌120分钟，然后与5克硫酸东芝复印机维修镁搅拌30分钟 并且然后与5克10%的东芝181维修手册碳酸钾搅拌30分钟。接下来，加入10克硅胶 并且搅拌60分钟。然后在Btichner漏斗东芝电饭煲维修点上过滤产物，随后利用额外的 Fluorinert FC77进行洗涤。在旋转蒸发器(温度东芝维修点55°C;真空28托) 上浓s有机层。HFPO-(C(0)NHCH2CH20C(0)CH-CH2)2的^-NMR与所需cf20.的产物相符。实例8
HFPO&C(0)NHCH2CH2OC(0)CH2CH2-N((CH2)2Si(OCH2V)^将东芝笔记本维修点FPO-(C(0)NHCH2CH20C(0)CH-CH2)2 (分子量2568, 9克，
0.0035摩尔，得自预备实例4)东芝2006维修手册和HN((CH2)3Si(OCH3)3)2(分子量341,2.39
克，0.0070摩尔)注入到配备有磁力搅拌东芝2051c维修手册棒和入口衔接子的50毫升的
1颈圆底烧瓶中并且在70°C的干燥空气东芝2006维修手册下搅拌24小时。
HFPO&aO濯CH2CH二东芝复印机维修0③)CH，CH2-N(CH^C叫Si(OC叫东芝181维修手册)2将HFPO-(C(0)NHCH2CH20C(0)CH-CH2)2 (分子量2568, 9克，0.0035摩尔，得自预备实例4)禾B HN(CH3)(CH2)3Si(OCH3)3东芝电饭煲维修点 (分子量193.27,1.35克，0.0070摩尔)注入到配备有磁力搅拌棒和入口衔接子的50毫升的1颈圆底烧瓶中并且在70°C的干燥空气东芝2006维修手册下搅拌24小时。
HFPO-C(0)NHCH2CH2N(CH&C(0)CH-CHi的合cf20.成将HFPO-C(0)NHCH2CH2CH2NHCH3 (分子量1267.15， 25克，0.0197摩尔)、三乙东芝笔记本维修点胺(分子量101.19, 2.60克，0.0256摩尔)、甲基东芝2006维修手册-叔-丁基醚(29.74克)和对-东芝2051c维修手册甲氧基苯酚(7.5毫克，250PPM)注入到配备有磁力搅拌棒和入口衔接子的200毫升的东芝166维修手册1颈圆底烧瓶中并且在40'C的干燥空气下搅拌10分钟。将丙烯酰氯(分子量90.51， 2.14克，0.0237摩尔)在15分钟的间期内东芝2051c维修手册逐滴加入到烧瓶中。反应是放热的并东芝2051c维修手册且搅拌24小时。从加热中取出产物并且与15毫升的东芝电饭煲维修点2N(水溶液)HCl在室温下搅拌15分钟，然后放置于分液漏东芝166维修手册斗中以除去水相(pH-l)。然后将产物与100毫升水cf20.在室温下搅拌15分钟，然后放置于分液漏东芝电饭煲维修点斗中以除去水相。当pH值等于4时再东芝2006维修手册重复三次该工序。利用5克硫酸镁干燥该产物东芝2051c维修手册并且在Bttchner漏斗上进行过滤。在旋转蒸发器东芝166维修手册(温度55°C; 真空28 托)上浓s有机层。
39HFPO-C(0)NHCH2CH2CH2N(CH3)C(0)CH=CH2的tH-NMR与所东芝复印机维修需的产
&formula&formula东芝181维修手册 see original document page 40&/formula&
将HFPO-C(0)NHCH2CH2CH2N(CH3)C(0)CH-CH2(分东芝维修点子量1322，7克，0.0053摩尔cf20.)和HN((CH2)3Si(OCH3)3)2 (分子量:341， 1.90克，0.0056摩尔)注入到配备有磁力搅拌棒和入口衔接子的50毫升的l颈圆底烧瓶中并且在55'C的干燥空气东芝电饭煲维修点下搅拌24小时。HFPO-C(0)NHCH2CH2CH2N(CH3)C(0)CH2CH2N((CH2)3Si(OCH3)3)2的iH-NMR示出了东芝2006维修手册所需的产物。
fHFPO-C(0)NHCH2CH2OC(0)CH2CH2)2N(CH2hSi(OCH^在N2的大气东芝2051c维修手册环境下将HFPO-C(0)NHCH2CH2OC(0)CH=CH2 (5克，0.00357摩尔)注入到配备有磁力搅拌棒、N2东芝笔记本维修点入口和回流冷凝器的100毫升的3颈圆底烧瓶中。将3-氨基丙基三cf20.甲氧基硅垸(0.3203克，0.001786摩尔)在15分钟的间期内东芝2051c维修手册逐滴加入到烧瓶中。反应是放热的，并且在室温下东芝维修点搅拌30分钟。之后将反应混合物东芝维修点在55'C下加热12小时。利用NMR分析获得cf20.的透光粘性油。
HFPO-C(0CH2CH20C(0)CH2CH2N(CH!)(CH^Si(OCH^在N2的大东芝笔记本维修点气环境下将HFPO-CONHCH2CH2OCOCH=CH2 (5克，0.00357摩尔)注入到配备有磁力搅拌棒、N2东芝笔记本维修点入口和回流冷凝器的100毫升的3颈圆底烧瓶中。接下来，3-(甲基)氨基丙基东芝2051c维修手册三甲氧基硅垸(0.69克，0.00357摩尔)在15分钟的间期内东芝2051c维修手册逐滴加入到烧瓶中。反应是放热的，并且在室温下东芝维修点搅拌30分钟。之后将反应混合物东芝维修点在55'C下加热12小时。获得了透光粘性油。
40通过浸涂处东芝电饭煲维修点理眼科透镜
将选定的含东芝维修点氟硅烷在NovecTMHFE-7100 (得自3M公司的氢氟醚) 中的0.1%的溶液放置在浸cf20.涂机的玻璃容器中。以15毫米/秒的速度将 清洁的透镜浸东芝笔记本维修点入到溶液当中，使之保持浸没2秒。然后以15毫米/秒的 速度从溶液中取出透镜。在空气中干燥涂东芝2006维修手册布的透镜30分钟，然后以类 似的浸入和取出速东芝2051c维修手册度将其浸入到0.1。/。的HC1溶液当中。用氮气吹走任 何过量的酸。将透镜放置于铝盘中并且东芝166维修手册在60'C的烘箱中固化30分钟。
通过化学气相沉积东芝复印机维修(CVD)处理眼科透镜
在3xl0&托压下的东芝181维修手册气相沉积室中，利用本发明选定东芝电饭煲维修点的的含氟硅垸 中的每一种来处东芝维修点理清洁的透镜。硅烷的汽化温度cf20.的范围为350-500°C。 然后在环境条东芝笔记本维修点件下固化涂层。
据信聚碳酸酯AirWear Crizal 抗反射透镜坯东芝2006维修手册料(可得自Essilor USA,St.Petersburg， FL)具有抗划伤硬涂层东芝2051c维修手册、抗反射(AR)涂层以及 疏水的表涂层。据信AR涂层具有含有氧化锆/东芝166维修手册氧化硅/氧化锆/氧化硅的 四层CVD涂层。
为了移除疏水的表涂层并且东芝复印机维修允许沉积本发明的含氟硅垸，将市售 的透镜坯料利用异丙醇进行东芝181维修手册冲洗并且利用鼓风机干燥，然后在Harrick PDC32G Cleaner/Sterilizer(Harrick东芝电饭煲维修点 Scientific公司，Pleasantville，NY)中
暴露于真空等东芝维修点离子3分钟。
流干时间测试
对于这项测试，使用浸涂机确定液体在经cf20.处理的眼科透镜上的流 干时间。将经处理的透镜浸入到液体(东芝笔记本维修点油酸或异丙醇(IPA))当中并随后 再取出来。用于测试的取出速度为东芝2006维修手册每秒5厘米(2英寸)。用计时器测 量液体完全流东芝2051c维修手册干所需的时间。表1显示出测量的用于比较异丙东芝166维修手册醇和油酸在选择的CVD和浸涂的 聚碳酸酯透镜东芝复印机维修上的流干时间。根据该数据，通常与浸涂相比，透镜的
CVD涂布对于IPA和油酸均东芝181维修手册导致较短的流干时间。流干时间用于测量 经处理透镜的光滑度，液体完全流干所东芝电饭煲维修点需的时间越短，则表面越光滑。 液体的较快流干也是较好东芝维修点的疏水疏油表面的表征。
静态和动态接触角
静态前进和后退接触角的测试可对cf20.涂层材料的表面性能提供快速
和精确的预测。使用配备了用于控制和东芝笔记本维修点数据处理的计算机的KrussG120 和AST VCA 2500 XE视频接触角系统(AST Products, Inc.)测量经处理 的透镜(在干燥和东芝2006维修手册固化后)的接触角。数据是对于水和东芝2051c维修手册正十六垸产生的。 表2汇总了采取CVD和浸涂方法用各东芝166维修手册种硅垸处理的透镜的静态前进和 后退接触角。对所有经处理的透镜东芝复印机维修测量的接触角都高，但一般而言， 通过浸涂处理的透东芝181维修手册镜的接触角略高。
经处理的透东芝电饭煲维修点镜的滞后-
最大(前进)和最小(后退)接东芝维修点触角之间的差异被称为接触角滞 后，其表征了表面的不均一cf20.性、粗糙度以及移动性。可能经涂布的表 面的易清洁性能与接东芝笔记本维修点触角滞后是相关的。较高的后退接东芝2006维修手册触角将有助于 从经处理的表面东芝2051c维修手册移除染色的液体。因此，接触角滞后越小，性能越好。 表1列出了若干经东芝166维修手册处理的透镜的滞后。
耐久性测试
按如下方式确定透镜上的东芝复印机维修耐久性硅烷处理利用Lens Eraser Abrasion Tester(可得自Colts Laboratories,Inc.， Clearwater, FL)以及3M 高性能Cloth
( Scotch-Brite
Microfiber Dusting Cloth ，得自3M Company, St.Paul, MN)使经处理的东芝181维修手册透镜经受2.27千克(5磅)负荷下的 500个周期的磨损测试。然后采用上述的方法再东芝电饭煲维修点次测量经处理的透镜在 磨损测试后的接触角。表2显示经处理的透镜东芝维修点在耐磨性测试之后的接 触角数据。表3显示经浸涂处理的透镜分cf20.别在耐磨性测试之前和之后
42的接触角数据。
粘附力和切边测试
运行该测试以确定垫片在切割操东芝笔记本维修点作中将透镜保持在切边器中位置 的能力，这存在于透镜的边缘或周边的加东芝2006维修手册工中以使其符合所需的框架
尺寸。将从转换垫片III(东芝2051c维修手册可得自3M公司,StPaul,MN)的一侧密封的纸张 剥离并且涂覆至东芝166维修手册涂布透镜的中央，该透镜利用30厘东芝复印机维修米(12VV')的条稳固 地附连在扭矩设备中。
将作为在透镜旋转时保持透镜定东芝181维修手册位的装置的阻挡物施加到转换垫 片III的另一侧上。将扭矩设备与垫片和透镜插东芝电饭煲维修点入到切边器中(将阻挡物 凸缘对齐到阻挡块当东芝维修点中是至关重要的)，用2.86大气压(42psi)cf20.的压力强 有力地挤压垫片。扭矩设备的顶端与扭东芝笔记本维修点矩刻度上的零度对齐。利用弹 簧秤施加一分钟的0.45千克(6磅)的水平力东芝2006维修手册并且以距离零位置的度 数来记录扭矩设备在东芝2051c维修手册扭矩刻度上的新位置。如果扭矩度数东芝166维修手册小于或等于 5，则认为它在切边过程中具有足东芝复印机维修够的粘附力和保持透镜的能力。
本发明的硅烷处理的东芝181维修手册测试结果示于表2中。用于比较的Alize 透 镜坯料(可得自Essilor USA)的扭矩度数〉15，这对于切边过程需要 专门的临时性东芝电饭煲维修点涂层(参见WO 01/68384和US)。在本发 明中描述的新的硅垸处东芝维修点理全部通过了扭矩测试。如果在扭矩测试之前 首先利用异丙醇洗涤FCcf20.硅烷的CVD涂布的透镜，那么粘附力得到了 改善并且通过了该测试。因此，本发明的硅垸处理东芝笔记本维修点并不需要针对切边 过程的专门的东芝2006维修手册临时性涂层。&table&table see original document page 44&/column&&/row&&table&&table&table东芝2051c维修手册 see original document page 45&/column&&/row&&table&
1.一种化合物，由如下化学式表示东芝复印机维修其中Rf为含氟基团；R1为共价键、多价的亚烷东芝181维修手册基或亚芳基或它们的组合，所述亚烷基任选地包含一个或东芝电饭煲维修点多个链中氧或氮原子R2由如下化学式表示其中X2为-O、-S-或-NR4-，其中R4为H或C1-C4烷基，R5为C1-C4烷基东芝维修点或-R6-Si(Yp)(R7)3-p或(Rf)x-R1-X2-C(O)-CH2CH2-；R6为二价亚烷基，所述亚烷基任选地包含东芝维修点一个或多个链中氧原子；Y为可水解基团，R7为单价烷基或芳基，p为1、2或3，并且x和y各自独东芝电饭煲维修点立地为至少1，并且z为1或2。
2.根据权利要求l东芝2006维修手册所述的化合物，其中Rf由如下东芝2051c维修手册化学式表示:&formula&formula东芝181维修手册 see original document page 2&/formula&其中Rf1为单价的全氟垸基或全氟氧垸基或二价的全氟东芝电饭煲维修点亚垸基或全氟 氧亚垸基，Q为共价键或者二价东芝复印机维修的亚烷基或亚芳基，所述亚烷基任选地包含东芝181维修手册一个或多个链中杂原子，x2为-0-、 -NR4-或-S-，其中R4为H或Cr(V烷基， z为1或2，并且 v为0或1。
3. 根据权利要求1东芝电饭煲维修点所述的组合物，其中W为由含氟丙烯酰基化合 物和氨基硅垸之间的迈克东芝维修点尔反应生成的含硅垸部分。
4. 根据权利要求1cf20.所述的化合物，其中Rf包含选自东芝笔记本维修点单价的全氟垸 基和全氟氧垸基以及二价的全氟亚东芝2006维修手册垸基和全氟氧亚垸基的含氟基团。
5. 根据权利要求2东芝2051c维修手册所述的化合物，其中R/为单价东芝166维修手册的全氟氧垸基 或包含一个或多个全氟化重复东芝复印机维修单元的二价的全氟氧亚垸基，所述全氟 化重复单元东芝181维修手册选自_(CnF2nO)-、 -(CF(Z)O)-、 -(CF(Z)CnF2nO)-、 -(CnF2nCF(Z)0)-、 -(CF2CF(Z)0)-以及它东芝电饭煲维修点们的组合，其中n为1至4，和Z为全氟烷基、 全氟垸氧基或东芝维修点全氟氧烷基。
6. 根据权利要求2东芝2051c维修手册所述的化合物，其中R/包括由东芝笔记本维修点以下化学式表 示的基团W-Rf3-0-Rf4-(Rf5)q-其中对于东芝2006维修手册单价的全氟氧烷基，W为F，和对于二价的东芝2051c维修手册全氟氧亚烷基，W为开放化合价(&-&);RfS东芝166维修手册表示全氟亚烷基，Rf4表示全氟东芝复印机维修亚垸基氧基，所述全氟亚垸基东芝181维修手册氧基由具有1、 2、 3 或4个碳原子的全氟氧亚烷基或这东芝电饭煲维修点样的全氟氧亚垸基的混合物组成， RfS表示全氟亚烷基，并且 q为0或1。
7. 根据权利要求4东芝维修点所述的化合物，其中所述全氟氧cf20.亚垸基选自以 下的一个或东芝笔记本维修点多个基团-[CF2-CF2-0]r- ;
-[CF(CF3)-CF2-0]s-; -[CF2CF2-0]r-[CF20]t-东芝2006维修手册东芝电饭煲维修点 -[CF2CF2CF2CFrO]u以 及 -[CF2-CF2-0]r-[CF(CF3)-CF2-0]s-;其中每东芝2051c维修手册个r、 s、 t以及u各自为l至 50的整数。
8. 根据权利要求1cf20.所述的化合物，其中Rf包含单价东芝复印机维修的全氟氧亚垸 基并且z为2。
9. 根据权利要求2东芝2051c维修手册所述的化合物，其中R/为单价东芝166维修手册的全氟氧垸基 并且z为1。
10. 根据权利要求1cf20.所述的化合物，其中Rf由氟化cf20.的一元醇或多 元醇生成。
11. 根据权利要求l东芝2006维修手册所述的化合物，其中Y为卤素东芝2006维修手册、d-C4垸氧基 或CrC4酰氧基。
12. 根据权利要求2东芝2051c维修手册所述的化合物，其中硅垸基团东芝166维修手册与Rf基团之间 的摩尔比大于1:1。
13. 根据权利要求2东芝2051c维修手册所述的化合物，所述化合物衍东芝181维修手册生自由如下化 学式表示的亲东芝电饭煲维修点核的丙烯酰基化合味ノ薜泔&formula&formula东芝181维修手册 see original document page 5&/formula& Rf为含氟基团；W为共价键、多价的亚烷cf20.基或亚芳基或它们的组合，所述亚烷基 任选地包含一个或多个链东芝电饭煲维修点中氧或氮原子-V2为-O、 ―S-或-NR4-，其中R4为H或C广C4垸基， y至少为1，并且z为1或2。
14.根据权利要求1cf20.所述的化合物，所述化合物衍东芝181维修手册生自由如下化 学式表示的东芝166维修手册氨基硅垸&formula&formula东芝181维修手册 see original document page 5&/formula&其中R5为Q-CV烷基东芝复印机维修或-R6-Si(Yp)(R7)3-p;W为二价亚烷基，所述亚垸基任选地包含东芝181维修手册一个或多个链中氧原子；Y为可水解基团， W为单价烷基或芳基， p为1、 2或3，优选为3。
15. ―种涂料组合物，其包含至少一种根据东芝电饭煲维修点权利要求1所述的化 合物和溶剂。
16. 根据权利要求15所东芝维修点述的涂料组合物，其还包含倍半硅氧烷。
17. ―种化合物，其包含氨基硅烷与具有丙烯酸酯侧基基团cf20.的含氟化合物的迈克尔加成反应的产物；所述含氟化合物东芝笔记本维修点包含亲电的含氟 化合物与亲核的丙烯酰基化合物的反应产物。
18. 根据权利要求l东芝2006维修手册所述的化合物，由如下化学东芝2051c维修手册式表示&formula&formula东芝181维修手册 see original document page 6&/formula&其中Rf为东芝166维修手册含氟基团；V2为―O、 -S-或一NR4-，其中R4为H或Q-Q烷基，R5为C广C4烷基或-R6-Si(Yp)(R7)3-p东芝复印机维修或(Rf)x-X2-C(0)-CH2CH2-;W为二价亚垸基，所述亚垸基任选地包含东芝181维修手册一个或多个链中氧原子；Y为可水解基团， R&为单价烷东芝电饭煲维修点基或芳基， p为1、 2或3,并且 z为1或2。
19. 一种涂料组合物，其包含根据权利要求1cf20.所述的化合物和溶剂。
20. ―种涂布的方法，其包括使基底与根据cf20.权利要求19所述的涂 料组合物相接触的步骤。
21. ―种涂布的制品，其包括具有固化东芝笔记本维修点的涂层的基底，所述涂层 为根据权利要求1所述东芝2006维修手册的硅垸化合物的涂层。
22. 根据权利要求21东芝2051c维修手册所述的涂布制品，其中所述基底东芝166维修手册为抗反射基 底，该抗反射基底包括具有一种或多东芝复印机维修种金属氧化物的金属氧化物膜的 抗反射表面。
23. 根据权利要求东芝181维修手册22所述的制品，其中所述抗反射东芝电饭煲维修点表面包括真空 沉积的金属氧化物膜。
24. 根据权利要求东芝维修点21所述的制品，其中所述硅垸化cf20.合物通过气相 沉积进行涂布。
25. 根据权利要求东芝维修点21所述的制品，其包括具有第东芝2006维修手册一表面和第二 表面的透明基底；在所述第一表面至少一东芝2051c维修手册部分上的抗反射涂层；以及 沉积到所述抗反射涂层东芝166维修手册上的所述硅烷的涂层。
26. 根据权利要求东芝复印机维修25所述的制品，其中所述透明基东芝181维修手册底包含柔性有 机聚合物材料。
描述了含氟硅烷化合物以东芝电饭煲维修点及由其衍生的涂料组合物。所述化合物和组合物东芝维修点可以用于处理基底，特别是具有诸如陶瓷或玻cf20.璃之类的硬质表面的基底，以使它们防水、防油、东芝笔记本维修点抗污渍、以及抗污垢。式(I)中R&sup&2&/sup&由东芝2006维修手册式(II)表示。
文档编东芝2051c维修手册号C07F7/18GKSQ
公开日日 申请日期日 优先权日日
发明者奥斯卡东芝166维修手册?S?本兹, 托马斯?P?克伦, 苏赖斯?艾耶尔, 韦恩?W?凡 申请人:3M创东芝复印机维修新有限公司
本站部分内容系根据指令自动收集于互联网，不代表本站赞成该内容或立场
Copyright & 2011 www.51yue.net Corporation, All Rights Reserved
Processed in 3. second(s), 8 queries,